申三国
- 作品数：12 被引量：12H指数：3
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- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- Si中B-空位复合缺陷的电子结构
- 1991年
- 本文对Si中B-空位(BV)缺陷的电子结构,提出一个“五个空杂化轨道”的简化理论模型。用紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,算得的空位最近邻原子的超精细相互作用常数,以及电子波函数在远离空位的几率分布都同电子-核子双共振实验结果相符合。理论确定的深能级位置同深能级瞬态谱的实验值相比拟。协调了现有BV°缺陷的实验资料,支持了B原子位于空位的次近邻,BV°缺陷处于B^-V^+电荷态的结论。
- 申三国范希庆
- 关键词：SI电子结构能级
- 硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构
- 1990年
- 本文采用扩展的缺陷势,利用一个紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,确定了磷-空位缺陷的波函数为深能级E的函数,以深能级的实验值为输入参数,得到的波函数定量地描述了EPR和ENDOR实验资料,特别是,理论给出空位的四个近邻原子上的超精细相互作用常数α和b,同实验符合得很好。
- 申三国范希庆
- 关键词：硅磷空位电子结构
- Al表面的多层弛豫——修正嵌入原子势的应用被引量：4
- 1997年
- 利用修正的嵌入原子方法计算了Ａｌ低指数面（１００），（１１０），（１１１）和高指数面（２１０），（２１１），（３１０），（３１１），（３３１）的多层弛豫，所得到的结果都与实验及第一原理计算结果符合得很好．尤其是这种半经验方法给出了与实验结果相符的Ａｌ（１００）和（１１１）表面最外层向外膨胀的理论结果，并提出这种膨胀主要是由于最外层与第二层的键中ｓ态电子增加而ｐ态电子减少引起的．
- 申三国万钧范希庆
- 关键词：金属处理EAM铝
- 硅中四空位扩展的Koster-Slater模型
- 1990年
- 本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V_4^-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η~2及其s特征α~2,和超精细相互作用常数,确定V_4^-处于深能级为0.78eV的A_1对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V_4^-的单个悬挂键上的η~2比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V_4^-的势分布向一侧有较大偏重所致。
- 申三国范希庆张德萱任尚元
- 关键词：硅空位
- GaP中反位缺陷的电子结构
- 1994年
- 本文利用紧束缚的格林函数方法，确定了Ｇａｐ中Ｐ＿（Ｇａ）反位缺陷的波函数为深能级Ｅ的函数。理论给出反位原子上的超精细相互作用常数，同实验符合得很好，定性说明了ＧａＰ中Ｐ＿（Ｇａ）反位缺陷的次近邻原子有向外驰豫的趋势。
- 申三国
- 关键词：半导体电子结构磷化镓
- ZnS(110)表面原子几何与电子特性的计算被引量：5
- 1998年
- 用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构，与第一性原理的计算结果进行了比较．讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响．
- 申三国贾瑜马丙现范希庆
- 关键词：半导体硫化锌
- Cu表面弛豫和自扩散机制的修正嵌入原子法模拟被引量：4
- 1997年
- 利用角度修正的嵌入原子方法研究了Ｃｕ（１００），（１１０），（１１１）和（３１１）等８个面的弛豫，得到了与实验符合较好的结果．然后研究了Ｃｕ（１００）面上的自扩散机制，得到了与实验和局域密度近似计算相符合的结论．
- 万钧申三国范希庆
- 关键词：铜嵌入原子法
- fcc结构过渡金属(100)表面上杂质与吸附原子的相互作用
- 1989年
- 用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。
- 范希庆申三国张德萱
- 关键词：过渡金属吸附原子相互作用
- 硅中Jahn-Teller畸变的双空位超精细相互作用的理论计算
- 1989年
- 采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V_2^+,v_2^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:v_2^+的未配对电子处于能级约为0.3eV的Ag对称态;而V_2^-的电子处于能级约为0.63eV的Bu态;EG1模可能是v_2^+和v_2^-的最优选的畸变.
- 范希庆申三国张德萱
- 关键词：JAHN-TELLER
- 硅中三空位V_3^-的超精细相互作用的理论计算
- 1989年
- 利用Koster-Slater的格林函数方法,计算了硅中三空位v_3^- 的电子态能级和波函数.结果表明,v_X^-在禁带中有五条能级:E_A_2=0.417eV,E_B_1=0.492eV,E凡一0·512ev,民一O.532eV,EB_2~2=0.608eV.根据算得的超精细相互作用常数同实验值的比较,定出v_3^-处于B_1态.V_3^-的B_1态点据第1壳层的几率为60.2％,但主要集中在三空位所确定的平面内的二个原子上.
- 范希庆申三国张德萱任尚元
