高航
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 低功耗VDMOS器件用硅外延片工艺研究被引量：2
- 2014年
- 文章采用化学气相沉积方法（CVD）在6英寸〈100〉晶向的重掺Sb硅衬底（0．01～O．02Ωｃｍ）上生长N／N＋型硅外延片，采用SRＰ扩展电阻测试测试外延层过渡区宽度，傅里叶光谱仪测试外延层厚度，cv 汞探针测试仪测试外延层电阻率；制备外延层厚度56μm、电阻率1312·ｃｍ的硅外延片，并通过展宽外延层过渡区由4μm增长至13μｍ，有效降低外延片串联电阻，从而实现VDMOS器件的导通电阻由4．37Ω降低至3．59Ω，VDMOS器件导通电阻降幅达到17．85％.
- 高航王文林薛兵李扬李明达
- 关键词：VDMOS
- 非晶合金宇航服役热环境下蠕变行为研究被引量：1
- 2021年
- 通过宏观尺度蠕变实验,在宇航服役环境范围内,对锆基非晶合金蠕变行为进行了研究。结果表明,在200℃时,非晶合金未发生显著的压缩蠕变,其长期变形比率与自由体积的增值数值变化存在表观一致,说明自由体积作为孕育形成剪切带的初始结构单元,在非晶合金蠕变变形中具有重要作用。在300℃时,非晶合金在低于屈服强度和玻璃转变温度的条件下,发生了显著的压缩和拉伸蠕变,实验结果给出了在宇航热环境下非晶合金的可靠服役热环境边界和载荷包络。锆基非晶合金服役温度不超过200℃,载荷不超过1000 MPa。
- 秦怀德高航冯晨马赟汪洋李岩
- 关键词：非晶合金蠕变自由体积
- CCD成像器件用P型外延材料的工艺研究被引量：4
- 2014年
- CCD成像器件作为大面阵高集成度器件,对外延材料的均匀性,特别是P型材料的电阻率均匀性,提出更高要求。本文主要介绍了CCD成像器件用硅外延片的一种实用生产工艺,利用PE-3061D平板式外延炉在6英寸、<100>晶向、电阻率小于0.02Ω·cm的重掺B硅衬底上化学气相沉积(CVD)所需硅外延层。通过C-V测试方法对外延材料的电阻率均匀性进行测试分析,通过变流量吹扫和提高赶气温度的工艺方法显著提高外延材料的均匀性,最终得到满足CCD成像器件设计要求的P/P+结构硅外延片。
- 李杨王文林薛兵高航
- 关键词：硅外延片
- 双极型晶体管用常压埋层硅外延的图形完整性研究
- 2023年
- 阐述埋层硅外延片作为当今双极型晶体管的关键战略材料,应用价值显著。但是相比常规无图案的抛光片外延,埋层硅外延制备工艺受制于外延均匀性、表面质量等参数制约,难度显著增加。基于<111>晶向的埋层硅外延将与<110>定位面垂直的方向发生图形漂移,而且反应副产物HCl会腐蚀硅片表面,图形台阶处因为取向不同,使各方向腐蚀速率不同产生图形畸变,导致光刻工艺下的对位标记无法进行。本文解释了外延生长过程中图形漂移和畸变原理,验证了生长温度、反应速率对图形漂移和畸变的影响,通过优化外延工艺参数,严格控制生产工艺,可以满足埋设层外延工艺的特殊要求,最终成功在常压状态下控制了图形漂移和畸变。
- 高航李明达
- 关键词：硅外延埋层
- 150mm NN+结构的外延材料厚度与电阻率分布控制工艺研究
- 2023年
- 阐述利用150mm直径的重掺杂硅抛光片,外延生长N/N+结构的厚层高阻外延层,通过流场结构以及热场结构的设计与实施,并与外延层厚度、电阻率均匀性的交互作用规律相结合,通过傅立叶变换红外线光谱分析仪(FT-IR)、电容-电压测试仪(C-V)等测试设备对外延厚度和电阻率参数进行了分析,得到了一种不均匀性<2%的外延层。结果显示,随着两边的气流的增大,外延层的参考平边厚度也随之增大,而平均厚度则降低了。随着径向温度偏差的降低,外延层的电阻率与厚度不均匀性有显著的提高。采用这种趋势特点,通过对气流场和热场结构的制备,得到了外延层的电阻率和厚度不均匀性的显著改善。
- 高航李明达
- 关键词：硅外延功率器件厚度电阻率
