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移相掩模板结构及其制造方法: 本发明提出一种移相掩模板结构及其制造方法，该移相掩模板结构包括：掩模板基板；移相消光层，设置于所述掩模板基板上；选择性外延淀积保护膜，设置于所述移相消光层上，其中所述选择性外延淀积保护膜为二氧化硅，多晶硅，碳化硅，氮氧化...; 朱骏; 文献传递

一种大马士革工艺制造方法: 本发明属集成电路制备工艺技术领域，具体为一种使用双层光敏感材料和单层光敏感材料相互组合，使用分步制造通孔和金属导线槽的技术，利用大马士革工艺制造集成电路的方法。大马士革工艺是一种新兴的金属布线技术，该技术存在较为突出的是...; 朱骏; 文献传递

一种保护掩膜板的方法: 本发明提供一种保护掩膜板的方法，所述掩膜板包括：衬底；铬层，位于所述衬底上；所述方法包括以下步骤：对所述铬层进行等离子氧化处理；在所述铬层和所述衬底上淀积保护膜；使用硬掩膜将所述铬层密封。本发明提供的方法可以充分保护掩膜...; 朱骏; 文献传递

一种投影式光刻机中硅片平台高度控制系统及方法: 本发明公开了一种投影式光刻机中硅片平台高度控制系统及方法。一种投影式光刻机中硅片平台高度控制系统，包括埋在投影式光刻机硅片平台中和中央控制器相连接的高度控制驱动器阵列，中央控制器通过信号传输系统和光刻机主控制系统相连接。...; 伍强朱骏; 文献传递

高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进被引量：1: 2006年; 针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻Rds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了Rds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vds参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3I V模型模拟HVMOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.; 任铮石艳玲胡少坚金蒙朱骏陈寿面赵宇航; 关键词：BSIM3模型 SPICE HV MOS晶体管

一种集成电路制造中提高对准精度的测试结构: 本实用新型公开了一种集成电路制造中提高对准精度的测试结构，内外对准结构为正多边形。其有益效果是不仅支持半导体工艺中普遍采用的X轴、Y轴两维测试，更能够满足先进的对角线布局设计的需求，测试对角倾斜方向的套准表现，大大减少了...; 朱骏; 文献传递

移相掩膜板的制造方法及其结构: 本发明提供一种移相掩膜板的制造方法及其结构，所述方法包括以下步骤：在衬底上依次生长移相消光层、刻蚀保护层和金属层；在所述金属层上涂布第一光刻胶，刻蚀所述金属层；在所述刻蚀保护层上涂布第二光刻胶，刻蚀所述刻蚀保护层和所述移...; 朱骏; 文献传递

一种降低浸没式光刻技术中光学部件被水溶液沾污的方法: 本发明一种降低浸没式光刻技术中光学部件被水溶液沾污的方法，通过优化工艺流程，在硅片进入浸没式光刻设备与水分接触前，采用加入表面活性剂的液体充分预湿硅片，移除额外多余的光酸生成剂或者其它的表面污染物，大大减少了随后产生水溶...; 朱骏; 文献传递

一种降低浸没式光刻技术中光学部件被水溶液沾污的方法: 本发明一种降低浸没式光刻技术中光学部件被水溶液沾污的方法，通过优化工艺流程，在硅片进入浸没式光刻设备与水分接触前，采用加入表面活性剂的液体充分预湿硅片，移除额外多余的光酸生成剂或者其它的表面污染物，大大减少了随后产生水溶...; 朱骏; 文献传递

一种在使用氟硅玻璃制造工艺中防止氟扩散的方法: 一种在使用氟硅玻璃制造工艺中防止氟扩散的方法，在完成大马士革金属导线结构制造后，对氟硅玻璃介质使用1～5次等离子体处理，降低氟硅玻璃低介电材料的表面氟浓度，随后淀积抑制氟扩散的保护层，最后刻蚀底部阻挡层，完成大马士革结构...; 朱骏; 文献传递

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朱骏