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任春江

作品数：41 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 15篇铝镓氮
  • 12篇电极
  • 10篇势垒
  • 8篇栅电极
  • 8篇欧姆接触
  • 8篇化物
  • 7篇接触系统
  • 7篇晶体管
  • 7篇刻蚀
  • 6篇氮化
  • 6篇氮化物
  • 6篇氮化镓
  • 6篇氮化镓器件
  • 6篇电路
  • 5篇电子迁移率
  • 5篇迁移率
  • 5篇光刻
  • 5篇干法刻蚀
  • 5篇高电子迁移率
  • 5篇高电子迁移率...

机构

  • 41篇中国电子科技...

作者

  • 41篇任春江
  • 36篇陈堂胜
  • 6篇焦刚
  • 5篇沈宏昌
  • 5篇陈辰
  • 3篇余旭明
  • 3篇刘海琪
  • 3篇孙高峰
  • 3篇李思其
  • 3篇韩群飞
  • 3篇陈谷然
  • 3篇李彭瑞
  • 3篇潘斌
  • 2篇王泉慧
  • 2篇张斌
  • 1篇董逊
  • 1篇李忠辉
  • 1篇黄念宁
  • 1篇李亮
  • 1篇章军云

传媒

  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 41 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种采用硅合金的多层金属欧姆接触系统及其制造方法
本发明是一种采用硅合金的多层金属欧姆接触系统及其制造方法，其结构是AlGaN/GaNHEMT的源电极16和漏电极17的欧姆接触采用TiSi/Al/Ni/Au或者Ti/AlSi/Ni/Au或者TiSi/AlSi/Ni/Au...
任春江陈堂胜
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一种适用于铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的肖特基接触系统
本发明公开了一种适用于铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的肖特基接触系统，AlGaN/GaN HEMT的栅电极采用双层Ni/Mo/Ti/Pt/Y/Ti结构的肖特基接触系统，且第二层Ni/Mo/X/Y/Ti宽度大于第一...
任春江陈堂胜
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一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法
本发明公开了一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，包括步骤一：对半导体晶圆采用酸液进行预洗；步骤二：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；步骤三：采用酸溶液进行清洗；步骤四：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；步骤五：采用碱溶液进行超声清洗；...
李彭瑞任春江潘斌陈堂胜
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铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触制作方法
本发明是铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触制作方法，包括，1）在指定区域注入掺杂离子，并且在高温下退火激活这些离子；采用光刻的方法定义注入区域的图形，淀积金属掩膜并剥离，将需要注入的地方暴露出来；注入时采用金属作...
孙高峰任春江陈堂胜
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一种AlGaN/GaN HEMT晶体管及其制造方法
本发明提出一种AlGaN/GaN？HEMT晶体管及其制造方法，其中器件源电极和漏电极通过一高热导率的材料直接实现与器件所采用SiC衬底的连接，器件栅电极下产生的热量经过与源电极和漏电极相连的高热导率材料实现向SiC衬底的...
任春江陈堂胜
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一种微波单刀多掷开关
本发明公开了一种微波单刀多掷开关，包括一端为输入端的输入传输线，该输入传输线的另一端同时连接到开关组和补偿电路，所述开关组由至少两个开关臂组成，每个开关臂的另一端为输出端，所述补偿电路改变开关组的输入阻抗，使其与输入传输...
沈宏昌李思其任春江韩群飞
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低寄生参数铝镓氮化合物/氮化镓高迁移率晶体管的制造方法
本发明公开了一种低寄生参数铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在依次完成源电极、漏电极、栅电极的制作和第二介质层的淀积后，在第二介质层之上涂覆第四光刻胶层，并经过曝光、显影等操作之后在源电极和漏电极之...
任春江陈堂胜
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一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统
本发明是一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统，其特征是铝镓氮(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)源电极16和漏电极17所采用的欧姆接触系统为Ti/Al/Ni/Mo/Au。优点：它可...
任春江陈堂胜
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AlGaN/GaN HEMT制造法
本发明是一种AlGaN/GaN HEMT制造方法，其特征是AlGaN/GaN HEMT的栅电极采用了肖特基栅结构，其肖特基栅电极由势垒金属层和栅帽金属层构成，其中势垒金属层从势垒层表面开始依次由WN金属层和W金属层构成，...
任春江陈堂胜
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形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
本发明提供了一种形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法，它包括以下步骤：(a)在铝镓氮化物/氮化镓异质结外延材料表面涂覆聚合物；(b)将涂有聚合物一面安装于压盘上；(c)将衬底11的表面12进行研磨并抛光减薄；(d)在衬底...
任春江陈堂胜焦刚陈辰
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