您的位置： 专家智库 > >

张凯

作品数：31 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 14篇电子电信

主题

  • 10篇肖特基
  • 9篇势垒
  • 9篇势垒层
  • 8篇二极管
  • 7篇电子迁移率
  • 7篇迁移率
  • 7篇晶体管
  • 7篇高电子迁移率
  • 7篇高电子迁移率...
  • 6篇电阻
  • 6篇肖特基二极管
  • 6篇刻蚀
  • 5篇阈值电压
  • 5篇介质
  • 5篇金属
  • 5篇空气桥
  • 4篇电路
  • 4篇选择比
  • 4篇GAN高电子...
  • 3篇电流崩塌

机构

  • 31篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇教育部

作者

  • 31篇张凯
  • 20篇陈堂胜
  • 16篇周建军
  • 13篇孔岑
  • 9篇孔月婵
  • 6篇吴少兵
  • 5篇郁鑫鑫
  • 2篇郁元卫
  • 2篇牛斌
  • 1篇张波
  • 1篇张波
  • 1篇章军云
  • 1篇林罡
  • 1篇廖蕾
  • 1篇潘斌

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 7篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 31 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种氮化镓刻蚀方法
本发明公开了一种氮化镓刻蚀方法，具体操作包括制备介质层；制备光刻胶掩膜刻蚀图形；制备介质掩膜刻蚀图形；去除光刻胶；在O<Sub>2</Sub>、Ar气氛下预刻蚀GaN；在Cl<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</S...
孔岑周建军张凯郁鑫鑫
文献传递
一种GaN基异质结二极管及其制备方法
本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法，所述二极管包括衬底；缓冲层，设置在衬底的上表面；沟道层，设置在缓冲层的上表面；势垒层，设置在沟道层的上表面；h‑BN/p‑GaN异质结，设置在势垒层的部分上表面；混合阳极...
王登贵周建军胡壮壮孔岑张凯陈堂胜
一种具有空腔结构的低寄生GaN HEMT器件及其制造方法
本发明公开了一种具有空腔结构的低寄生GaN HEMT器件及其制造方法，该器件的结构由下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、势垒层，势垒层上方有源极、漏极以及SiN钝化薄层，在SiN钝化薄层内开有凹槽，凹槽上方两侧有微场板，所...
房柏彤张凯朱广润贾晨阳石娅婷王伟凡陈堂胜
一种GaN基高空穴迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种GaN基高空穴迁移率晶体管及其制备方法，其结构包含衬底、缓冲层、势垒层、沟道层、插入层、p‑GaN层、源极、漏极、栅极以及钝化介质层。本发明通过引入含Al组分插入层，一方面可提升p‑GaN层与沟道层间的刻...
王登贵周建军孔岑张凯戚永乐
GaN太赫兹薄膜电路制备方法
本发明属于基本电气元件的技术领域，特别涉及GaN太赫兹薄膜电路制备方法。本发明是基于衬底上n<Sup>‑</Sup>‑GaN层/n<Sup>+</Sup>‑GaN层材料，首先形成GaN肖特基二极管的阴极和阳极，随后刻蚀去...
张凯代鲲鹏朱广润步绍姜房柏彤王伟凡陈堂胜
一种空气桥互连条形阳极的准垂直肖特基二极管
本发明公开了一种空气桥互连条形阳极的准垂直肖特基二极管，包括半绝缘衬底、高掺杂外延层、低掺杂外延层台面、阴极金属、条形阳极金属、保护介质、阳极加电金属平板和金属空气桥；高掺杂外延层和阳极加电金属平板之间相隔一段间距、均设...
代鲲鹏张凯范道雨吴少兵陈堂胜
一种抗辐照GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种抗辐照GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管结构包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、栅极、第一钝化层和第二钝化层。本发明针对常规GaN HEMT经过高能粒子辐照后器件性能退化明显的问题，...
王登贵周建军孔岑张凯戚永乐陈堂胜
文献传递
一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件
本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO<Sub>2</Sub>；(3)定义欧姆接触区域；(4)制...
周建军孔月婵孔岑郁鑫鑫张凯郁元卫
文献传递
一种具有分割子器件的GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法
本发明涉及一种具有分割子器件的GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法，包括衬底、缓冲层、势垒层、源极、漏极、钝化层和栅极，其特征在于：以所述缓冲层和势垒层形成形状为“凸形”的子器件的第一种异质结，所述第一种异质结的“凸形”...
张凯朱广润周建军陈堂胜
文献传递
一种基于p-GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法
本发明涉及一种基于p‑GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN基三维鳍片、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括内置高阻GaN区，它位于所述栅极的下方与GaN基三维鳍...
张凯朱广润孔岑周建军陈堂胜
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0