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谭明秋

作品数:49 被引量:189H指数:8
供职机构:浙江大学物理系物理学系更多>>
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相关领域:理学一般工业技术电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 46篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 41篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 14篇密度泛函
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  • 13篇超导
  • 12篇导体
  • 12篇电子结构
  • 12篇子结构
  • 12篇超导体
  • 11篇密度泛函理论
  • 11篇泛函理论
  • 10篇第一性原理
  • 9篇第一性原理研...
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  • 4篇氧化物
  • 4篇氧化物超导体
  • 4篇再构

机构

  • 47篇浙江大学
  • 6篇上海工程技术...
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  • 2篇温州大学
  • 1篇杭州大学
  • 1篇江苏大学

作者

  • 47篇谭明秋
  • 32篇陶向明
  • 13篇赵新新
  • 9篇陈文斌
  • 8篇蔡建秋
  • 8篇张其瑞
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  • 6篇王劲松
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  • 4篇徐小军
  • 4篇陈鑫
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  • 3篇张酣
  • 3篇何振辉
  • 3篇曾祥华
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  • 3篇王芒芒
  • 3篇宁华
  • 3篇方明虎

传媒

  • 18篇物理学报
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年份

  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 5篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 3篇1995
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
49 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Pt/Cu(001)-p(2×2)-O表面吸附结构的总能计算被引量:2
2009年
采用密度泛函理论(DFT)研究了氧吸附后Pt/Cu(001)表面合金的原子结构和表面性质.计算结果表明,在Pt/Cu(001)-p(2×2)-O表面最稳定结构中,衬底表面原子层不发生再构,氧原子吸附于4重对称的Pt原子谷位,每个氧原子吸附能约为2.303 eV.吸附结构的Cu—O和Pt—O键键长分别为0.202和0.298 nm,氧原子的吸附高度ZCu—O约为0.092 nm.吸附前后Pt/Cu(001)-1ML(monolayer)表面合金的表面功函数分别为4.678和5.355 eV.吸附表面氧原子和衬底的结合主要来自氧原子2p轨道和衬底金属原子d轨道的杂化作用,氧原子吸附形成的表面电子态主要位于费米能级以下约-2.7 eV处.
赵新新陶向明宓一鸣谭明秋
关键词:吸附能电子态密度
高压下ZnSe的电子结构和光学性质被引量:7
2008年
运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同的压强下ZnSe晶体闪锌矿结构,得到了它的平衡晶格常数、总能量、电子态密度分布、能带结构、光反射与吸收系数等性质,详细讨论了高压下ZnSe的电子结构,并且结合实验结果定性地分析了高压下的光学性质.
季正华曾祥华胡永金谭明秋
关键词:闪锌矿结构态密度密度泛函理论
PZT多层薄膜物性的研究被引量:1
1996年
对磁控溅射PZT铁电多层薄膜进行了分析,结果表明:通过对多层薄膜合理的设计和厚度控制,可以改善薄膜的性能,为进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现。制备多层膜较理想的溅射条件是衬底温度Ts=650℃,薄膜子层厚度约为300um,衬底则以MgO(100)单晶、SiO2(100)单晶为佳。结构分析的结果显示出:PZT多层铁电膜中的晶粒排列整齐,颗粒大小均匀,基本上和衬底成定向织构,膜的电畴呈180°。通过比较可以发现,子层厚度及总厚度超薄,膜的介电常数越大,弛豫频率也越高。但薄膜总厚度对多层膜的绝缘性能影响不大,这说明薄膜的绝缘性质主要是由金属-铁电薄膜的界面决定的。在不同的电压下,多层膜的传导性能影响肖特基势垒的穿透和Fowler-Nordheim隧穿。
陶向明谭明秋许宇庆张其瑞
关键词:铁电锆钛酸铅
Cu(100)表面c(2×2)-N原子结构与吸附行为研究被引量:6
2006年
