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李冰寒

作品数：9 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 4篇砷化镓
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇N-GAAS
  • 3篇异质结
  • 3篇异质结双极晶...
  • 3篇直流特性
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇晶体管
  • 3篇半导体
  • 2篇难熔金属
  • 2篇金属
  • 2篇半导体器件
  • 2篇GAAS
  • 1篇电子器件
  • 1篇电阻
  • 1篇钝化
  • 1篇性能研究
  • 1篇直流
  • 1篇双异质结
  • 1篇双异质结双极...

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇李冰寒
  • 8篇刘文超
  • 8篇夏冠群
  • 6篇周健
  • 2篇黄文奎
  • 1篇郝幼申
  • 1篇王嘉宽
  • 1篇刘延祥

传媒

  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇Journa...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2002
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
Au/Ti/W/Ti与n-GaAs欧姆接触的特性研究被引量：1
2003年
用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究。结果表明该接触在700℃时比接触电阻为1.5×10^(-4)Ω·cm^2,快速合金化后呈现欧姆特性可能与接触界面处生成的TiAs相有关。
刘文超李冰寒周健夏冠群
关键词：砷化镓欧姆接触俄歇电子能谱XRD
AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究被引量：1
2003年
制备了大尺寸AlGaInP/GaAsSHBT和DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响AlGaInP/GaAsHBT开启电压(Voffset)的各个因素。结果表明:AlGaInP/GaAsHBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压。
李冰寒刘文超周健夏冠群
关键词：异质结双极晶体管直流特性开启电压DHBT
高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管被引量：1
2005年
利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性,并进一步分析了其具有良好高温特性的机理.
刘文超夏冠群李冰寒黄文奎
关键词：双异质结双极晶体管直流特性
难熔金属与n-GaAs的欧姆接触
本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化后呈现欧姆特性可能和合金化后在接触界面处生成的TiAs相有关.
刘文超夏冠群周健李冰寒
关键词：难熔金属砷化镓欧姆接触半导体器件
文献传递
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究
2002年
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。
周健夏冠群刘文超李冰寒王嘉宽郝幼申
关键词：退火热扩散薄膜电阻SI衬底
难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性被引量：1
2005年
用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W /Ti/Au多层金属和n GaAs材料的欧姆接触 ,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料的表面进行处理 .用传输线法对比接触电阻进行了测试 ,并利用俄歇电子能谱 (AES)、X射线衍射图谱 (XRD)对接触的微观结构进行了分析 .结果表明 ,用 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料表面进行处理后 ,比接触电阻最小 ;在 70 0℃快速合金化后获得最低的比接触电阻 ,约为 4 5× 10 -6Ω·cm2 .这是由于 (NH4) 2 S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度 ,消除了费米能级钉扎效应 。
刘文超夏冠群李冰寒黄文奎刘延祥
关键词：GAAS欧姆接触钝化
GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究
Ⅲ-V族化合物半导体由于它们具有独特的能带结构和性质,在微波器件、光电器件、霍尔器件和红外元件等方面得到了广泛的应用.其中,GaAs基材料是目前研究最为成熟同时也是最重要的Ⅲ-V族化合物半导体材料,GaSb基材料则是中红...
李冰寒
关键词：半导体材料电子器件
文献传递
<'29>Si<'+>注入n-GaAs欧姆接触研究
本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与<'29>Si<'+>注入掺杂n-GaAs之间性能良好的欧姆接触.在快速合金化条件下,比接触电阻与<'29>Si<...
李冰寒夏冠群周健刘文超
关键词：欧姆接触离子注入半导体器件砷化镓
文献传递
不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管
2005年
设计并制备了三种不同集电结结构的A lG aInP/G aA s异质结双极晶体管,计算给出了三种集电结能带结构。通过对三种HBT的直流特性测试表明,N pN型HBT因异质集电结的导带尖峰出现电子阻挡效应;N p iN型HBT集电结引入i-G aA s层能有效克服电子阻挡效应,同时还具有拐点电压Vknee小、开启电压Voffset小、击穿电压BVCEO大等优点,但由于i-G aA s层引入增加了基区电子扩散长度,使器件电流增益有所下降。
李冰寒刘文超周健夏冠群
关键词：异质结双极晶体管直流特性
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