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邢怀中

作品数:33 被引量:31H指数:3
供职机构:东华大学理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金上海市自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信文化科学机械工程更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 6篇专利

领域

  • 17篇理学
  • 7篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇第一性原理
  • 4篇电子结构
  • 4篇异质结
  • 4篇子结构
  • 4篇掺杂
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 3篇缺陷层
  • 3篇纳米
  • 3篇GAN
  • 3篇磁性
  • 2篇带通滤光片
  • 2篇等离激元
  • 2篇第一性原理研...
  • 2篇电畴
  • 2篇性能稳定
  • 2篇氧化钒薄膜
  • 2篇时域有限
  • 2篇时域有限差分
  • 2篇时域有限差分...

机构

  • 33篇东华大学
  • 7篇中国科学院
  • 2篇广西大学
  • 2篇华东师范大学
  • 2篇黑龙江大学
  • 2篇郑州大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇华东理工大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇上海微伏仪器...
  • 1篇能源技术研究...

作者

  • 33篇邢怀中
  • 6篇陈效双
  • 6篇褚君浩
  • 4篇张蕾
  • 4篇张晓东
  • 4篇徐晓峰
  • 4篇张会媛
  • 3篇梁二军
  • 3篇丁宗玲
  • 2篇徐静
  • 2篇陈少梅
  • 2篇何鑫锋
  • 2篇王基庆
  • 2篇詹亚歌
  • 2篇汪海旸
  • 2篇黄燕
  • 2篇杜西亮
  • 2篇何波
  • 2篇孙家兆
  • 2篇李伟

