高攀
- 作品数：41 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划上海市“科技创新行动计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- 用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法
- 本发明涉及用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法。所述掺杂型钽酸镓镧(M-LGT)晶体通式为y％M:La<Sub>3</Sub>Ta<Sub>0.5+x</Sub>Ga<Sub>5.5-x</Sub>O<Sub...
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- 一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法
- 本发明涉及一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法，采用石墨坩埚盛放碳化硅原料，其中石墨坩埚由石墨坩埚顶盖和石墨坩埚体构成，所述石墨坩埚内表面上设置有碳膜层，将碳化硅原料置于石墨坩埚体内，盖上所述石墨坩埚顶盖，放入...
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- 大尺寸15R 碳化硅晶体的制备方法
- 本发明涉及一种大尺寸15R碳化硅晶体的制备方法，包括：将已填充含碳和硅的原料并已粘结或固定籽晶的坩埚放入晶体生长炉，其中所述籽晶相与所述原料隔开一定距离；对所述晶体生长炉进行抽真空，待真空度小于10<Sup>-3</Su...
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- 大尺寸CuI晶体的生长方法
- 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种大尺寸CuI晶体的生长方法。本发明采用溶液降温与溶剂蒸发相结合的技术，具有设备简单、价格低廉、生长温度低和生长过程容易调控等优点。晶体外形呈长方体，尺寸达到厘米量级。所生长出的Cu...
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- Sm∶YCOB晶体生长及吸收光谱表征被引量：3
- 2013年
- 采用熔体提拉法生长了高质量Sm3+掺杂YCa4O(BO3)3(YCOB)晶体。通过X射线粉末衍射、高分辨X射线衍射摇摆曲线、ICP-AES、吸收光谱等对晶体的性能进行了研究。发现生长的Sm∶YCOB晶体与YCOB晶体具有相同的结构,结晶质量较好,半高宽可达31弧秒;5at%浓度掺杂时Sm3+在YCOB晶体中分凝系数为0.773;晶体在1400～1600 nm范围内有若干较强的吸收峰。
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- 关键词：提拉法吸收光谱
- 用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究被引量：8
- 2013年
- SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响。结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N。最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备。
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- 关键词：SIC晶体粒径堆积密度
- 一种碳化硅材质籽晶托
- 本发明涉及一种碳化硅材质籽晶托，所述碳化硅材质籽晶托包括碳化硅基底、以及设置在碳化硅基底表面的保护层；所述碳化硅基底为碳化硅多晶基底、碳化硅陶瓷基底、或碳化硅单晶基底。
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- 一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法
- 本发明涉及一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法，包括：采用物理气相输运法将氮化铝粉体与作为造孔剂的碳源高温加热成气相，再进行冷凝结晶，得到碳掺杂氮化铝多晶；将所得碳掺杂氮化铝多晶于空气气氛中，在700～900℃下加热...
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- 一种高效SiC晶体扩径方法
- 本发明涉及一种高效SiC晶体扩径方法，在籽晶托上固定由小尺寸籽晶拼接而成的大尺寸籽晶，采用物理气相传输生长方法生长大尺寸碳化硅晶体。本发明将小尺寸籽晶拼接为大尺寸籽晶，由此易于获得大尺寸（例如4英寸以上）的碳化硅籽晶，从...
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- 用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究
- SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3]。本文采用高温合成炉,选择Si粉和C...
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