白雪冬
- 作品数：11 被引量：135H指数：6
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性被引量：11
- 1999年
- 利用直流磁控反应溅射钢锡合金靶和锌铝合金靶，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明导电薄膜．结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变：柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底；尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响实验测得ＩＴＯ薄膜在６０ｎｍ厚时获得最低电阻率为４．２３×１０－４·ｃｍ，ＺＡＯ薄膜在２０ｎｍ厚时获得最低电阻率为８．０９×１０－４·ｃｍ．无论ＩＴＯ或是ＺＡＯ，其可见光区的平均透射率均大于７５％基于薄膜吸收系数的研究表明，ＩＴＯ薄膜的光学直接能隙在３．６５－４．００ｅＶ之间，间接跃迁在２．５０—２７５ｅＶ之间ＺＺＡＯ薄膜的光学直接能隙在３．２０—３；６０ｅＶ之间，间接跃迁在２５０—２．
- 陈猛白雪冬黄荣芳闻立时
- 关键词：半导体薄膜ITO
- In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究被引量：30
- 1999年
- 对掺锡三氧化铟（Sn－dopedIn2O3，简称ITO）薄膜光学特性进行了研究结果表明，该薄膜在可见光区具有高的透射率；低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大，表现出类金属性质，ITO薄膜的电磁本构特性参数光学折射率n和消光系数k在450－800nm区间的色散很弱，基于对薄膜光学吸收边附近吸收系数的线性拟合表明，薄膜在K＝0处价带至导带的跃迁是禁戒跃迁。
- 陈猛白雪冬裴志亮孙超宫骏黄荣芳闻立时
- 关键词：ITO光学特性
- 超薄Al膜可见光吸收率的尺寸效应被引量：11
- 1998年
- 利用WFZ—D4型紫外／可见分光光度计测量了超薄Al膜可见光吸收率与膜厚变化的关系．结果表明，在薄膜生长的不同厚度阶段具有不同的吸收特性，吸收率存在明显的尺寸效应.随着薄膜厚度减小，吸收率具有极大值.与直流电导率实验结果对比分析，结构特征变化是导致吸收率尺寸效应的重要原因．
- 白雪冬黄荣芳闻立时
- 关键词：吸收率尺寸效应可见光
- In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制被引量：56
- 2000年
- 基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 +
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- 关键词：导电薄膜导电机制氧化铟
- 纳米金属薄膜电磁特性的尺寸相关效应
- 利用纳米结构引起的物理效应,设计和研制出高性能电磁功能材料和器件,是纳米电磁工程领域的研究目标.作为纳米电磁功能材料,金属薄膜既可以作为特写的功能膜体系,又可以作为纳米多层膜复合体系的结构组元.纳米金属薄膜以及其在复合体...
- 白雪冬
- 关键词：纳米金属薄膜介电函数导磁率等离子体振荡尺寸效应
- 软基片上ITO薄膜的光电特性被引量：5
- 1999年
- 利用直流反应磁控溅射技术，室温下在聚脂膜基片上制备了优良的ITO透明导电薄膜．研究了沉积速率，靶基距，氧流量以及厚度对薄膜光电性能的影响．所得薄膜的最低电阻率为4．23×10-4Ω·cm，可见光区平均透射率大于78％．对应于低电阻率（～10-4Ω·cm）和高透射率（～78＄）的反应窗口较文献中已报道的数据明显扩大．
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- 关键词：ITO电阻率透射率光电特性
- ITO薄膜的XPS和AES研究被引量：23
- 2000年
- 分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明，退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在，其结合能值分别为（５２９．９０±０．３０）ｅＶ和（５３１．４０±０．２０）ｅＶ．
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- 关键词：光电子能谱俄歇电子能谱ITO薄膜
- ITO薄膜的光电子能谱分析被引量：17
- 2000年
- 运用ＸＰＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况．研究表明，低温直流磁控反应溅射ＩＴＯ薄膜退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以两种化合状态ＯＩ和ＯＩＩ存在，其结合能值分别为５２９．９０±０．３０ｅＶ和５３１．４０±０．２０ｅＶ，分别对应着氧充足和氧缺乏状态.两者面积之比ＲｏＩ／ｏＩＩ从薄膜表面到体内逐渐增大．退火后薄膜表面的ＲｏＩ／ｏＩＩ小于未退火薄膜表面的ＲｏＩ／ｏＩＩ;经Ａｒ＋刻蚀２０ｍｉｎ后，退火薄膜体内的ＲｏＩ／ｏＩＩ大于未退火薄膜体内的ＲｏＩ／ｏＩＩ．这些结果表明，ＩＴＯ薄膜中氧缺位状态主要分布在薄膜表层．
- 陈猛裴志亮白雪冬黄荣芳闻立时
- 关键词：光电子能谱ITO薄膜半导体薄膜
- 超薄Al膜可见光光学特性的研究
- 白雪冬
- 关键词：光学特性
- 超薄Al膜可见光光学特性与其特征尺寸的关系被引量：6
- 1999年
- 利用WFZ90 0 D4型紫外 /可见光分光光度计 ,测量了磁控测射超薄Al膜的可见光反射比和透射比。采用牛顿 辛普森方法确定超薄Al膜光学函数 ,进而计算其介电函数 ,得到了它们随膜厚变化的关系。结果表明 ,不同特征尺寸的薄膜 。
- 白雪冬黄荣芳闻立时
- 关键词：介电函数特征尺寸
