陈辰
- 作品数：28 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 移动通信砷化镓射频集成电路开发及产业化
- 李拂晓蒋幼泉杨乃彬陈新宇陈辰邵凯钱峰钮利荣许正荣吴振海徐中仓冯欧杨立杰
- 以中国电子科技集团公司第五十五研究所所现有砷化镓3英寸、0.5微米集成电路工艺线为依托，自主开发移动通信基站和手机用砷化镓射频集成电路，主要研究内容包括砷化镓标准工艺技术、工艺控制技术、批生产技术、射频产品的塑封技术、电...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓射频集成电路移动通信
- 一种制造InxAl1-xN复合势垒GaN增强型场效应管的方法
- 本发明是一种制造In<I>x</I>Al1-<I>x</I>N复合势垒GaN增强型场效应管的方法，其工艺步骤包括在衬底上依次生长成核层、Al<I>x</I>Ga1-<I>x</I>N缓冲层、GaN沟道层、Al<I>x</...
- 孔月婵薛舫时周建军董逊陈辰
- 一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法
- 本发明是一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法；光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极；利用发射极金属为掩膜，腐蚀掉发射区；光刻基极图形，蒸发金属并剥离形成基极；光刻基极台面图形，利用光刻胶保护住基极金属以...
- 程伟赵岩陈辰
- 一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法
- 本发明是一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法；光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极；利用发射极金属为掩膜，腐蚀掉发射区；光刻基极图形，蒸发金属并剥离形成基极；光刻基极台面图形，利用光刻胶保护住基极金属以...
- 程伟赵岩陈辰
- 文献传递
- 形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
- 本发明提供了一种形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法，它包括以下步骤：(a)在铝镓氮化物/氮化镓异质结外延材料表面涂覆聚合物；(b)将涂有聚合物一面安装于压盘上；(c)将衬底11的表面12进行研磨并抛光减薄；(d)在衬底...
- 任春江陈堂胜焦刚陈辰
- 文献传递
- 生长源流量对SiC外延生长的影响被引量：5
- 2008年
- 使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)进行表征,在不影响薄膜质量的条件下成功将生长速率提高至12μm/h。
- 李赟李哲洋董逊陈辰
- 关键词：4H-SIC生长速率
- 水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究被引量：2
- 2008年
- 研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值为4.37%)的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。
- 李哲洋李赟董逊柏松陈刚陈辰
- 关键词：4H-SIC均匀性
- 基于未知材料基板的微波在片测试方法
- 本发明涉及的是一种基于未知材料基板的微波元件在片测试方法。首先在基板上制备适合于微波在片测试的TRL校准件、开路谐振器及待测元件；然后用TRL校准方法校准微波在片测试系统；再用校准好的微波在片测试系统测试开路谐振器的谐振...
- 李辉陈效建周建军陈辰
- 文献传递
- 一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法
- 本发明公开了一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法，该方法的步骤包括在衬底上依次生长氮面极性GaN缓冲层、AlInN调制掺杂层、δ掺杂层、AlInN背势垒隔离层、AlN背势垒隔离层、GaN沟道层...
- 薛舫时孔月婵董逊陈辰
- 文献传递
- 生长源流量对SiC外延生长的影响
- 使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通...
- 李赟李哲洋董逊陈辰
- 关键词：4H-SIC生长速率
- 文献传递
