您的位置: 专家智库 > >

刘光友

作品数:4 被引量:22H指数:2
供职机构:西南大学物理科学与技术学院(电子信息工程学院)更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇多孔硅
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇电化学制备
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔硅微腔
  • 1篇折射率
  • 1篇驱动程序
  • 1篇微腔
  • 1篇抗反射
  • 1篇抗反射膜
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇化学制备
  • 1篇计算机
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇

机构

  • 4篇西南大学

作者

  • 4篇刘光友
  • 3篇熊祖洪
  • 2篇姚金才
  • 2篇王振
  • 2篇谭兴文
  • 1篇陈平
  • 1篇傅添智

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇仪器仪表用户

年份

  • 3篇2008
  • 1篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于LabVIEW制备硅基一维光子晶体的计算机驱动程序被引量:2
2006年
在制备硅基一维光子晶体如多孔硅分布Bragg反射镜和多孔硅微腔的实验中,为实现电脑程序驱动的电化学腐蚀平台的精确控制,使制备的光子晶体高低折射率层的界面更平整和硅孔大小更加均匀,我们利用NI推出的虚拟仪器开发平台软件LabVIEW缩写了一套制备硅基一维光子晶体的计算机驱动软件。实验结果发现,由该软件驱动Keithley2400数字电源制备的PS -DBRs显示出了纳米级平整的界面和反射率高、阻止带宽的光学特性。
陈平刘光友傅添智熊祖洪
关键词:LABVIEW电化学腐蚀
电化学制备薄黑硅抗反射膜被引量:16
2008年
采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品.这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%,且整个薄膜厚度不足1μm.利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟,得到了理论与实验符合较好的结果.
刘光友谭兴文姚金才王振熊祖洪
关键词:折射率抗反射膜
多孔硅基功能薄膜的研究
采用电化学腐蚀法制备的多孔硅,由于其孔隙率和生长厚度具有很大的可调性,而孔隙率和薄膜的折射率密切相关,因而多孔硅是一种很好的功能薄膜材料。由于多孔硅具有较大的表面积,因此可作为多种沉积或吸附物质的载体。 本论文...
刘光友
关键词:多孔硅
文献传递
有机吸附物对多孔硅微腔发光的影响被引量:4
2008年
理论上,采用Bruggeman有效介质近似,研究了有机吸附物对多孔硅微腔的折射率及其光致发光谱的影响.实验上,采用计算机控制的电化学腐蚀法制备了多孔硅微腔样品,并利用机械泵油的蒸气分子与该微腔样品进行相互作用.研究发现,多孔硅微腔发射的窄化光致发光谱对泵油蒸气分子的吸附与脱附很敏感,与之伴随的是该窄化光致发光谱发生明显的峰位移动(可达71 nm)和强度变化.结合Bruggeman近似和表面态对多孔硅发光的影响,对实验结果进行了定性解释.实验结果与理论模拟结果符合较好.
刘光友谭兴文王振姚金才熊祖洪
关键词:多孔硅微腔光致发光谱
共1页<1>
聚类工具0