孙福河
- 作品数：7 被引量：12H指数：2
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国际科技合作与交流专项项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学更多>>
- 单室沉积p-i--n电池工艺中磷污染问题研究
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术,研究了单室沉积下腔室磷污染的表现特征。由测试结果发现:单室沉积n层后随即沉积p层或者i层微晶硅,残余的磷将降低微晶p层材料的暗电导,而对本征微晶i层材料,磷会...
- 孙福河张晓丹许盛之王光红岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖
- 关键词：磷污染微晶硅
- 文献传递
- p种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响
- 2009年
- 采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/i界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅i层纵向均匀性及电池性能的影响.实验结果表明:采用此方法能改善p/i界面特性,提高本征材料纵向结构的均匀性并降低硼对本征层的污染,有效地提高单结微晶硅电池的性能.最后,通过优化沉积条件,制备得到光电转换效率为8.81%(1cm2)的非晶/微晶硅叠层电池.
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- P型微晶硅薄膜材料的制备与优化
- 利用VHF-PECVD(75MHz)技术,采用高氢稀释SiH、及BH掺杂的方法,在玻璃衬底上获得了厚度为50nm,电导率达到9.1S/cm,暗电导激活能小于0.035eV,拉曼晶化率超过40%的p层材料。单室工艺制备微晶...
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- 关键词：硼掺杂微晶硅
- 文献传递
- 硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响被引量：3
- 2009年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的硼对本征微晶i材料电学特性和结构特性的影响进行了详细研究.测试结果表明:单室沉积p层后的硼降低了微晶i层材料的暗电导,增加了材料的光敏性;由于硼对i层污染程度的不同,使得材料的激活能发生了变化;腔室中残余的硼也导致微晶硅薄膜的结晶状况恶化,同时弱化了材料的(220)择优取向.而在较高功率和较强氢稀释下制备的晶化率较高,(220)晶向明显择优的材料受硼污染影响相对减小.
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- 关键词：微晶硅硼
- 单室VHF-PECVD制备微晶硅薄膜太阳电池的初步研究
- 单室技术制备硅薄膜太阳电池是降低其成本的重要方法之一。本文在单室中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术，以降低单室沉积工艺中的界面污染和提高单室沉积微晶硅电池的性能为目标，详细研究了单室沉积中的交叉污染问题、不同处理硼...
- 孙福河
- 关键词：化学气相沉积薄膜太阳电池
- 文献传递
- 掺杂室沉积本征微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用(英文)被引量：1
- 2008年
- 在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积( VHF-PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜.对薄膜电学特性和结构特性的测试结果分析表明:随硅烷浓度的增加,材料的光敏性先略微降低后提高,而晶化率的变化趋势与之相反; X射线衍射( XRD)测试表明材料具有(220)择优晶向.在P腔室中用VHF-PECVD方法制备单结微晶硅太阳能电池的i层和p层,其光电转换效率为4.7 %,非晶硅/微晶硅叠层电池(底电池的p层和i层在P室沉积)的效率达8.5 %.
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- 关键词：太阳能电池
- 单室沉积本征微晶硅薄膜及其在电池中的应用被引量：7
- 2009年
- 为获得单室沉积高效微晶硅(μc-Si)太阳电池,首先采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同沉积条件下的本征μc-Si薄膜。通过对材料的结构和电学输运特性的研究,借鉴分室沉积的器件质量级μc-Si材料的经验,选取合适的本征层和p种子层处理B污染的技术,在单室中制备出光电转换效率为6.23%(1cm2)的单结μc-Si电池。
- 王光红张晓丹孙福河许盛之岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖
- 关键词：太阳电池
