丁艳芳
- 作品数：11 被引量：15H指数：3
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 精确高效的渐变结构片上螺旋电感的电感值分析技术被引量：1
- 2006年
- 与传统的金属线宽和间距固定不变的无源片上螺旋电感相比,线宽和间距由外圈到内圈渐变的新型结构电感能有效提高电感品质因子.这种新结构电感的出现使得Jenei等人提出的闭合电感公式已不再适用于其电感值的计算,而改进的Wheeler公式计算误差又较大.针对这种情况,文中提出了一种以圈为单位分圈迭代求自感,用整体平均法计算互感的平面螺旋电感的电感值计算方法.该算法分析值与HFSS仿真值相比,误差小于3%,与样品测量值相比,误差小于4%.因此该算法具有计算速度快、精度高的特点,能用于渐变结构片上螺旋电感的高效设计,并可缩短设计周期.
- 罗天星石艳玲丁艳芳唐深群刘贇王勇朱骏陈寿面赵宇航
- 关键词：平面螺旋电感
- 场发射阵列的热电模型
- 1997年
- 场发射阵列的主要失效机制是真空电弧。本文先概括了真空电弧的现象，然后描述了一个放电损伤的热电模型，说明了造成损伤的材料量、能量、功率、时间范围和能量来源。根据这个模型，提出了对抗真空电弧可能采取的各种技术措施。
- 李琼陈春辉刘新福范忠丁艳芳徐静芳
- 关键词：场发射阵列真空电弧场致发射阴极
- AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积被引量：2
- 2005年
- 研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质。结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构。随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升。AlN晶粒呈柱状生长机制。
- 丁艳芳门传玲陈韬朱自强林成鲁
- 关键词：微结构
- 片上螺旋电感集总模型中衬底因子的分析与拟合
- 2009年
- 石英、高阻SOI、高阻硅等衬底上实现的电感具有比低电阻率衬底的电感更优的高频性能,因而研究基于不同衬底的电感性能,并在高频模型中进行精确的衬底因子表征就显得十分重要。综合考虑高频下的趋肤效应和邻近效应及衬底电磁损耗对电感性能的影响,实现了片上螺旋电感的集总元件模型,并通过与SOI、石英衬底的电感仿真参数及高阻硅衬底的电感测试参数进行了模型验证,结果表明,该模型拟合的S参数及Q值曲线能与仿真及测试结果吻合,同时模型中衬底因子的提取值与衬底性质相符合,因而该模型适用于片上电感的模拟与设计。
- 陈大为石艳玲李曦王鹏刘婧丁艳芳
- 关键词：片上螺旋电感
- 金属线宽及线间距渐变的射频螺旋电感(英文)被引量：4
- 2005年
- 为减少射频螺旋电感的金属导体损耗,提出了一种电感金属线宽及金属间距从外到内逐渐变小的新颖结构.与传统的固定金属线宽和间距的电感相比,该渐变结构电感涡流效应的影响较小,金属导体损耗减小,从而降低其串联电阻,品质因子Q值提高.实验结果确证了所提方法的正确性.对一个高阻硅衬底上6nH电感,优化设计的渐变结构电感Q值在2.46GHz处可达到14.25,比版图面积相同、固定线宽及间距的传统电感高11.3%.因此,在无线通信系统的射频前端,采用这种电感与射频集成电路结合,能获得更好的射频电路性能.
- 王勇石艳玲刘斌贝丁艳芳唐深群朱骏陈寿面赵宇航
- 关键词：品质因子涡流效应
- 一种片上LC无源低通滤波器及其制备方法
- 一种基于氧化多孔硅/多孔硅的片上LC无源低通滤波器及其制备方法，该滤波器含片上微电感、片上MIM电容、片上共面波导传输线和复合衬底，复合衬底由氧化多孔硅薄膜、多孔硅层和低阻硅片组成，多孔硅层夹在氧化多孔硅薄膜和低阻硅片之...
- 石艳玲刘赟王勇丁艳芳
- 文献传递
- 一种Mbist新型算法March 3CL的设计被引量：3
- 2017年
- 制造工艺的不断进步,嵌入式存储器在片上系统芯片中的集成度越来越大,同时存储器本身也变得愈加复杂,使得存储器出现了一系列新的故障类型,比如三单元耦合故障。存储器內建自测试技术是当今存储器测试的主流方法,研究高效率的Mbist算法,是提高芯片成品率的必要前提。以SRAM的7种三单元耦合故障为研究对象,通过分析故障行为得到三单元耦合的72种故障原语,并且分析了地址字内耦合故障的行为,进而提出新的测试算法March 3CL。以2048X32的SRAM为待测存储器,利用EDA工具进行了算法的仿真,仿真结果表明,该算法具有故障覆盖率高、时间复杂度低等优点。
- 陈之超李小进丁艳芳李玲玲
- 关键词：SRAMMARCH算法可测性设计
- 一种片上LC无源低通滤波器及其制备方法
- 一种基于氧化多孔硅/多孔硅的片上LC无源低通滤波器及其制备方法，该滤波器含片上微电感、片上MIM电容、片上共面波导传输线和复合衬底，复合衬底由氧化多孔硅薄膜、多孔硅层和低阻硅片组成，多孔硅层夹在氧化多孔硅薄膜和低阻硅片之...
- 石艳玲刘赟王勇丁艳芳
- 文献传递
- 单晶纳米硅薄膜的制备及其场发射特性(英文)被引量：2
- 2004年
- 用小电流、特殊配比溶液的电化学阳极腐蚀法在p型、〈10 0〉晶向、0 0 1Ω·cm电阻率的硅片制备了大面积纳米硅薄膜 .通过SEM ,TEM ,XRD和Raman光谱技术分析薄膜颗粒的微细结构 .实验结果表明该纳米硅薄膜由直径为10～ 2 0nm ,晶向一致的颗粒紧密排列而成 ,具有很好的物理化学稳定性 .系统研究了薄膜结构特征和溶液配比、腐蚀时间、腐蚀电流密度的关系 .成功观察到该薄膜具有很好的场发射特性 ,在 0 1μA/cm2 电流密度下 ,其开启电场为 3V/ μm ,接近碳纳米管的 1 1V/ μm .
- 王伟明郁可丁艳芳李琼朱自强
- 关键词：场发射
- 特种SOI材料及相关技术研究
- 集成电路从微电子发展到微纳电子时代,SOI技术以其优于体硅的高性能、全集成、低功耗、低成本的诸多优势成为取代现有体硅材料的核心支撑技术。SOI器件虽然因为它独特的埋层结构有很多优于体硅器件的性能,但也同时由于这种埋层结构...
- 丁艳芳
- 关键词：SOI新结构自加热效应
- 文献传递
