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姜慧纯

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇单量子阱
  • 1篇电子能态
  • 1篇异质结
  • 1篇能态
  • 1篇GAN/AL...

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇刘昌
  • 1篇姜慧纯
  • 1篇蒋昌忠
  • 1篇刘福庆

传媒

  • 1篇第二届中国可...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaN/AlxGa1-xN异质结带阶及其单量子阱中束缚电子能态的计算
采用半经验的Slater-Koster参数紧束缚方法以及Tersoff理论研究了GaN/AlxGa1-xN(X=0.1,0.2,…,0.5)异质结的带阶.结果表明,GaN/AlxGa1-xN异质结的价带带阶与Al的含量有...
姜慧纯刘福庆蒋昌忠刘昌
关键词：异质结
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