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张克基

作品数：72 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 71篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 62篇样片
  • 54篇退火
  • 43篇石墨
  • 43篇石墨烯
  • 28篇碳膜
  • 27篇电子器件
  • 27篇微电子
  • 27篇微电子器件
  • 25篇CU膜
  • 25篇衬底
  • 18篇SIC衬底
  • 18篇SUB
  • 16篇纳米
  • 15篇石墨烯纳米带
  • 15篇外延炉
  • 15篇纳米带
  • 12篇电子迁移率
  • 12篇迁移率
  • 11篇层数
  • 10篇石墨烯晶体管

机构

  • 72篇西安电子科技...

作者

  • 72篇张克基
  • 71篇郭辉
  • 71篇张玉明
  • 60篇雷天民
  • 35篇邓鹏飞
  • 24篇赵艳黎
  • 20篇张凤祁
  • 12篇张晨旭
  • 9篇胡彦飞
  • 7篇汤晓燕
  • 6篇韦超
  • 5篇吕晋军
  • 4篇张玉娟
  • 4篇石彦强
  • 4篇韩超
  • 4篇汤小燕

年份

  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 31篇2013
  • 34篇2012
共 72 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性差及石墨烯器件载流子迁移率低等问题。其实现步骤是：在清洗后Si样片上生长碳化层进而形成3C-SiC薄膜；在3C-SiC...
郭辉韦超张玉明张克基雷天民胡彦飞
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基于Ni膜退火的SiC与Cl<Sub>2</Sub>反应制备结构化石墨烯的方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC与Cl<Sub>2</Sub>反应制备结构化石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；再在清洗后...
郭辉邓鹏飞张玉明张克基雷天民张凤祁
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基于Cu膜退火的SiC与氯气反应侧栅石墨烯晶体管制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC与氯气反应侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性差及顶栅结构晶体管沟道载流子迁移率降低等问题。其制作步骤是：在清洗后的SiC样片表面淀积SiO<Sub>2</S...
郭辉韦超张玉明张克基雷天民胡彦飞
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基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、连续性不好、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡，然后在温度为1200℃-1350℃...
郭辉邓鹏飞张玉明张克基雷天民
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基于Ni膜退火和Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火和Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是：(1)在Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡；(2)在温度为...
郭辉张克基张凤祁张玉明雷天民邓鹏飞
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基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性差及石墨烯器件载流子迁移率低等问题。其实现步骤是：在清洗后Si样片上生长碳化层进而形成3C-SiC薄膜；在3C-SiC...
郭辉韦超张玉明张克基雷天民胡彦飞
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基于Cu膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、制作器件时由于光刻工艺使石墨烯中的电子迁移率降低的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；...
郭辉张克基张玉明赵艳黎张凤祁雷天民
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基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；再在SiC样片表面淀积一层SiO<Sub>...
郭辉张克基张玉明张凤祁雷天民邓鹏飞
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向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好，且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其制作过程为：(1)在Si衬底基片上先生长...
郭辉张克基张玉明张凤祁赵艳黎雷天民
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基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯需要先光刻图形化后才可制成晶体管，且过程复杂，生产率低的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行清洗；再在SiC样片表面淀积一层S...
郭辉赵艳黎张玉明汤小燕雷天民张克基
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