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陈晃毓

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：南京邮电大学更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 2篇记录层
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇数据记录
  • 1篇热分解
  • 1篇无毒
  • 1篇金属
  • 1篇环境友好
  • 1篇基板
  • 1篇溅射
  • 1篇光存储
  • 1篇光存储器
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇过渡金属
  • 1篇波导
  • 1篇磁控

机构

  • 3篇南京邮电大学

作者

  • 3篇陈晃毓
  • 2篇赵晋阳
  • 2篇李兴鳌
  • 2篇潘聪
  • 2篇杨涛
  • 2篇王志姣
  • 2篇李晓峰
  • 1篇黄维
  • 1篇杨建平

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘及其制造方法
本发明是一种基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘及其制造方法，该双面光盘主要分为五层，依次包括第一基板（1）、第一记录层（2）、吸收层（3）、第二记录层（4）和第二基板（5）；第一基板（1）和第二基板（5）分别是光盘的第一...
李兴鳌赵晋阳李晓峰陈晃毓潘聪王志姣杨涛杨建平黄维
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3d过渡金属掺杂氮化铜的第一性原理研究
氮化铜（Cu3N）薄膜是一种在常温下处于亚稳态的半导体材料。它的热分解温度仅为300-450℃，有较高的电阻率以及在红外光和可见光波段有较低的反射率，已成为日前光电存储和电子集成领域中倍受人们青睐的新材料。Cu3N晶胞属...
陈晃毓
关键词：过渡金属第一性原理电学性质光学性质
文献传递
基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器及其制造方法
本发明是一种基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器的制造方法，具体制备方法为：a.选择稳定性强的透明材料为基底，利用磁控溅射的方法制备出氮化铜薄膜；b.在完成上一步后，将镀有氮化铜薄膜的基底加工成所需的尺寸和形状，基...
李兴鳌赵晋阳李晓峰陈晃毓杨涛潘聪王志姣孙俊冬
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