王文林
- 作品数：12 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 低功耗VDMOS器件用硅外延片工艺研究被引量：2
- 2014年
- 文章采用化学气相沉积方法（CVD）在6英寸〈100〉晶向的重掺Sb硅衬底（0．01～O．02Ωｃｍ）上生长N／N＋型硅外延片，采用SRＰ扩展电阻测试测试外延层过渡区宽度，傅里叶光谱仪测试外延层厚度，cv 汞探针测试仪测试外延层电阻率；制备外延层厚度56μm、电阻率1312·ｃｍ的硅外延片，并通过展宽外延层过渡区由4μm增长至13μｍ，有效降低外延片串联电阻，从而实现VDMOS器件的导通电阻由4．37Ω降低至3．59Ω，VDMOS器件导通电阻降幅达到17．85％.
- 高航王文林薛兵李扬李明达
- 关键词：VDMOS
- 外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响
- 2014年
- 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在6英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长厚度11μm、电阻率1.6Ω·cm的N/N+型硅外延片,作为100V肖特基二极管的衬底材料;实验中,利用SRP、FTIR、CV等测试方法,对材料的电学参数、几何参数以及过渡区形貌进行了测试分析,通过对比不同过渡区结构对肖特基器件I-V特性的影响,总结出外延过渡区与肖特基二极管I-V特性的对应关系,作为材料制备的理论支撑。
- 陈涛王文林薛兵
- 关键词：硅外延片肖特基二极管过渡区I-V特性
- CCD成像器件用P型外延材料的工艺研究被引量：4
- 2014年
- CCD成像器件作为大面阵高集成度器件,对外延材料的均匀性,特别是P型材料的电阻率均匀性,提出更高要求。本文主要介绍了CCD成像器件用硅外延片的一种实用生产工艺,利用PE-3061D平板式外延炉在6英寸、<100>晶向、电阻率小于0.02Ω·cm的重掺B硅衬底上化学气相沉积(CVD)所需硅外延层。通过C-V测试方法对外延材料的电阻率均匀性进行测试分析,通过变流量吹扫和提高赶气温度的工艺方法显著提高外延材料的均匀性,最终得到满足CCD成像器件设计要求的P/P+结构硅外延片。
- 李杨王文林薛兵高航
- 关键词：硅外延片
- 桶式外延炉吹扫工艺改善外延层电阻率均匀性的研究被引量：1
- 2013年
- 随着硅外延片在器件制造领域应用的不断扩展,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是准确控制外延层电阻率及其均匀性。由于衬底自掺杂与系统杂质因素的影响,使得外延层电阻率的控制十分困难,同时电阻率均匀性也大大降低。通过对外延生长过程中外延层表面气体边界层的原理进行分析,提出了变流量吹扫工艺,减少边界层中杂质浓度,制备出电阻率均匀性好的外延片。
- 王文林薛兵殷海丰
- 关键词：硅外延边界层自掺杂
- 大位移量、高弹性模量压电陶瓷材料的制备与研究被引量：1
- 2015年
- 本文主要采用固相反应制备了0.7PZT-(0.3-x)PNN-xPZN多元系压电陶瓷材料。通过X射线衍射法(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电子色散谱仪(EDS)研究了该体系压电陶瓷的晶体结构、断面形貌和成分组成。采用准静态d33/d31测量仪和阻抗分析仪测量压电陶瓷片的压电应变常数d33和d31、弹性柔顺系数SE11以及其它的性能参数。同时,研究了硬性掺杂、碱金属掺杂及Ti/Zr比值变化对压电陶瓷材料性能的影响规律,摸索制备大位移量、高弹性模量压电陶瓷材料的方法。
- 闫锋郇正利王文林
- 关键词：激光陀螺压电陶瓷大位移压电性能
- 激光陀螺用压电陶瓷材料的制备与研究被引量：1
- 2015年
- 通过文献调研设计了压电陶瓷配方,使用传统固相法制备目标压电陶瓷以达到大应变要求,以应用于激光陀螺激光稳频器中,通过r（Zr）/r（Ti）系列实验可得r（Zr）/r（Ti）=46/54组成在1 180℃烧结时获得最佳的压电介电性能,即压电常数d33≈640pC/N,弹性刚度系数cE11=60.61GPa,相对介电常数εT33/ε0≈3 300,介电损耗tanδ≈1.85%,机电耦合系数kp=0.655,居里温度TC=272℃。X线衍射（XRD）分析确认相界组成为r（Zr）/r（Ti）=46/54,扫描电镜（SEM）表明烧结温度对陶瓷晶粒尺寸有显著影响,在1 180～1 200℃之间晶粒尺寸显著增大。
- 郇正利闫锋王文林
- 关键词：大应变居里温度晶粒尺寸
- N型高阻外延材料制备
- 2015年
- 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用桶式外延炉,在4英寸<100>晶向,2×10-2Ω·cm重掺Sb衬底上,生长厚度50μm、电阻率>1000Ω·cm的N/N+型硅外延片,作为高灵敏度光电探测器的衬底材料;实验中,利用SRP、FTIR等测试方法,对材料的电学参数、几何参数以及过渡区形貌进行了测试分析,通过纯化原料、增强吹扫、洁净腔体等手段提高了材料的电阻率,优化了过渡区形貌,从而改善了器件的反向漏电特性。
- 王文林陈涛李明达
- 关键词：硅外延片光电探测器电阻率过渡区漏电流
- 复合离子(NaCe)取代SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的介电、铁电、压电特性研究
- 2019年
- 利用普通陶瓷工艺制备了A位复合离子(NaCe)取代的Sr_(1-)_x(NaCe)_x_(/2)Bi_4Ti_4O_(15)(x=0.00～0.20)压电陶瓷,研究了(NaCe)对SrBi_4Ti_4O_(15)(SBT)陶瓷的介电、铁电和压电特性的影响。研究表明,复合离子(NaCe)的取代降低了SBT陶瓷的介电损耗tanδ,降低了SBT陶瓷的矫顽电场E_c,提高了SBT陶瓷的压电系数d_(33)。纯的SBT压电陶瓷的矫顽场E_c=94 kV/cm,复合离子(NaCe)取代的SBT-NaCe(x=0.10)陶瓷的矫顽场E_c=70 kV/cm。随着复合离子(NaCe)含量的增加,SBT的压电性能先增加,然后减小。在x=0.10组分处,SBT-NaCe(x=0.10)陶瓷具有最大的压电系数d_(33)=28 pC/N,约为纯的SBT陶瓷压电系数(d_(33)约15 pC/N)的两倍,其居里温度T_C为510℃。复合离子(NaCe)取代SBT陶瓷压电性能的提高归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的矫顽电场,使得SBT压电陶瓷更容易极化,从而发挥其潜在的压电性能。同时,压电性能的提高还归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的介电损耗和漏电流。材料的退火实验表明:复合离子(NaCe)取代的SrBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷在400℃以下具有较好的压电性能温度稳定性。
- 郇正利闫锋王文林陆宏婷王春明
- 关键词：铁电体压电系数
