罗志云
- 作品数：14 被引量：10H指数：2
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氮化镓基本MIS结构的C-V特性的改善
- 李卫平殷江张荣罗志云刘治国沈波
- 关键词：MIS结构高频特性
- 能隙阶梯缓变结构Si_(1-x)Ge_x/Si光电探测器
- 2000年
- 提出了一种新结构Si1-xGex/Si光电探测器─—能隙阶梯缓变结构的Si1-xGex/SiPIN型近红外光电探测器。理论分析表明 ,能隙缓变增大了载流子的离化率 ,价带的不连续则有利于空穴离化 ,从而对载流子的收集有利 ,可获得高的光电响应。实验结果表明 ,该探测器具有良好的I V特性 ,反向漏电低达 0 1μA/mm2 (- 2V)。该探测器主峰值波长在 0 96 μm。其光电流响应随着反向偏压的增加有明显的增大 ,在同等条件下其光电流响应约为商用Si PIN探测器的 15倍。
- 罗志云江若琏郑有炓臧岚朱顺明程雪梅刘夏冰
- 关键词：红外光电探测器
- PECVD SiO<,2>/n-GaNMOS结构高频C-V特性
- 陈鹏张荣周玉刚罗志云陈志忠谢世勇袁晓利沈波江若琏
- 关键词：PECVD高频特性
- Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器被引量：5
- 2000年
- 本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度。
- 江若琏罗志云陈卫民臧岚朱顺明刘夏冰程雪梅陈志忠韩平王荣华郑有斗
- 关键词：光电探测器红外探测器
- Si基Ge0.85Si0.15异质结光电二极管
- 2000年
- 采用低温生长缓冲层，高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层，以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ，峰值波长位于１．０６μｍ，暗电流密度低达０．０３３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ），在１．０６μｍ和１．３μｍ处的响应度分别为１．８Ａ／Ｗ（－２Ｖ）和０．０６６Ａ／Ｗ（－Ｖ）。
- 江若琏罗志云陈卫民臧岚朱顺明徐宏勃刘夏冰程雪梅陈志忠韩平郑有炓
- 关键词：光电二极管异质结硅基
- Si基热氧化Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>薄膜的室湿紫外光致发光特性
- 程雪梅刘夏冰朱顺明罗志云江若琏
- 关键词：SI基
- SiGeC/Si异质结光电探测器(英文)被引量：1
- 2000年
- 江若琏陈卫民罗志云臧岚朱顺明韩平郑有
- 关键词：光电探测器异质结响应度
- Si基Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金生长中C对Ge组分的影响
- 刘夏冰朱顺明程雪梅韩平罗志云郑有矣
- 关键词：SI基合金
- Si基富Ge含量Si_(1-x-y)Ge_xC_y异质结构的热退火行为研究
- 2000年
- 研究了Si基富Ge含量的Si1 x yGexCy 异质结构的热退火行为。采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)法在Si(10 0 )衬底上淀积一层厚度为 170nm的Si1 x yGexCy 薄膜 (x～ 0 .7,y～ 0 .15) ,并在其上覆盖一Ge层。将样品分别在 6 50℃和 80 0℃下进行N2氛围下热退火 2 0min。用拉曼谱 (Raman)、俄歇电子能谱 (AES)以及X射线光电子能谱(XPS)等方法对样品进行研究。研究结果表明 ,低温PECVD法生长的Si1 x yGexCy 薄膜是一种亚稳结构 ,Ge/Si1 x yGexCy/Si异质结构在 6 50℃下呈现不稳定性 ,薄膜中的Ge、C相对含量下降 ,且在界面处出现Ge、C原子的堆积。经过 80 0℃下退火 2 0min的样品中C含量基本为 0 ,Ge相对含量下降至约 2 0 %左右 ,且薄膜的组分比较均匀。
- 程雪梅郑有炓韩平刘夏冰朱顺明罗志云江若琏
- 关键词：热退火
- 能隙阶梯缓变结构Si<,1-x>Ge<,x>/Si光电探测器
- 罗志云江若琏陈志忠朱顺明程雪梅刘夏冰南京大学物理系
- 关键词：光电探测器
