崔玉兴
- 作品数：131 被引量：65H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 超宽带SiC MESFET器件的研制
- 2012年
- 采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8～2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。
- 崔玉兴默江辉李亮李佳付兴昌蔡树军杨克武
- 关键词：SICMESFET内匹配超宽带内匹配
- GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片，该方法包括：在GaN芯片的背面生长第一金属；在所述第一金属层的表面生长Au金属层；在所述Au金属层与待烧结区域对应的区域的表面生长Au/Sn...
- 王川宝李亮王强栋马杰付兴中崔玉兴
- 文献传递
- 8.9W/mm高功率密度SiC MESFET器件研制
- 2013年
- 基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了Al记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,优化了凹槽尺寸,采用细栅制作技术完成了栅电极制作,最终得到了不同栅宽的SiC MESFET芯片。突破了大栅宽芯片流片、封装及大功率脉冲测试技术,研制成功了微波功率特性良好的MESFET器件。微波测试结果表明,在2 GHz脉冲条件下,0.25 mm栅宽器件,输出功率密度达到8.96 W/mm,功率附加效率达到30%。单胞20 mm大栅宽器件,3.4 GHz脉冲条件下,功率输出达到94 W,功率附加效率达到22.4%。
- 李亮默江辉邓小川李佳冯志红崔玉兴付兴昌蔡树军
- 关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管功率密度
- 一种谐振器封装系统
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构；所述谐振器包括：衬底和多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；所述封装结构包括：第一衬底、第...
- 李亮商庆杰梁东升赵洋王利芹丁现朋刘青林冯利东张丹青崔玉兴张力江刘相伍杨志李宏军钱丽旭李丽卜爱民王强蔡树军付兴昌
- 文献传递
- 碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件
- 本发明提供了一种碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件，属于半导体器件制备领域，包括：对碳化硅圆片进行清洗；在碳化硅圆片表面淀积一层介质；光刻定义P型掺杂区域；对需要P型掺杂的区域进行离子注入，并去除光刻胶；光刻...
- 刘相伍谭永亮周国闫锐崔玉兴
- 文献传递
- 谐振器及滤波器
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环；其中，环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体...
- 李亮李宏军吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东崔玉兴张力江刘相伍杨志商庆杰钱丽勋李丽卜爱民王强付兴昌
- SiC材料的ICP-RIE浅槽刻蚀工艺被引量：1
- 2014年
- 介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化规律。最终得到了用于SiC器件浅槽刻蚀的最优刻蚀条件。实验结果表明,RIE功率和ICP最优功率配比分别为12和500 W。该刻蚀条件应用于SiC MESFET制备中,进行了多凹槽栅结构的浅槽刻蚀,实现了多凹槽栅结构。不同深度栅凹槽的片内均匀性均达到了4%以内,片间均匀性也达到了5%,工艺稳定性及均匀性均达到了批量生产要求。
- 闫锐李亮默江辉崔玉兴付兴昌
- SPC参数控制限和规范限的定义
- 2015年
- 介绍了定义SPC控制限和规范限的一套方法。在多品种小批量的化合物半导体前道工艺线推行SPC的过程中,针对不同参数的性质不同,分别总结出了三种不同的定义方法,从而对前道工艺流程的全部参数实行了SPC监控,并在实际的控制中证明该方法是有效的。该方法解决了困扰SPC使用者如何定义控制限和规范限的难题,尤其对于刚开始推行SPC的生产线有借鉴意义。
- 李保第李彦伟孙天玲闫锐崔玉兴付兴昌
- 关键词：SPC目标值CPK
- N型SiC欧姆接触电极的制作方法
- 本发明公开了一种N型SiC欧姆接触电极的制作方法，涉及欧姆电极的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在N型SiC圆片的上表面欧姆接触电极区进行光刻，制作欧姆接触电极的掩膜；在具有掩膜的SiC圆片的上表面依次沉积Ni层...
- 谭永亮刘佳佳梁东升刘相伍张力江崔玉兴
- 文献传递
- 一种微波器件测试用压紧装置
- 本实用新型公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本实用新型能...
- 默江辉杨中月李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
