许政一
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
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- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 一种测定某些离子导体的导电基本参数的新方法
- 1990年
- 利用低频交变电场在某些离子导体中能引起偏振态改变的光衍射特性,发展了一种测量这些离子导体的导电基本参数的新方法,并且用它测定了α-LiIO_3单晶的基本离子导电参数,测得其载流子的迁移率激活能E_μ=0.36eV;夫仑克耳缺陷的形成能为E_M=0.59eV;300K时正、负载流子的数密度均为1.6×10^(17)Cm^(-3),相对浓度均为1.07×10^(-5);当所加电场反平行于晶体的自发极化强度时(将所加电压记为V_+),有效迁移率为μ_(eff)^+=3.9×10^(-8)cm^2s^(-1)V^(-1);当两者平行时(相应的电压记为V_-)有效迁移率为μ_(eff)^-=3.4×10^(-9)cm^2s^(-1)V^(-1);在交变电场与V_+对应的半周期内,离子至少需要跳跃7步才能在晶体中形成光栅,发生光衍射;而在另半个周期内,离子至少需要跳跃32步才能引起衍射光强的波动部分。
- 许政一凌亚文杨华光
- 关键词：离子导体
- 微重力条件下溶液系统中晶体生长的模拟计算被引量：1
- 1999年
- 我们曾对在微重力条件下溶液系统中的晶体生长作了较系统的模拟计算，本文对此作了总结。详细介绍了计算方法。
- 葛培文许政一霍崇儒朱振和
- 关键词：微重力温度晶体生长
- 离子导体在离子输运状态下的物理特性被引量：1
- 1989年
- 1974年杨桢等发现α-LiIO_3单晶在直流电场作用下,中子衍射强度显著增强现象后,引起了中国物理学家们的强烈兴趣。特别是中国科学院物理研究所的物理学家们研究了离子导体在静电场作用下的介电行为,X射线形貌图,光衍射,喇曼散射,超声衰减等等,观察到了许多新现象,并对这些现象的机制作了理论解释,本文将对这些实验和理论结果作一评述。
- 许政一
- 关键词：离子导体离子输运物理特性
- C向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理
- 文献报道了加c向静电场对α—LiIO单晶喇曼谱的影响。我们加较强的静电场和使入射激光束照射于样品靠近负电极部位作实验,电场对喇曼光谱的影响非常明显,结果可以概括如下: 1、对每一种几何配置,加同号电压
- 杨华光李晨曦许政一
- 文献传递
- 微重力下溶液体系晶体生长的计算模拟研究
- 葛培文霍崇儒许政一朱振和李超荣翟永亮
- 模拟取简化二维模型，充满溶液的矩形液槽一端为源，另一端是晶体，重力取负Y方向；源端和晶体端存在浓度差和温度差。采用差分迭代法计算，对微重力条件下溶液体系开展研究。结果：溶液体系的浓度分布和温度分布随重力水平和方向改变而异...
- 关键词：
- 关键词：微重力晶体生长
- 用热激电导谱确定非晶态半导体能隙态密度的研究被引量：2
- 1989年
- 本文用较完整的热激电导理论分析方法,处理非晶态半导体的热激电导谱,获得a-Si:H薄膜和a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中能隙上半部缺陷态密度的分布。其结果与用Fritzsche的理论分析方法获得的态密度分布一致。进一步比较了两种处理方法的主要特点,讨论了它们的特征参量,最大热发射能级E_m与准费密能级E_q之间的关系。结果证明,a-Si:H热激电导的分析应用弱复合情况处理,热激载流子的再俘获不能忽略。表明Gu等人的理论分析进一步改进了对非晶态半导体热激电导谱的处理。
- 朱美芳许政一
- 关键词：非晶态半导体
- 恒温差和恒浓度差溶液体系在微重力下的晶体生长特性
- 1993年
- 本文用二维模型计算了溶液体系两端保持恒温差和恒浓度差情况下溶液中的浓度和温度分布,以及晶体生长特性。并计算了系统的几何参数和物理参数对浓度、温度分布及晶体生长特性的影响。
- 许政一霍崇儒葛培文
- 关键词：晶体生长微重力
