陈立强
- 作品数：15 被引量：14H指数：2
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- 一种可编程的2·4GHz CMOS多模分频器(英文)被引量：1
- 2008年
- 采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种多模分频器.该多模分频器由一个除4或5的预分频器和一个除128 ～255多模分频器在同一芯片上连接而成;在电路设计中,分析了预分频器功耗和速度之间的折中关系,根据每级单元电路的输入频率不同对128 ～255多模分频器采用了功耗优化技术;对整个芯片的输入输出PAD进行了ESD保护设计;该分频器在单端信号输入情况下可以工作到2.4GHz ,在差分信号输入下可以工作到2.6GHz以上;在3 .3 V电源电压下,双模预分频器的工作电流为11 mA,多模分频器的工作电流为17 mA;不包括PAD的芯片核心区域面积为0.65 mm×0.3 mm.该可编程多模分频器可以用于2.4GHz ISM频段锁相环式频率综合器.
- 李志强陈立强张健张海英
- 关键词：预分频器分频器多模频率综合器
- 4～8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器
- 2008年
- 介绍了一种基于GaAs HBT的双平衡混频器。该混频器将射频、本振有源Balun集成其中,在RF和LO输入端分别采用不同的LC网络实现宽带的阻抗匹配。跨导级和开关单元之间采用交流耦合,并通过带宽扩展技术实现频带内的增益平坦。测量结果显示,该混频器匹配良好,射频端口S11在3～10GHz频带内小于-10dB。在固定中频200MHz情况下测试,在4～8GHz射频频带内,平均增益10dB,波动小于1dB,中频输出端口对射频信号的隔离度优于25dB,对本振信号的隔离度优于28dB;本振-射频端口隔离度优于32dB。在3.3V直流电压下测得的功耗为66mW。
- 张健张海英陈立强李志强陈普峰
- 关键词：GAASHBT混频器带宽扩展
- C波段宽带GaAs HBT单片双平衡混频器
- 介绍了一种基于GaAs HBT的双平衡混频器。该混频器将射频、本振有源Balun集成其中,在RF和LO输入端分别采用不同的LC网络实现宽带的阻抗匹配。跨导级和开关单元之间采用交流耦合,并通过带宽扩展技术实现频带内的增益平...
- 张健张海英陈立强李志强陈普峰
- 关键词：混频器阻抗匹配
- 一种高增益平坦度MMIC功放单片的调试方法被引量：2
- 2007年
- 通过对自主流片的MMIC功率放大器单片的调试,总结出了一套行之有效的MMIC的调试方法.试验结果表明这种将电路仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,对于以后MMIC电路特别是功放的电路的调试工作起到了一定指导作用.
- 朱旻梁晓新陈立强郝明丽张海英刘训春
- 关键词：功放HBTMMIC
- InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究被引量：1
- 2005年
- 对InP基PHEMT的源漏欧姆接触低温合金化工艺进行了研究,与常规的合金工艺不同,通过在低温下进行合金化,并采用金属面倒置和快速热退火的办法,制成了比接触电阻为1.26×10-3Ω·cm2 形貌良好的欧姆接触。避免了PHEMT各层化合物半导体之间的相互作用和分解,以及能带结构变化引起的二维电子气退化,也大大减弱了高温带来的肖特基势垒层中的杂质元素往沟道内扩散引起二维电子气迁移率下降的问题。
- 李潇张海英李海鸥尹军舰刘亮陈立强
- 关键词：磷化铟低温合金欧姆接触
- 应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器(英文)被引量：1
- 2008年
- 报道了用于TD-SCDMA移动终端的高效率、高线性度HBT功率放大器的研制.该单片功率放大器采用两级放大结构,内部集成了输入匹配、级间匹配网络以及有源偏置电路,总芯片面积仅为0.91mm×0.98mm.该功率放大器采用单电源3.4V供电,在高、低功率模式下,PAE分别为43%和16%,增益达到了28.5以及24dB.当输入QPSK调制信号时,在低输出功率以及高输出功率状态下,1.6MHz/3.2MHz中心频偏处,ACPR分别低于-45dBc/-56dBc和-39dBc/-50dBc.本芯片尺寸小,电压稳定性高,性能优越,为低成本化的大规模生产提供了可能性.
- 毕晓君张海英陈立强黄清华
- 关键词：TD-SCDMA功率放大器INGAP/GAASHBT功率附加效率
- 面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器(英文)被引量：1
- 2007年
- 介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17～4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为-112dBc/Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为0～2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为-173.2dBc/Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法.
- 陈立强张健李志强陈普锋张海英
- 关键词：压控振荡器单片微波集成电路无线通信
- 截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT(英文)被引量：2
- 2005年
- 报道了具有良好直流特性的晶格匹配 InP基 HEMT,器件的跨导为 600mS/mm,阈值电压为-1 2V,最大电流密度为500mA/mm,截止频率为120GHz.
- 陈立强张海英尹军舰钱鹤牛洁斌
- 关键词：截止频率INALAS/INGAASINP
- 基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器(英文)被引量：1
- 2008年
- 介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS的整数N频率综合器.通过采用不同工艺来实现不同模块,实现了一个具有良好的杂散和相噪性能的高纯度频率综合器.除环路滤波器外所有的部件均采用差分电路结构.为了进一步减小相位噪声,压控振荡器中采用绑定线来形成谐振.该频率综合器可在2.39-2.72GHz的频率范围内输出功率0dBm.在100kHz频偏处测得的相位噪声为-95dBc/Hz,在1MHz频偏处测得的相位噪声为-116dBc/Hz.参考频率处杂散小于-72dBc.在3V的工作电压下,包括输出驱动级在内的整个芯片消耗60mA电流.
- 张健李志强陈立强陈普峰张海英
- 关键词：SIGEBICMOS环路带宽
- 一种InGaP/GaAs HBT高速预分频器MMIC被引量：2
- 2007年
- 采用Foundry提供的InGaP/GaAs HBT工艺设计了一种数字静态除2高速预分频器MMIC.流片测试结果与仿真结果基本吻合,最高工作频率高于仿真结果.设计过程在速度和功耗之间进行了折中,并且考虑了自谐振频率对电路的影响.测试结果显示:在5V电源电压下,该预分频器静态电流为60mA,最高工作频率达到15GHz,自谐振频率为19.79GHz.该MMIC可以直接应用到S-X波段射频微波系统中.
- 李志强张海英陈立强张健朱旻尹军舰
- 关键词：MMICGAASHBT预分频器D触发器
