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胡红梅

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 17篇光刻
  • 10篇光刻胶
  • 6篇旁瓣
  • 6篇半导体
  • 5篇图形化
  • 5篇刻蚀
  • 4篇电路
  • 4篇通孔
  • 4篇自对准
  • 4篇线宽
  • 4篇介质层
  • 4篇集成电路
  • 4篇沟槽
  • 4篇光刻工艺
  • 4篇分辨率
  • 3篇旋涂
  • 3篇显影
  • 3篇硅片
  • 2篇代码
  • 2篇低密度

机构

  • 28篇上海集成电路...

作者

  • 28篇胡红梅
  • 4篇卢意飞
  • 4篇袁伟
  • 4篇李铭
  • 1篇朱骏

年份

  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制备双大马士革结构的方法
本发明公开了一种制备双大马士革结构的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层以及图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义了通孔结构；形成覆盖所述刻蚀阻挡层和所述图形化的光刻胶层的介质层；光刻并刻...
胡红梅
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一种辅助图形的添加方法
本发明提供了一种辅助图形的添加方法，包括：提供一OPC目标图形，根据辅助图形基准规则，选取其中只能加入一根辅助图形部分的规则,建立辅助图形额外规则；把目标图形整体进行放大，使目标图形的所有边向外扩展A距离；基于辅助图形额...
胡红梅
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双重曝光方法
根据本发明的双重曝光方法包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上涂布光刻胶材料；在所述光刻胶材料上涂布阻挡层材料；以及在涂布阻挡层材料之后执行双重曝光。根据本发明的双重曝光方法通过引入阻挡层材料，以降低现有的双重曝光...
胡红梅
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小线宽沟槽图形的制备方法
本发明公开了一种小线宽沟槽图形的制备方法，包括提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次形成目标材料层、第一底部抗反射层以及第一光刻胶；第一次光刻，形成第一光刻胶主图形以及小尺寸旁瓣图形；在第一光刻胶主图形和相应旁瓣图形上涂布...
胡红梅
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光刻胶的涂布方法
本发明提供一种光刻胶的涂布方法，包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片的正面喷洒TMAH溶液；在所述半导体晶片的正面涂布光刻胶层。通过本发明提供的光刻胶的涂布方法，能中和半导体晶片正面的酸性，从而避免后续进行光刻胶的曝光...
姚树歆胡红梅
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一种鳍式场效晶体管电学特性的测量结构
本发明公开了一种鳍式场效晶体管电学特性的测量结构，通过在鳍式场效晶体管的等效结构上设置五个接线端口，其中第一、第四接线端口分别由鳍式场效晶体管中间层开尔文结构的下表面引出，第二、第三接线端口分别由开尔文结构的上表面引出，...
袁伟李铭胡红梅卢意飞
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重新布线图形的形成方法
本发明公开了一种重新布线图形的形成方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，可显影填充材料的填充深度小于硅通孔的深度；在硅通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，光刻胶材料与所...
胡红梅
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一种双重图形拆分冲突的消除方法
本发明提供了一种双重图形拆分冲突的消除方法，通过根据不同结构制定不同类型的规范，根据规范查找相应的结构，找出和标记版图中违反规范的结构，然后根据奇数个标记和相应的结构所组成的密闭区域来确定存在拆分冲突的结构，最后根据存在...
胡红梅
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小线宽沟槽图形的制备方法
本发明公开了一种小线宽沟槽图形的制备方法，包括提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次形成目标材料层、第一底部抗反射层以及第一光刻胶；第一次光刻，形成第一光刻胶主图形以及小尺寸旁瓣图形；在第一光刻胶主图形和相应旁瓣图形上涂布...
胡红梅
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光刻胶的涂布方法
本发明提供一种光刻胶的涂布方法，包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片的正面喷洒TMAH溶液；在所述半导体晶片的正面涂布光刻胶层。通过本发明提供的光刻胶的涂布方法，能中和半导体晶片正面的酸性，从而避免后续进行光刻胶的曝光...
姚树歆胡红梅
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