用密度泛函理论的总能计算研究了金属铜(100)面的表面原子结构以及氮原子的c(2×2)吸附状态.研究结果表明:在Cu(100)c(2×2)-N表面系统中,氮原子处于四度配位的空洞(FFH)位置,距离最表面铜原子层的垂直距离为0.20,最短的Cu—N键长度为1.83.结构优化的计算否定了被吸附物导致的表面再构模型,即c(2×2)元胞的两个铜原子在垂直于表面方向发生相对位移,一个铜原子运动到氮原子之上的模型.该吸附表面的功函数约为4.65eV,氮原子的平均吸附能为4.92eV(以孤立氮原子为能量参考点).计算结果还说明,Cu—N杂化形成的表面局域态的位置在费米面以下约1.0eV附近出现,氮原子和第一层以及第二层铜原子均有不同程度的杂化作用.该结果为最近有关该表面的STM图像的争论提供了判据性的第一性原理计算结果.
赵新新陶向明陈文斌陈鑫尚学府谭明秋
LaFeAsO单晶各向异性光学性质的第一性原理研究
2012年
使用密度泛函第一性原理研究了高温超导体LaFeAsO各向异性的光学性质。在描述光学性质的计算原理和计算方法的基础上,计算了LaFeAsO的态密度、光电导谱、反射谱以及电子能量损失谱。光电导谱中,x方向与z方向有着很大差别,在沿x方向的第一个带间吸收峰出现在1.3eV处,沿z方向出现在1.5eV处;在反射谱与电子能量损失谱中,x方向与z方向的特征峰位置在能量较高处都是相互吻合的。分析认为,主要是电子在Fe原子之间的各个态间的跃迁所引起。考虑到温度效应对其光学性质的影响,在计算光学矩阵元时,加入Lorentz展宽δ=0.10eV。本文的研究结果,可为实验制备以及材料性质的研究提供有价值的参考。
尚学府陶向明王亚伟谭明秋
关键词:光学性质密度泛函
高温超导体YBa_2Cu_3O_(7-δ)中的元素替代效应被引量:21
1993年
本文综合约20个 YBa_2Cu_3O_(7-4)的元素替代体系的实验结果,发现:正交晶体结构、氧含量、铜的氧化价态,以及金属-半导体(绝缘体)相变都只是决定Tc的表观因素;存在着CuO_2平面外和CuO_2平面内两类元素替代效应.提出:高温超导体的迁移载流子浓度和CuO_2平面内铜原子之间的动态、短程反铁磁关联程度是决定Tc的两个内禀因素.基于Bi系超导体中有关元素替代效应的实验事实,进一步提出上述结论对各种类型的高温氧化物超导体具有普遍性.
张其瑞许祝安王劲松谭明秋方明虎张酣何振辉
关键词:高TC超导体
C_(60)单晶生长的优化研究
1997年
用晶体生长动力学考察了籽晶法气相生长C60单晶体的生长工艺,得出关键在于处理成核与长大两个因素之间的矛盾。对管状炉的温度场进行了重新设计,将冷端的最低温度点移至合适部位,有效地控制了成核的数目。通过不断地优化实验,经选出恰当的冷、热端温度及生长周期,生长出的C6。单晶的最大钱度超过6mm,且有较高的结晶品质。同一单晶的劳厄像显示出C60的生长暴露面有(111)和(100)两种。
谭明秋徐波齐仲甫李宏年徐亚伯
关键词:富勒烯单晶
3d过渡金属原子单层在Pd(001)表面磁性的第一性原理研究被引量:4
2005年
用第一性原理基础上的超软赝势方法的总能计算,研究了3d过渡金属(Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)在Pd(001)表面的单层p(1×1)和c(2×2)结构的表面磁性和总能.所得结果表明对于Sc,Ti,V和Cr只存在p(1×1)的铁磁性结构,而Mn只有c(2×2)的反铁磁结构存在.Fe,Co和Ni这三种元素上述两种结构都存在,但是总能上p(1×1)的铁磁结构要低些,因此是比较稳定的结构.而Cu和Zn在该表面上的单层中不存在上述两种结构.对于V的p(1×1)铁磁结构,计算得到的每个V原子磁矩为2.41μB,大于用全电子方法得到的0.51μB.两种计算方法得到其他金属原子(Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的表面磁矩比较相近,都比孤立原子磁矩略小.
赵新新陶向明陈文彬蔡建秋谭明秋
氯原子在Cu(111)表面的吸附结构和电子态被引量:1
2009年
密度泛函理论(DFT)总能计算研究了不同覆盖度下氯原子在Cu(111)表面的吸附结构和表面电子态.计算结果表明,清洁Cu(111)表面自由能σ_为15.72 eV/nm^2,表面功函数φ为4.753 eV.在1/4ML和1/3ML覆盖度下,每个氯原子在Cu(111)表面fcc谷位的吸附能分别等于3.278 eV和3.284 eV.在1/2ML覆盖度下,两个紧邻氯原子分别吸附于fcc和hcp谷住,氯原子的平均吸附能为2.631 eV.在1/3ML覆盖度下,fcc和hcp两个位置氯原子的吸附能差值约为2 meV,与正入射X光驻波实验结合蒙特卡罗方法得到结果(<10 meV)基本一致.在1/4ML、1/3ML和1/2ML覆盖度下,吸附后Cu(111)表面的功函数依次为5.263 eV、5.275 eV和5.851 eV.吸附原子和衬底价轨道杂化形成的局域表面电子态位于费米能级以下约1.2 eV、3.6 eV和4.5 eV等处.吸附能和电子结构的计算结果表明,氯原子间的直接作用和表面铜原子紧邻氯原子数目是决定表面结构的两个重要因素.
赵新新陶向明宓一鸣谭明秋
关键词:吸附能电子态密度功函数
Co_2YSn(Y=Ti,Zr)电子结构和轨道磁性的第一性原理研究被引量:4
2007年
基于密度泛函理论(DFT)采用第一性原理的全势能线性缀加平面波(FLAPW)的能带计算方法研究了强磁性Heusler合金Co2TiSn和Co2ZrSn的电子能带结构,在计算中考虑了自旋-轨道藕合(SOC)的修正.计算结果表明两种合金在费米面附近的能带结构是一个d-d电子杂化作用形成的能带.分析计算结果发现Co原子对磁矩有主要的贡献,两种Heusler合金的磁矩是由于Co原子3d eg的自旋劈裂形成的,3deg的自旋向下分量是合金的电子态密度(DOS)的主要来源.由能带计算得到Co2TiSn和Co2ZrSn的自旋磁矩分别为1.97μB和1.96μB,其中Co原子在上述两种合金中的自旋磁矩分别是1.01μB和1.02μB,轨道磁矩分别为0.041μB和0.051μB.
蔡建秋谷温静黄运米张栋谭明秋
关键词:HEUSLER合金电子结构磁矩
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