张会媛
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响
- 2011年
- 利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.
- 张蕾邢怀中黄燕张会媛王基庆
- 关键词：第一性原理磁性
- Ga/N共掺杂对InSb电子结构的影响被引量：3
- 2012年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,研究了Ga和N共掺杂闪锌矿InSb半导体的电子结构和电子性质.研究发现单独掺杂Ga或N对InSb带隙的影响较小.在共掺杂Ga/N的情况下,当Ga/N浓度增加时对InSb的带隙影响明显.这些理论结果对半导体材料的能带工程提供了一定的参考价值.
- 张会媛邢怀中张蕾
- 关键词：电子结构INSB
- 氮掺杂对InSb电子结构的影响
- 基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对N掺杂闪锌矿结构InSb晶体的电子结构和电子性质进行了研究.研究发现掺N后体系的晶格常数明显减小,体系总能量降低,掺杂后带隙随着N含量的增加而略有变化.
- 张会媛邢怀中张蕾
- 关键词：ELECTRONICSTRUCTUREN-DOPINGINSB
- ZnSe/Si异质结纳米线的研究
- 半导体异质结纳米线由于其独特的形貌结构和不同于体材料的优异特性,已成为当今纳米材料科学研究的热点之一。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,使用CASTEP软件研究了不同掺杂浓度下的ZnSe/Si异质结纳米...
- 张会媛
- 关键词：第一性原理异质结纳米线电子结构
- 文献传递
- Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响
- 第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭,仅为0.4μB.该理论结果对实验有指导意义.
- 张蕾邢怀中张会媛
- 关键词：FIRSTPRINCIPLESMAGNETISM
