周卫宏
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
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- TEOS的应用对接触电阻的稳定性问题研究
- 2018年
- 为了解决因TEOS的应用导致接触电阻稳定性变差的问题,对接触电阻的测试数据及曲线进行分析,初步确定调查研究方向,然后分别对接触孔内生成物、接触孔内氧化层以及接触孔的金属覆盖性进行相关验证与分析,最后找到问题的根源所在,同时针对产生问题的原因采取一系列有效的工艺改善。改善措施实施后,进行仿真加工测试,数据经确认正常。此类产品随后在生产线上逐步上量加工,经检验,其接触电阻的数据均在规范值内且非常稳定。此问题的研究解决对提高采用发射区注入工艺的双极型集成电路产品的加工稳定性及产品良率具有非常重要的现实意义。
- 阚志国周卫宏
- 关键词：接触电阻扫描电镜湿法腐蚀
- 一种肖特基二极管划片区氧化层
- 本实用新型公开了一种肖特基二极管划片区氧化层，所述的肖特基二极管划片区包括背面金属层，所述的背面金属层上依次设有N<Sup>+</Sup>衬底层、N<Sup>_</Sup>外延层、势垒层、氧化层和正面金属层，且所述的势垒...
- 何火军张晓新鄢细根赵铝虎阚志国潘国刚周卫宏张敏森傅劲松
- 文献传递
- 新型高效LED驱动电路工艺研发
- 余庆鄢细根周卫宏张敏森陆辉阚志国任志远韩宇刘玉玲陈昂叶海港朱晓玲
- 该项目主要研究内容为： (1)研究分析器件结构参数和工艺参数的关系。进行元胞设计、终端结构设计、管芯版图设计以及工艺过程的仿真设计，采用Medici和Tsuprem4软件进行仿真优化研究，研究优化结果下的样片。 (2)研...
- 关键词：
- 关键词：电源适配器
- 一种半导体管芯基板
- 本实用新型公开了一种半导体管芯基板，芯管基片上下两侧的划片槽内均开设有第一对位标记，芯管基片左右两侧的划片槽内均开设有第二对位标记，第一对位标记包括以3行7列形式设置的第一对位因子，第二对位标记包括以3列8行形式设置的第...
- 陈昂刘炜张晓新余庆赵铝虎陆辉葛亚英周卫宏张洪波
- 文献传递
- 一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺
- 本发明公开了一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）外延材料高温炉管进行反推作业，温度1200—1250度，时间为60分钟；2）漂尽反推形成的厚氧，重新生长厚场氧，保护环光刻、刻蚀、环杂...
- 鄢细根张晓新余庆何火军潘国刚周卫宏赵铝虎张敏森陈晓静阚志国
- 文献传递
- 一种双层布线平坦化加工工艺
- 本发明公开了一种双层布线平坦化加工工艺，包括如下步骤：1）第一层金属淀积；2）一次金属光刻；3）一次金属湿刻；4）一次金属干刻；5）一次LPCVDSiO<Sub>2</Sub>淀积；6）平坦化介质涂布；7）固化；8）进行...
- 阚志国张晓新赵铝虎余庆张敏森周卫宏潘国刚
- 文献传递
- 一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法
- 本发明公开了一种用于半导体集成电路或者分立器件上的溅射前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1）当半导体器件在完成引线孔刻蚀后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗去除引线孔内自然氧化层及沾污物；2)冲水处理；3）接着...
- 潘国刚张晓新余庆赵铝虎周卫宏何火军傅劲松鄢细根张敏森
- 文献传递
- IC外延电阻相似失效案例的比较与分析
- 2013年
- 该文通过分析外延层外延电阻率变化,场注入偏浓和埋层上浮三个IC制品生产线最常见的典型案例,比较明确三者之间的异同,了解和认识PCM相关参数的变化情况。同时也记录不同失效类型,并予以归类。
- 周桂丽赵铝虎周卫宏
- 一种肖特基接触二极管中的钛金属层
- 本实用新型公开了一种肖特基接触二极管中的钛金属层，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层，所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层；所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层。本实用...
- 潘国刚周卫宏张晓新余庆赵铝虎鄢细根周桂丽秦永星傅劲松何火军
- 文献传递
- 一种双层布线平坦化加工工艺
- 本发明公开了一种双层布线平坦化加工工艺，包括如下步骤：1）第一层金属淀积；2）一次金属光刻；3）一次金属湿刻；4）一次金属干刻；5）一次LPCVDSiO<Sub>2</Sub>淀积；6）平坦化介质涂布；7）固化；8）进行...
- 阚志国张晓新赵铝虎余庆张敏森周卫宏潘国刚
- 文献传递
