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李艳丽: 作品数：13 被引量：9H指数：2; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

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一种制备三元高介电常数栅介质材料的方法: 本发明涉及制备高介电常数栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高介电常数材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高介电常数薄膜材料。包括步骤：a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓...; 李艳丽陈诺夫刘立峰尹志刚杨菲柴春林; 文献传递

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2: 2004年; 利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子浅注入到 p型 Si单晶衬底 ,注入深度约为 4 2 nm.X射线衍射法 (XRD)对热处理样品结构分析发现只有 Si衬底的衍射峰 ,没有其他新相 .X射线光电子能谱法 (XPS)对热处理样品表面分析发现 Fe2 p束缚能对应于单质 Fe的峰 ,没有形成 Fe的硅化物 .这些结果表明重掺杂 Fe的 Si∶ Fe固溶体被制备 .电化学 C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布 ,发现 Fe重掺杂 Si致使 Si的导电类型从 p型转为 n型 ,Si∶ Fe固溶体和 Si衬底形成 pn结。; 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：硅低能离子束重掺杂

离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜: 2004年; 采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 .样品在氩气氛中 35 0℃ ,30 m in退火处理后 ,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄 ,说明经过退火处理 ,Gd Si2; 李艳丽陈诺夫周剑平宋书林杨少延刘志凯; 关键词：X射线衍射

离子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响: 2005年; 利用双离子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜.离子束能量在100～500eV范围内,衬底温度较低时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向.当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束加热的作用,导致低温下出现单斜结构.XPS研究表明薄膜中存在氧缺陷,改进工艺条件可消除部分缺陷.; 周剑平柴春林杨少延刘志凯宋书林李艳丽陈诺夫林元华; 关键词：晶体结构 XPS

磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究被引量：1: 2004年; 采用离子束技术 ,在n型硅基片上注入稀土元素钆 ,制备了磁性 /非磁性p n结。本文中使用的XPS对制备的样品进行测试 ,利用Origin 7 0提供的PFM工具进行研究 ,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO2 中O1s的束缚能之间 ,Si2p的XPS谱分裂为两个峰 ,其中一个是单质Si的 ,另一个介于单质Si和硅化物之间 ,Gd4d的束缚能介于金属钆和氧化钆中的Gd4d之间。; 刘志凯周剑平柴春林杨少延宋书林李艳丽陈诺夫; 关键词：磁性半导体束缚能

低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜被引量：4: 2004年; 室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力显微镜 ( AFM)研究了样品表面的形貌特点 ,表明样品表面的粗糙度与 Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关。运用交变梯度磁强计 ( AGM)对薄膜进行磁性分析 ,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性 ,但金属钆本身具有室温铁磁性 ,因而需要进一步分析。; 宋书林陈诺夫周剑平李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：砷化镓衬底

一种制备三元高K栅介质材料的方法: 本发明涉及制备高K栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高K材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高K薄膜材料。包括步骤：a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)作为半...; 李艳丽陈诺夫刘立峰尹志刚杨菲柴春林; 文献传递

低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究: 2004年; 对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd注入后 ,衬底中主要元素 Ga2 p和 As3d的化学位移 ,以及不同计量的样品中注入的Gd4 d芯能级束缚能的变化 ,并分析了铁磁性产生的可能原因 .; 宋书林陈诺夫周剑平尹志岗李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：X射线衍射 X光电子能谱

单相钆硅化合物以及制备方法: 本发明单相钆硅化合物以及制备方法，涉及稀土硅化物材料。一种单相钆硅化合物，是在硅衬底上制备的钆硅化合物薄膜材料，其中仅含有正交的钆二硅(GdSi<Sub>2</Sub>)相，是单晶形式或是多晶的形式。其制备方法，包括以下...; 李艳丽陈诺夫杨少延刘志凯; 文献传递