传媒

  • 9篇红外与毫米波...
  • 3篇物理学报
  • 2篇东华大学学报...
  • 2篇创新教育研究
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇光子学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇第16届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2005
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CO_2激光烧结合成负热膨胀材料Sc_2(MO_4)_3(M=W,Mo)及其拉曼光谱被引量:1
2014年
用CO2激光烧结合成了负热膨胀材料Sc2(WO4)3和Sc2(MoO4)3.实验表明,激光合成负热膨胀材料Sc2(WO4)3和Sc2(MoO4)3属于快速合成技术,合成一个样品的时间仅需几秒到十几秒,具有快速凝固的特征;X射线衍射和拉曼光谱分析表明,所合成的材料为正交相结构,且具有较高的纯度;变温拉曼光谱分析表明,所合成的材料在室温以上没有相变,但可能有微弱的吸水性;在对Sc2O3,Mo O3,WO3,Sc2(MoO4)3和Sc2(WO4)3拉曼光谱分析的基础上,给出了激光光子能量及原料和合成产物的声子能级图,分析了激光烧结合成的机理.激光光子能量转化为激发声子的能量是光热转化的主要通道,原料在熔池中反应并快速凝固形成最终产物.
梁源邢怀中晁明举梁二军
关键词:负热膨胀材料激光烧结拉曼光谱
β-Ga_2O_3及Cr掺杂β-Ga_2O_3电子结构的第一性原理计算被引量:3
2007年
运用第一性原理密度泛函理论(DFT)计算了不同交换关联势下单斜晶系β-Ga2O3的总能量、晶格常数、总态密度、分波态密度及能带结构。理论计算结果表明:单斜晶系β-Ga2O3在局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)下的晶格常数和带隙与实验值基本相符,其中LDA近似得到的晶格常数与实验值更接近;β-Ga2O3比六方晶系结构的α-Ga2O3更加稳定,但带隙比α-Ga2O3略小;Cr掺杂导致β-Ga2O3禁带宽度变小,费米能级处的态密度不为零,即变为半金属。
李伟梁二军邢怀中丁宗玲陈效双
关键词:电子结构第一性原理
Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响
2011年
利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.
张蕾邢怀中黄燕张会媛王基庆
关键词:第一性原理磁性
磷烯π型结构中等离激元诱导透明现象
2021年
磷烯因其层数可调的带隙、高的载流子迁移率及面内各向异性等优点为构建基于二维材料的光电子器件提供了新的选择。用时域有限差分法数值模拟了磷烯π型级联和紧凑结构中的等离激元诱导透明现象,通过改变结构分布及磷烯的费米能级等参数,实现了中红外到远红外的宽范围可调谐等离激元诱导透明。其中,透明窗口数目、强度以及位置均实现了灵活调制。此外,研究了诱导透明窗口对偏振角敏感的特性。所得结果为开发基于磷烯等离激元的生物传感器、光电探测器及光开关等提供了参考。
许鼎炀韩利邢怀中褚君浩
关键词:红外物理时域有限差分法表面等离激元
硼掺杂的纳米管MOSFET的髙电导特性研究
利用场依赖的迁移率模型的二维数值模拟,对硼掺杂的纳米管MOSFET的输运特性进行了研究。研究结果表明B 掺杂浓度越高,导电性越好;这主要来源于高浓度的掺杂提高了导电的载流子浓度,从而提高了迁移率。另外,纳米管Si 壳层的...
王捷吟邢怀中曾宜杰
关键词:MOSFET纳米管B掺杂输运特性
PbS电子结构的第一性原理被引量:2
2008年
基于第一性原理平面波赝势方法,采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)等不同的交换关联势,分别计算了闪锌矿(ZnS)结构、面心(NaCl)结构和体心(CsCl)结构PbS的总能,给出了体系平衡时的晶格常数.讨论了不同交换关联势(DECP)对能带结构、态密度(DOS)、分态密度及带隙的影响.3种结构PbS能量的计算结果表明,面心结构PbS较体心结构及闪锌矿结构更稳定.
丁宗玲郭英邢怀中李伟陈效双
关键词:PBS
ZnSe/Si异质结纳米线的构造及其电子性质研究
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了不同掺杂浓度下的ZnSe/Si异质结纳米线结构的稳定性和电子性质,其主要结论如下:首先,文章构建了ZnSe/Si异质结纳米线模型,对含有表面悬挂键和使用氢原子钝化表面悬挂键两种...
邢怀中曾宜杰
氮化镓纳米带边缘氢化和氟化的第一性原理研究
本文利用第一性原理方法计算了边缘氢化和氟化的锯齿型GaN 纳米带(zGaNNRs)的电学和磁学特性。文中讨论五种氢化结构和四种氟化结构,不同的结构展现了不同的电学和磁学性质。结果 表明两个氢原子或者两个氟原子钝化镓原子边...
李颂邢怀中黄燕陈效双
关键词:氢化氟化铁磁性第一性原理
提高以导电氧化物为底电极的铁电薄膜抗疲劳特性的方法
本发明提供了一种更进一步提高以导电氧化物为底电极的铁电薄膜抗疲劳特性的方法,其方法为:在衬底利用溅射沉积薄膜工艺形成金属氧化物薄膜/衬底基片,再形成铁电薄膜/金属氧化物薄膜/衬底基片,然后,在铁电薄膜上再沉积一层CFO,...
张晓东褚君浩邢怀中
文献传递
复合型人才需求背景下工科类研究生培养改革初探及效果分析被引量:3
2021年
随着新兴学科、交叉学科的不断出现,当今社会和科技发展越来越需要交叉型、复合型的优秀人才。工科类研究生需要满足社会和科技发展的这些需求,并符合国家重大发展战略工程的需求。因此,研究生培养单位需要系统地培养学生,以使其掌握跨学科跨专业的基础知识并具备较多方面的解决实际问题的能力,达到所设计的培养目标。我校工科类研究生(以东华大学光学工程研究生为例)结合综合类院校自身优势和办学特点,立足上海和长三角地区相关高新技术研究和行业发展需求,抓住上海科创中心建设的机会,在光学工程类研究生培养上实现了一定的突破,进行了初步培养模式和培养方案的改革,产生了一定的效果。
詹亚歌邢怀中
关键词:工科类研究生
共4页<1234>
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