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徐伟

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇籽晶
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 2篇氮化镓
  • 2篇掩膜
  • 2篇应力
  • 2篇应力释放
  • 2篇湿法
  • 2篇湿法工艺
  • 2篇自支撑
  • 2篇位错
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇厚膜
  • 2篇干法
  • 2篇干法工艺
  • 2篇衬底
  • 1篇电极
  • 1篇电子束
  • 1篇液相外延

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇徐伟
  • 9篇于广辉
  • 9篇隋妍萍
  • 7篇张燕辉
  • 5篇陈志蓥
  • 5篇王斌
  • 3篇赵志德
  • 3篇葛晓明
  • 3篇张浩然
  • 1篇谷宇章
  • 1篇王斌
  • 1篇张晓林

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第二届海峡两...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于GaN单晶衬底的表面抛光方法
本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的电化学机械抛光的方法，包括：将氮化镓晶体和抛光盘分别作为阳极和阴极，针对GaN晶体的机械研磨和在电解液的中电化学机械抛光。本发明可在GaN晶体的表面获得表面粗糙度均方根小于0.5nm的平...
王斌于广辉赵智德徐伟隋妍萍
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一种提高金属电极与石墨烯欧姆接触的方法
本发明涉及一种提高金属电极与石墨烯欧姆接触的方法，包括：(1)将CVD方法生长的带有金属衬底的石墨烯浸到金属离子溶液中进行修饰，静置后取出并吹干；(2)将修饰好的带有金属衬底的石墨烯采用湿法转移工艺转移到绝缘衬底上；(3...
陈志蓥于广辉张燕辉隋妍萍张浩然张亚欠葛晓明徐伟
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一种目标定位方法、装置、系统、设备及存储介质
本申请涉及计算机视觉技术领域，尤其涉及一种目标定位方法、装置、系统、设备及存储介质，包括：通过仿生复眼上获取第一图像集合；根据所述第一图像集合确定定位子眼集合；在所述定位子眼集合确定出至少一对双目定位子眼；获取所述双目定...
谷宇章袁泽强邱守猛徐伟张晓林
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一种通过高温高压提高石墨烯表面洁净度的方法
本发明涉及一种通过高温高压提高石墨烯表面洁净度的方法，包括：将转移完毕的有机胶、石墨烯和目标衬底的结合体放入装有除胶溶剂的密闭容器中于150kPa-2000kPa、50-500℃下加热，即得除完有机胶的石墨烯。本发明通过...
陈志蓥于广辉张燕辉隋妍萍张浩然张亚欠葛晓明徐伟
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一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法
本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保...
王斌于广辉赵智德徐伟隋妍萍张燕辉
一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法
本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制...
王斌于广辉赵志德徐伟张燕辉陈志蓥隋妍萍
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N扩散对熔液法生长GaN晶体外延速率的影响
2013年
使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关。
王斌赵志德隋妍萍徐伟于广辉
关键词：氮化镓液相外延XRD
铜上CVD石墨烯的可控制备及其缺陷相关研究
<正>化学气相沉积(CVD)法在铜衬底上适于大面积单层石墨烯的制备[1]。由于CVD石墨烯的多晶性,增大单晶尺寸被认为是提高材料质量的有效途径。除晶界之外,石墨烯单晶内部的缺陷,比如由于衬底和石墨烯较大的热膨胀系数导致的...
张燕辉陈志蓥张浩然葛晓明徐伟隋妍萍于广辉
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一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法
本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制...
王斌于广辉赵志德徐伟张燕辉陈志蓥隋妍萍
一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法
本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保...
王斌于广辉赵智德徐伟隋妍萍张燕辉
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