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陈兴

作品数：76 被引量：130H指数：7
供职机构：合肥工业大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划安徽省科技攻关计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇专利
  • 35篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 32篇自动化与计算...
  • 15篇电子电信
  • 10篇一般工业技术
  • 4篇化学工程
  • 4篇机械工程
  • 4篇理学
  • 3篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 35篇感器
  • 35篇传感
  • 35篇传感器
  • 18篇加速度
  • 14篇速度传感器
  • 14篇加速度传感器
  • 8篇压力传感器
  • 8篇力传感器
  • 8篇MEMS
  • 7篇电容式
  • 7篇多孔硅
  • 7篇谐振式压力传...
  • 6篇探测器
  • 6篇MEMS加速...
  • 5篇压阻
  • 5篇微电子
  • 5篇微电子机械
  • 5篇微电子机械系...
  • 5篇洛伦兹
  • 5篇洛伦兹力

机构

  • 76篇合肥工业大学
  • 3篇合肥科盛微电...
  • 2篇中国兵器工业...
  • 1篇中国科学院等...

作者

  • 76篇陈兴
  • 71篇许高斌
  • 56篇马渊明
  • 8篇于永强
  • 6篇陈士荣
  • 5篇卢翌
  • 5篇汪祖民
  • 4篇常永嘉
  • 4篇李坤
  • 3篇王鹏
  • 3篇周琪
  • 3篇王琪
  • 3篇张胜兵
  • 3篇王鹏
  • 3篇朱华铭
  • 2篇李凌宇
  • 2篇张宇
  • 2篇展明浩
  • 2篇李一方
  • 2篇徐艳

传媒

  • 6篇电子测量与仪...
  • 5篇真空科学与技...
  • 4篇合肥工业大学...
  • 3篇电子科技
  • 3篇仪表技术与传...
  • 3篇传感技术学报
  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇通信电源技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇中国微米纳米...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 9篇2021
  • 12篇2020
  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 7篇2016
  • 3篇2015
  • 6篇2014
  • 6篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
共 76 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单片集成CMOS MEMS三轴电容式加速度传感器
基于CMOS MEMS工艺设计一种单片集成三轴电容式加速度传感器.传感器的X、Y轴敏感单元采用多层金属对称的水平定齿动齿均置式,Z轴敏感单元采用多层金属交错梳齿结构,该结构有效地解决了三轴间的交叉耦合问题,较好地提高了系...
段宝明许高斌陈兴
关键词：电容式加速度传感器谐振频率灵敏度有限元模拟
文献传递
一种用于强磁场测量的梳齿状微传感器及制备方法
本发明涉及一种用于强磁场测量的梳齿状微传感器。包括依次连接的基底、传感器本体和封盖，其中传感器本体分为主体、一对测量电极体和一对驱动电极体三部分，一对测量电极体位于主体X方向的两侧，一对驱动电极体在主体Y方向两侧，且分别...
许高斌王月媖陈兴马渊明李坤
文献传递
基于RF MEMS开关的4位分布式移相器的设计被引量：1
2016年
RF MEMS移相器与传统移相器相比,具有低损耗、频带宽、微型化,同时与IC、MMIC电路易于集成等特点,文中设计一种Ka波段DMTL型RF MEMS移相器,采用了15个MEMS电容式并联开关,同时在MEMS开关中加入MIM电容,实现了4位相移。文中对Ka波段4位RF MEMS移相器进行设计与分析,通过MEMS开关的切换实现信号延迟通路,0-180°步进22.5°的相移功能。通过改变驱动电压从而调整MEMS桥的高度,仿真测得开关理论下压电压为18.9 V。仿真结果表明在中心频率31 GHz时,其插入损耗大于-2.2 d B,回波损耗小于-25 d B,相移误差在1.5°范围内,移相器具有较好的移相性能。
李勇许高斌陈兴马渊明
关键词：MEMS开关微电子机械系统KA波段移相器
表面工艺多层薄膜热扩散系统在线测试分析
提出了一种可实现对多层薄膜热扩散系统在线提取的简单电学测试方法.测试可以在自然环境下进行，只需实验室常用的数字示波器和探针测试台。该测试结构中含有与待测n层薄膜相同的n组测试结构阵列，每组测试结构含有两个长度不同，宽度与...
许高斌陈兴王鹏张平
文献传递
具有连续反量子点的石墨烯纳米带中纯自旋流的实现被引量：1
2021年
热自旋电子学结合了热电子学和自旋电子学二者的优势,在构建高速、低能耗器件技术上具有广泛的应用前景.本文基于密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,研究了在铁磁态石墨烯纳米带中沿带宽方向引入连续反量子点(六元环缺陷)以获得纯自旋流的模型.计算发现,在纳米带的单边引入反量子点会破坏纳米带结构的完整性,导致器件的透射谱在费米能级附近呈现"X"形交叉.在温度场下,不同自旋的电子朝相反方向流动,形成了自旋流和电荷流,并且通过微调器件的化学势可以获得电荷流为0,自旋流不为0的纯自旋流.结果表明,对于具有W条链宽的锯齿型石墨烯纳米带,当沿纳米带带宽方向连续引入反量子点数满足(W/2-1)时,即可获得最大的纯自旋流,这一研究结果为设计基于石墨烯纳米带的纯自旋流器件提供了有力的理论依据.
陈兴赵晗张艳刘露杨志宏宋玲玲
关键词：密度泛函理论
高深宽比的TSV制作与填充技术被引量：4
2016年
硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD工艺在通孔内沉积的重掺杂多晶硅作为电极引线实现电气互连,并对通孔进行了电阻特性的测试,测试结果表明,通孔阻值约为25Ω,通孔互连的电学特性较好。
余成昇许高斌陈兴马渊明展明浩
关键词：ICP刻蚀LPCVD高深宽比
一种光学式MEMS加速度传感器及其制备方法
本发明属于微电子机械系统的技术领域，具体涉及一种光学式MEMS加速度传感器及其制备方法。包括依次连接的光源发射层、敏感层和检测层；光源发射层的底面开设下凹槽，下凹槽的中间安装有圆形的半导体红外光源；敏感层包括方形外框和长...
许高斌花翔杜林云马渊明陈兴
文献传递
一种单片集成CMOS MEMS多层金属三轴电容式加速度传感器及制备方法
针对现有结构的电容式加速度传感器在结构上和制备工艺上的上述不足，本发明提供一种单片集成三轴加速度传感器及其制备方法。通过在Z轴向上淀积三层金属Al薄膜形成梳齿对敏感电极；在X轴向、Y轴向上淀积四层金属Al/SiO<Sub...
许高斌陈兴朱华铭段宝明
一种用于激光雷达的双层梳齿驱动MEMS扫描镜及制备方法
本发明涉及微机电技术领域，具体涉及用于激光雷达的双层梳齿驱动MEMS扫描镜及制备方法。MEMS扫描镜包括透明的玻璃盖帽、旋转扫描镜本体和硅基底；旋转扫描镜本体包括包括方形的微镜、第一S型扭转梁、第二S型扭转梁、长方形的内...
许高斌杜林云花翔马渊明陈兴于永强
文献传递
一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法
本发明属于微机电系统MEMS技术领域，具体涉及一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法。红外探测器由下至上依次包括衬底层、牺牲层、支撑层、圆形吸收区和热电堆；热电堆包括若干根热电偶，若干根热电偶依次电气串联，且中心对称均匀...
许高斌杨朝晖陈士荣陈兴马渊明王琪李海生
文献传递
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