忻隽
- 作品数：55 被引量：20H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法
- 本发明涉及一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法，采用石墨坩埚盛放碳化硅原料，其中石墨坩埚由石墨坩埚顶盖和石墨坩埚体构成，所述石墨坩埚内表面上设置有碳膜层，将碳化硅原料置于石墨坩埚体内，盖上所述石墨坩埚顶盖，放入...
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- 晶体生长用籽晶下置式装置
- 本发明提供一种晶体生长用籽晶下置式装置，包含圆筒状的下置式坩锅和圆筒状的保温结构，保温结构紧密地包裹在下置式坩锅的周围；保温结构包括：保温结构中部圆筒；设置于保温结构中部圆筒上方的保温结构上封顶盖；设置于保温结构中部圆筒...
- 卓世异刘学超严成锋忻隽孔海宽施尔畏
- 文献传递
- 晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法
- 本发明涉及晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法，所述坩埚是与制备的晶体侧面相接触的坩埚，所述坩埚具有环式非闭合拼接结构。该晶体生长用坩埚具有环式非闭合拼接结构，因此可以避免紧箍晶体，从而使晶体生长过程中在晶体内聚...
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- 升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响
- 2013年
- 本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由"倒温度差"区间的温度、持续时间和"倒温度差"绝对值综合决定。在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料"倒温度差"区间内温度值变小且减缓反应;同时还使"倒温度差"绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运。同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果。
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- 关键词：碳化硅生长速率有限元
- 掺镁近计量比铌酸锂晶体的生长及表征
- 铌酸锂晶体具有优异的电光、声光、压电及非线性光学性能,在电光和非线性光学器件领域有着广泛的应用前景。在现实应用中为了满足不同应用场合的需要,要求电光器件和非线性光学器件能在很宽的频率范围内工作,也就是说需要采用非线性光学...
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- 一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构
- 本发明公开一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层...
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- 具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚
- 本发明专利属于晶体生长技术领域，涉及一种用于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚结构，具体涉及具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚。本发明中坩埚的料腔结构采用多生长区统一料腔设计。本发明具有以下特点：采用多生长区、统一料腔...
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- Sr3TaGa3Si2O14和Sr3NbGa3Si2O14晶体生长研究
- 以硅酸镓镧晶体(LaGaSiO,LGS)为代表的硅酸镓镧结构晶体近二十年来一直是压电晶体研究领域的热点。LGS晶体具有2-3倍于石英的机电耦合系数、良好的温度稳定性,能够满足宽频带SAW器件的要求,而且其SAW传输速率低...
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- 用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究
- SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3]。本文采用高温合成炉,选择Si粉和C...
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- 晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法
- 本发明涉及晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法，所述坩埚是与制备的晶体侧面相接触的坩埚，所述坩埚具有环式非闭合拼接结构。该晶体生长用坩埚具有环式非闭合拼接结构，因此可以避免紧箍晶体，从而使晶体生长过程中在晶体内聚...
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