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周建军

作品数：74 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 74篇中文专利

领域

  • 23篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 22篇势垒
  • 18篇刻蚀
  • 16篇晶体管
  • 14篇势垒层
  • 14篇金属
  • 14篇GAN_HE...
  • 13篇电阻
  • 11篇金刚石
  • 11篇刚石
  • 8篇欧姆接触
  • 8篇微电子
  • 8篇微电子工艺
  • 8篇GAN
  • 7篇异质结
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇导通
  • 6篇导通电阻
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇迁移率

机构

  • 74篇中国电子科技...

作者

  • 74篇周建军
  • 50篇孔岑
  • 32篇孔月婵
  • 28篇郁鑫鑫
  • 23篇陈堂胜
  • 16篇张凯
  • 8篇李辉
  • 7篇吴云
  • 6篇陈辰
  • 4篇陈效建
  • 4篇陆海燕
  • 4篇郁元卫
  • 4篇霍帅
  • 2篇董逊
  • 2篇张斌
  • 2篇薛舫时
  • 1篇李忠辉
  • 1篇柏松
  • 1篇郭怀新
  • 1篇廖蕾

年份

  • 6篇2023
  • 6篇2022
  • 6篇2021
  • 9篇2020
  • 6篇2019
  • 6篇2018
  • 5篇2017
  • 7篇2016
  • 6篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
共 74 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种抗辐照GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种抗辐照GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管结构包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、栅极、第一钝化层和第二钝化层。本发明针对常规GaN HEMT经过高能粒子辐照后器件性能退化明显的问题，...
王登贵周建军孔岑张凯戚永乐陈堂胜
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基于金刚石钝化结构的高效散热氮化镓晶体管及其制造方法
本发明公开了一种基于金刚石钝化结构的高效散热氮化镓晶体管及其制造方法，高效散热氮化镓晶体管结构设计自上而下依次包括金刚石钝化层、栅源漏功能层、势垒层、缓冲层及衬底；所述金刚石钝化层是多层结构，包含势垒保护层、种子层和导热...
郭怀新郁鑫鑫周建军孔月婵
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一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件
本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO<Sub>2</Sub>；(3)定义欧姆接触区域；(4)制...
周建军孔月婵孔岑郁鑫鑫张凯郁元卫
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一种具有分割子器件的GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法
本发明涉及一种具有分割子器件的GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法，包括衬底、缓冲层、势垒层、源极、漏极、钝化层和栅极，其特征在于：以所述缓冲层和势垒层形成形状为“凸形”的子器件的第一种异质结，所述第一种异质结的“凸形”...
张凯朱广润周建军陈堂胜
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一种基于p-GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法
本发明涉及一种基于p‑GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN基三维鳍片、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括内置高阻GaN区，它位于所述栅极的下方与GaN基三维鳍...
张凯朱广润孔岑周建军陈堂胜
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一种自对准栅GaN HEMT器件及其制备方法
本发明是一种自对准栅GaN HEMT器件及其制备方法，其结构包括GaN HEMT的沟道层、势垒层、源漏金属、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质、离子注入隔离区和栅金属；其制备方法，1）在洁净的Ga...
周建军孔岑陈堂胜
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通过腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法
本发明公开了一种腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法，具体为：1)在衬底上设置碳纳米管薄膜；2)在碳纳米管薄膜上设置一层金属薄膜；3)在金属薄膜上划分出源极区域、漏极区域和沟道区域，并去除以上区域之外的金属薄膜...
杨扬吴云周建军霍帅郁鑫鑫曹正义孔月婵陈堂胜
一种全GaN集成芯片结构及其制备方法
本发明公开了一种全GaN集成芯片结构及其制备方法，该芯片结构包括：半绝缘SiC衬底；导电键合层；全GaN电路结构层：自下而上依次包括缓冲层、沟道层和势垒层，还包括第一深槽、第二深槽和钝化层，第一深槽的槽底与导电键合层相接...
王登贵周建军戴家赟王飞胡壮壮陈堂胜
n沟道和p沟道增强型GaN器件集成结构的制备方法
本发明公开了一种n沟道和p沟道增强型GaN器件集成结构的制备方法，包括：洁净衬底上进行高阻缓冲层、n沟道层、势垒层、p沟道层、插入层、p沟阈值调制层、p沟栅流抑制层的制作；n沟阈值调制层和n沟栅流抑制层再生长掩模的制作；...
周建军孔岑郁鑫鑫孔月婵
一种E/D集成的GaN HEMT器件制备方法
本发明是一种E/D集成的GaN HEMT器件制备方法。其工艺步骤包括在衬底上依次生长成核层、AlyGa1-yN缓冲层、GaN沟道层、AlxGa1-xN势垒层，构成常规AlGaN/GaN异质结构，然后再生长标定层，构成E/...
孔月婵周建军孔岑
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