何火军
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华越微电子有限公司更多>>
- 发文基金：浙江省科技厅国际合作项目绍兴市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺
- 本发明公开了一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）外延材料高温炉管进行反推作业，温度1200—1250度，时间为60分钟；2）漂尽反推形成的厚氧，重新生长厚场氧，保护环光刻、刻蚀、环杂...
- 鄢细根张晓新余庆何火军潘国刚周卫宏赵铝虎张敏森陈晓静阚志国
- 文献传递
- 中低压大电流VDMOS器件
- 何火军余庆廖洪志张晓新张月中朱优莉朱国夫杨振江秉润潘国刚秦永星蔡远飞赵铝虎郦霞鄢细根马洁荪
- 简要技术说明该项目产品中，50N06采用外延自掺杂技术，具有导通电阻低，输出电流大特点；20N50采用第二代SPACE新工艺，平底阱结构以及浅P+结构，改善了EAS能力，降低了导通电阻，提高了元胞集成度；9N90采用JF...
- 关键词：
- 关键词：分立器件半导体器件
- 一种肖特基二极管划片区氧化层
- 本实用新型公开了一种肖特基二极管划片区氧化层，所述的肖特基二极管划片区包括背面金属层，所述的背面金属层上依次设有N<Sup>+</Sup>衬底层、N<Sup>_</Sup>外延层、势垒层、氧化层和正面金属层，且所述的势垒...
- 何火军张晓新鄢细根赵铝虎阚志国潘国刚周卫宏张敏森傅劲松
- 文献传递
- 硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响被引量：1
- 2019年
- 通过测量硅晶棒不同部位的氧含量,分析了氧在硅晶棒中的分布规律。结合高温氧化后的缺陷观察结果,研究了氧含量及后续高温生产工艺对硅晶体中缺陷数量的影响。对不同氧含量的两种硅单晶片所生产的功率集成电路进行了失效分析。结果表明,硅单晶片中的氧含量对产品成品率具有重要影响。当氧含量在1.77×1018～1.87×1018atoms/cm3及以上时,硅单晶片边缘出现明显的位错排,断面存在大量层错和位错缺陷,部分缺陷进入外延层中的晶体管,造成该处晶体管结漏电。相反,当氧含量偏低时,硅单晶片内的缺陷较少且分布不均,使得硅单晶片受到金属污染时不能有效吸杂而产生失效。
- 潘国刚胡玮芳何火军
- 关键词：硅单晶氧含量氧沉淀功率集成电路
- 一种P沟道VDMOS器件生产方法
- 本发明公开一种P沟道VDMOS器件生产方法，包括在外延层上生成氧化层，在氧化层上覆盖光刻胶层，然后带胶N型杂质注入步骤；高温退火后在外延层上表面形成所需要的N型基区结深步骤；在氧化层上进行硼杂质注入步骤；在外延层上生成栅...
- 鄢细根何火军杨振赵铝虎潘国刚
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- 直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟
- 2012年
- 推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。
- 鄢细根何火军陈新安
- 关键词：温度漂移载流子浓度载流子迁移率
- 一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法
- 本发明公开了一种用于半导体集成电路或者分立器件上的溅射前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1）当半导体器件在完成引线孔刻蚀后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗去除引线孔内自然氧化层及沾污物；2)冲水处理；3）接着...
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- 一种光敏三极管加工工艺
- 本发明公开了一种光敏三极管加工工艺，依次包括如下步骤：产品导入、场氧化、基区光刻、基区刻蚀、基区掺杂、发射区光刻、发射区刻蚀、氧化、注入掺杂、氧化层淀积、发射区推进、发射区掺杂、孔光刻、孔刻蚀、金属淀积、光刻、金属刻蚀、...
- 陆辉赵铝虎张晓新余庆阚志国葛亚英陈昂任志远鄢细根何火军
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- 一种肖特基接触二极管中的钛金属层
- 本实用新型公开了一种肖特基接触二极管中的钛金属层，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层，所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层；所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层。本实用...
- 潘国刚周卫宏张晓新余庆赵铝虎鄢细根周桂丽秦永星傅劲松何火军
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- 一种P沟道VDMOS器件生产方法
- 本发明公开一种P沟道VDMOS器件生产方法，包括在外延层上生成氧化层，在氧化层上覆盖光刻胶层，然后带胶N型杂质注入步骤；高温退火后在外延层上表面形成所需要的N型基区结深步骤；在氧化层上进行硼杂质注入步骤；在外延层上生成栅...
- 鄢细根何火军杨振赵铝虎潘国刚
