范希庆
- 作品数：20 被引量：27H指数：4
- 供职机构：郑州大学物理工程学院更多>>
- 发文基金：河南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Al表面的多层弛豫——修正嵌入原子势的应用被引量：4
- 1997年
- 利用修正的嵌入原子方法计算了Ａｌ低指数面（１００），（１１０），（１１１）和高指数面（２１０），（２１１），（３１０），（３１１），（３３１）的多层弛豫，所得到的结果都与实验及第一原理计算结果符合得很好．尤其是这种半经验方法给出了与实验结果相符的Ａｌ（１００）和（１１１）表面最外层向外膨胀的理论结果，并提出这种膨胀主要是由于最外层与第二层的键中ｓ态电子增加而ｐ态电子减少引起的．
- 申三国万钧范希庆
- 关键词：金属处理EAM铝
- 硅中四空位扩展的Koster-Slater模型
- 1990年
- 本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V_4^-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η~2及其s特征α~2,和超精细相互作用常数,确定V_4^-处于深能级为0.78eV的A_1对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V_4^-的单个悬挂键上的η~2比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V_4^-的势分布向一侧有较大偏重所致。
- 申三国范希庆张德萱任尚元
- 关键词：硅空位
- 电子多声子作用对能带电子有效质量的影响被引量：1
- 1990年
- 本文考虑声子的动力学过程,用格林函数方法导出了T《德拜温度T_D时,电子多声子作用对能带电子有效质量的修正公式。指出电子多声子过程中高频声子有重要作用。
- 刘砚章范希庆
- 关键词：声子
- 硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构
- 1990年
- 本文采用扩展的缺陷势,利用一个紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,确定了磷-空位缺陷的波函数为深能级E的函数,以深能级的实验值为输入参数,得到的波函数定量地描述了EPR和ENDOR实验资料,特别是,理论给出空位的四个近邻原子上的超精细相互作用常数α和b,同实验符合得很好。
- 申三国范希庆
- 关键词：硅磷空位电子结构
- ZnTe(110)表面电子态及其弛豫对表面电子态的影响被引量：8
- 1998年
- 给出了ⅡⅥ族半导体化合物ＺｎＴｅ（１１０）表面电子特性的理论研究．考虑最近邻的ｓｐ３ｓ模型描述体态电子结构，使用散射理论方法，给出了理想和弛豫ＺｎＴｅ（１１０）表面的波矢分辨的电子态密度和表面投影带结构．结果表明：弛豫的ＺｎＴｅ（１１０）表面在带隙中没有表面态存在．在价带中的表面态及表面共振态和其他弛豫的ⅢⅤ族及ⅡⅥ族半导体的（１１０）表面具有相似的特征．与实验结果及第一性原理的自洽赝势计算结果相比。
- 马丙现贾瑜范希庆
- 关键词：碲化锌表面电子结构电子态弛豫
- 含红外发散的集团自旋玻璃体系的超声吸收
- 1992年
- 本文将红外发散响应理论应用到集团自旋玻璃体系中磁集团取向变化弛豫过程,研究自旋玻璃体系(COF_7)_(0.5)(BaF_2)_(0.2)(NaPO_3)_(0.3)的低温超声吸收特性。结果表明T<4.0K时,超声吸收的磁贡献部分主要来自于磁集团的集体转向弛豫过程;T>4.0K时,超声吸收的磁贡献部分是集团集体转向过程和集团内部贡献的迭加。
- 刘砚章范希庆
- 关键词：自旋玻璃
- 石英中Al^（3＋）－空穴取向变化弛豫过程中的红外发散响应
- 1994年
- 基于ａ石英的晶体结构，将红外发散响应模型和双势阱模型应用到含Ａｌ杂质的ａ石英中Ａｌ￣（３＋）－空穴的取向变化弛豫过程，研究其低温介电损耗特性，结果表明Ｔ＜６．５Ｋ时，介电损耗的主要贡献来自于单声子助隧道弛豫过程；Ｔ＞１０Ｋ时，主要贡献来自于热跃迁弛豫过程；而在中间温区，介电损耗是两种过程的迭加，同一弛豫体不同的弛豫过程对应于不同的红外发散响应，还讨论了同一弛豫体引起的超声弛豫损耗。
- 刘砚章范希庆
- 关键词：石英铝弛豫
- ZnS(110)表面原子几何与电子特性的计算被引量：5
- 1998年
- 用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构，与第一性原理的计算结果进行了比较．讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响．
- 申三国贾瑜马丙现范希庆
- 关键词：半导体硫化锌
- fcc结构过渡金属(100)表面上杂质与吸附原子的相互作用
- 1989年
- 用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。
- 范希庆申三国张德萱
- 关键词：过渡金属吸附原子相互作用
- 硅中Jahn-Teller畸变的双空位超精细相互作用的理论计算
- 1989年
- 采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V_2^+,v_2^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:v_2^+的未配对电子处于能级约为0.3eV的Ag对称态;而V_2^-的电子处于能级约为0.63eV的Bu态;EG1模可能是v_2^+和v_2^-的最优选的畸变.
- 范希庆申三国张德萱
- 关键词：JAHN-TELLER
