庄岩
- 作品数：9 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究被引量：2
- 1996年
- 通过吸收光电流谱的测量.观察到用国产MBE设备生长的与InP衬底晶格匹配的In-GaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性.报道了可用于波导型调制器制作的MQW样品材料的X射线双晶衍射结果,并用计算机模拟出与实测十分相似的曲线,得到了可靠的量子阱结构参数,证明样品材料具有优良的外延质量.利用等效无限深阱模型进行的理论计算表明,应考虑样品p-i-n结内建电场的影响,才能使算出的吸收边红移与实验值符合.
- 俞谦王健华李德杰王玉田庄岩姜炜黄绮周钧铭
- 关键词：INGAAS多量子阱量子尺寸效应
- AlGaAs／GaAs超晶格界面平整度的X射线双晶衍射研究被引量：2
- 1995年
- 用Ｘ射线运动学的多层膜干涉理论，模拟计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线．提出了一种具有整数分子层的界面过渡层理论模型，并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的漂移，过渡层对超晶格卫星峰强度的影响以及低级卫星峰的规律性消光规律．
- 庄岩王玉田李建中
- 关键词：镓铝砷砷化镓超晶格衍射
- MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法被引量：2
- 1997年
- 本文采用了以解理面为衍射基面，直接测量水平弛豫的方法测量了InxGa1-xAs（衬底为GaAs，x～0．1）外延层的应变及其弛豫状态．在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂．表明当InGaAs层厚度较厚（～2μm）时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态．其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数（△a／a～10-3）．并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变．在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x．
- 庄岩王玉田马文全林耀望周增圻
- 关键词：MBEMOCVD外延层X射线双晶衍射
- InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器被引量：4
- 1998年
- 用国产ＭＢＥ设备生长出与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多量子阱材料，并对材料的量子限制Ｓｔａｒｋ效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究．用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在２．４Ｖ驱动电压下实现了２０ｄＢ以上消光比。
- 王健华金峰俞谦孙可李德杰蔡丽红黄绮周钧铭王玉田庄岩
- 关键词：多量子阱电吸收光调制器半导体材料光纤通信
- 超晶格结构X射线衍射分析及其结构参数的计算
- 1995年
- 在本文中，我们在经典的Ｘ光运动学理论的基础上，加入一些改进，不再直接计算超晶格的结构因子Ｆ００Ｌ，而是计算各原子面的散射波函数，获得了卫星峰的模拟峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ条纹，克服了原来不能解释峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ现象的缺点．本文还用此方法对ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格进行了模拟计算，与实验吻合很好，证明了理论的正确性．
- 郑联喜王玉田庄岩邓礼生肖智博胡雄伟梁骏吾
- 关键词：超晶格结构参数X射线衍射
- X射线双晶衍射在分布布喇格反射镜研制中的应用
- 1996年
- 本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算，并与实验所测得的ＤＢＲ反射谱进行比较，得到了证实．我们应用这套方法指导ＶＣＳＥＬ外延片的生长，获得了良好的结果．
- 林世鸣高洪海张春辉吴荣汉庄岩王玉田
- 关键词：DBRVCSELX射线双晶衍射激光器
- 双势垒超晶格结构的同步辐射及X射线双晶衍射研究被引量：3
- 1996年
- 利用高精度的Ｘ射线双晶衍射和同步辐射散射对可用于半导体红外探测器的双势垒超晶格材料进行了研究，并运用Ｘ射线衍射动力学理论进行模拟计算，得到了与实验结果符合得很好的理论曲线．同时发现包络函数节点处的卫星峰对结构参数的变化极为灵敏．以此进行模拟计算，可准确地确定出样品的结构参数，厚度误差范围为±０１ｎｍ．
- 王玉田庄岩庄岩江德生姜晓明杨小平修立松姜晓明
- 关键词：X射线衍射双势垒超晶格
- 研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法被引量：2
- 1995年
- 运用高精度X射线双晶衍射议对GeSi/Si应变超晶格进行了分析研究,实验上观测到在卫星峰之间存在着干涉条纹(Pendellosung),建立了界面的随机概率模型.结合计算机模拟发现:Pendellosung条纹对界面的粗糙十分敏感,当界面粗糙度较小时,只影响Penderllosung条纹的规则排列,而当粗糙度较大时,不仅使Pendellosung条纹强度下降,规则排列受到破坏,并且还将导致高级卫星峰强度下降,峰形严重宽化.
- 庄岩王玉田潘士宏
- 关键词：半导体超晶格粗糙度X射线衍射
- Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究被引量：2
- 1998年
- 本文利用Ｘ射线衍射和ＡＥＳ（俄歇）方法，深入地研究了ＲＦ磁控溅射淀积的Ｐｔ－Ｎｉ／ｐ－ＩｎＰ（１００）非合金膜系在热退火过程中Ｐｔ和Ｎｉ与衬底ＩｎＰ中的Ｉｎ和Ｐ形成稳定化合物的行为。
- 李秉臣王玉田庄岩
- 关键词：半导体器件欧姆接触磷化铟
