张健
- 作品数：29 被引量：26H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院国际合作局对外合作重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 用于OFDM UWB的5.5至7.2GHz四频带频率综合器
- 本发明公开了一种用于OFDM UWB的5.5至7.2GHz四频带频率综合器，包括固定频率锁相环1、第一单边带混频器2、第二单边带混频器3、第三单边带混频器4和多路选择器5。该频率综合器通过采用直接频率合成技术，可以输出5...
- 张健张海英
- 文献传递
- 带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器被引量：1
- 2008年
- 本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器。Balun采用集总一分布式结构，使其长度与常用2／4耦合线Balun相比缩小了11倍，大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸。混频器采用单平衡电阻性结构，在零功耗的情况下实现了良好的线性和口间隔离性能。测试结果显示，在固定中频160MHz，本振输入功率0dBm条件下，在3．5～5GI-IzRF频带内，最小变频损耗为8．3dB，1dB压缩点功率为8．0dBm，LO至Ⅲ之问的隔离度为38dB。
- 李志强张健张海英
- 一种可编程的2·4GHz CMOS多模分频器(英文)被引量：1
- 2008年
- 采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种多模分频器.该多模分频器由一个除4或5的预分频器和一个除128 ～255多模分频器在同一芯片上连接而成;在电路设计中,分析了预分频器功耗和速度之间的折中关系,根据每级单元电路的输入频率不同对128 ～255多模分频器采用了功耗优化技术;对整个芯片的输入输出PAD进行了ESD保护设计;该分频器在单端信号输入情况下可以工作到2.4GHz ,在差分信号输入下可以工作到2.6GHz以上;在3 .3 V电源电压下,双模预分频器的工作电流为11 mA,多模分频器的工作电流为17 mA;不包括PAD的芯片核心区域面积为0.65 mm×0.3 mm.该可编程多模分频器可以用于2.4GHz ISM频段锁相环式频率综合器.
- 李志强陈立强张健张海英
- 关键词：预分频器分频器多模频率综合器
- 一种宽锁定范围的注入锁定分频器
- 本发明公开了一种宽锁定范围的注入锁定分频器，包括注入晶体管、第一电感电容振荡器和第二电感电容振荡器，第一电感电容振荡器与第二电感电容振荡器的同相输出端短接；该注入晶体管的栅极接入直流电压偏置和两倍频注入信号，该注入晶体管...
- 刘昱张健樊晓华李志强张海英
- 文献传递
- 4～8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器
- 2008年
- 介绍了一种基于GaAs HBT的双平衡混频器。该混频器将射频、本振有源Balun集成其中,在RF和LO输入端分别采用不同的LC网络实现宽带的阻抗匹配。跨导级和开关单元之间采用交流耦合,并通过带宽扩展技术实现频带内的增益平坦。测量结果显示,该混频器匹配良好,射频端口S11在3～10GHz频带内小于-10dB。在固定中频200MHz情况下测试,在4～8GHz射频频带内,平均增益10dB,波动小于1dB,中频输出端口对射频信号的隔离度优于25dB,对本振信号的隔离度优于28dB;本振-射频端口隔离度优于32dB。在3.3V直流电压下测得的功耗为66mW。
- 张健张海英陈立强李志强陈普峰
- 关键词：GAASHBT混频器带宽扩展
- 功率增益截止频率为183GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.
- 刘亮张海英尹军舰李潇杨浩徐静波宋雨竹张健牛洁斌刘训春
- 关键词：高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
- 用于OFDM UWB的5.5至8.2GHz六频带频率综合器
- 本发明公开了一种用于OFDM UWB的5.5至8.2GHz六频带频率综合器，包括固定频率锁相环1、第一单边带混频器2、第二单边带混频器3、第三单边带混频器4、第四单边带混频器5、第五单边带混频器6和多路选择器7。该频率综...
- 张健张海英
- 文献传递
- 一种宽锁定范围的注入锁定分频器
- 本发明公开了一种宽锁定范围的注入锁定分频器，包括注入晶体管、第一电感电容振荡器和第二电感电容振荡器，第一电感电容振荡器与第二电感电容振荡器的同相输出端短接；该注入晶体管的栅极接入直流电压偏置和两倍频注入信号，该注入晶体管...
- 刘昱张健樊晓华李志强张海英
- 文献传递
- Ku/K波段砷化镓PIN二极管单片单刀单掷开关
- 基于中科院微电子研究所的砷化镓PIN二极管工艺,研制了一种单片单刀单掷开关。为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了准确的砷化镓PIN二极管小信号模型。在9.5GHZ到26.5GHZ的频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值...
- 吴茹菲尹军舰张健刘亮刘会东张海英
- 关键词：砷化镓单刀单掷开关PIN二极管插入损耗
- 文献传递
- 一种基于中和电容的60 GHz CMOS差分LNA
- 2016年
- 针对毫米波频段下硅基CMOS晶体管的栅漏寄生电容严重影响放大器的增益和隔离度的问题,采用交叉耦合中和电容抵消其影响,设计了一款60GHz三级差分共源极低噪声放大器（LNA）。为减小级间匹配无源器件的损耗,节省芯片面积,采用变压器进行级间耦合。基于SMIC55nm RF CMOS工艺,进行了电路原理图和版图的设计与仿真。仿真结果显示,该LNA输入输出匹配良好,功率增益为21.1dB,3dB带宽为57.3~61.5GHz,噪声系数为5.5dB,输出1dB压缩点为-0.64dBm,功耗为34.4mW,芯片尺寸为390μm×670μm。
- 王硕张健王明华李志强刘昱张海英
- 关键词：低噪声放大器
