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曹立新

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：信息产业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇电子特性
  • 1篇直径
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇磷化铟
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇INP
  • 1篇INP材料
  • 1篇INP单晶
  • 1篇V

机构

  • 2篇信息产业部
  • 1篇天津大学
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 2篇孙聂枫
  • 2篇孙同年
  • 2篇杨光耀
  • 2篇曹立新
  • 1篇谢德良
  • 1篇周晓龙
  • 1篇刘二海
  • 1篇齐志华
  • 1篇杨克武
  • 1篇郭维廉
  • 1篇吴霞宛
  • 1篇安国雨
  • 1篇赵彦军
  • 1篇徐永强
  • 1篇赵正平
  • 1篇陈秉克

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
直径4″InP单晶生长研究
InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用.由于InP基的光电器件、微电子器件近些年发展十分迅速,所...
孙聂枫杨光耀陈秉克徐永强曹立新赵彦军安国雨齐志华谢德良刘二海周晓龙杨克武赵正平孙同年
关键词：半导体材料单晶生长
文献传递
V_(In)H_4在InP材料中的影响被引量：3
2000年
在未掺杂和掺Fe的LEC In中用FT IR测试到VInH4 的存在。已经证实该缺陷在LEC -InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4 浓度比在未掺杂中的高。而在同一晶锭中其浓度分布是头部高 ,尾部低。讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响 ,及其对InP热稳定性的影响。
孙聂枫杨光耀吴霞宛曹立新赵权郭维廉赵有文孙同年
关键词：INP磷化铟电子特性热稳定性
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