黄华
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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- 一种噪声系数为1.4dB的S波段MMIC低噪声放大器
- 2007年
- 报道了一种可直接应用于无线接收系统前端的具有较低噪声系数和较高相关增益的MMIC低噪声放大器,该低噪声放大器采用0.50μm GaAs PHEMT工艺技术制作.电路设计采用两级级联结构,为减小电路面积采用集总参数元件匹配电路,并用ADS软件仿真无源元件寄生效应.电路测试结果表明:在2.8～3.5GHz频段内噪声系数低于1.4dB,同时相关增益大于25dB,增益平坦度小于0.5dB,输入输出反射损耗小于-10dB.
- 黄华张海英杨浩尹军舰叶甜春
- 关键词：微波单片集成电路低噪声放大器赝配高电子迁移率晶体管S波段
- 一种极低噪声高增益微波单片低噪声放大器(英文)
- 2006年
- 报道了一种用于卫星通讯系统，基于0．5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器．采用集总参数元件来缩小电路面积进而在整个芯片内完成阻抗匹配．在500端口测试条件下，该低噪声放大器在3．5～4．3GHz频率范围内，噪声系数小于0．9dB，增益大于26dB，回波损耗小于一10dB、这是至今为止报道的增益高于20dB的低噪声放大器中具有最小噪声系数的微波单片低噪声放大器，它主要归因于采用具有优异噪声性能的增强型腰配高电子迁移率晶体管以及本文提出的源极串联电感结合漏极应用一个小的稳定电阻来减小输入匹配网络寄生电阻的电路结构．
- 黄华张海英杨浩尹军舰朱旻叶甜春
- 关键词：低噪声放大器微波单片集成电路
- 一种LTCC带通滤波器的设计与实现被引量：2
- 2008年
- 设计并实现了一个2阶切比雪夫带通滤波器,采用1/4波长终端短路线作为谐振腔,谐振腔间采用电容耦合实现导纳转换,来达到减小体积的目的。给出了适用于工程应用的设计步骤以及设计公式,滤波器的实际实现采用LTCC技术,结合三维电磁场仿真,设计出一种高抑制、低插损的滤波器,该滤波器中心频率为4 GHz、带宽为400 MHz,插入损耗小于2.3dB。可以广泛应用于导航和通信系统电路中。
- 孙肖磊黄华朱旻张海英刘会东
- 关键词：低温共烧陶瓷滤波器谐振腔插入损耗
- 用于Ka波段卫星通信系统的LTCC滤波器
- 2009年
- 通过对自主设计流片的Ka波段LTCC滤波器的分析,总结出了一套行之有效的Ka波段LTCC模块的设计方法。试验结果表明,这种将电磁场仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,其最终测试结果为在26～30GHz的4GHz带宽范围内带内损耗为1.3dB,输入输出驻波均小于1.5dB。
- 朱旻黄华张海英
- 关键词：滤波器KA波段收发系统
- 2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器被引量：1
- 2007年
- 报道了基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器,详细介绍和分析了低噪声放大器的器件基础和设计原理,设计采用源极串联电感负反馈方法使输入阻抗共轭匹配和最小噪声匹配趋于一致,偏置网络采用自偏置栅压、单电源供电,并用ADS软件仿真。电路评估板选用Rogers RO4350B,在2.8～4.2GHz频段内测得增益大于20dB、增益平坦度小于2.5dB、噪声系数小于2.3dB、输入输出驻波比小于2.0。
- 黄华陈晓哲刘亮陈立强张健张海英
- 关键词：低噪声放大器微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管
- Ka波段单片低噪声放大器被引量：4
- 2007年
- 利用0.25μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级联结构.利用微带电路实现输入、输出和级间匹配.通过对电路增益、噪声系数和驻波比等指标进行多目标优化,确定了器件参数.该放大器测试结果为：26.5-36 GHz频段内增益大于20 dB;多数测试点噪声系数小于3 dB,其中34 GHz频点噪声仅为1.94 dB;芯片面积2.88 mm×1 mm.
- 杨浩黄华郝明丽陈立强张海英
- 关键词：微波单片集成电路低噪声放大器赝配高电子迁移率晶体管微带电路
