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许军

作品数：272 被引量：82H指数：5
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 228篇专利
  • 33篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 88篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 81篇晶体管
  • 75篇半导体
  • 68篇沟道
  • 46篇导体
  • 44篇半导体结构
  • 42篇场效应
  • 42篇场效应晶体管
  • 37篇衬底
  • 28篇离子
  • 27篇迁移率
  • 25篇电路
  • 25篇隧穿
  • 23篇等离子体
  • 23篇漏极
  • 22篇晶体
  • 21篇集成电路
  • 20篇电路设计
  • 17篇栅结构
  • 15篇氧化物
  • 14篇电流

机构

  • 272篇清华大学
  • 2篇中国航天北京...
  • 2篇苏州贝克微电...
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇中国空间技术...
  • 1篇都灵理工大学
  • 1篇上海集成电路...
  • 1篇唐山供电公司

作者

  • 272篇许军
  • 218篇王敬
  • 186篇梁仁荣
  • 43篇郭磊
  • 33篇方华军
  • 33篇赵梅
  • 30篇肖磊
  • 23篇崔宁
  • 21篇赵晓
  • 19篇刘立滨
  • 16篇孙川川
  • 15篇刘志弘
  • 11篇钱佩信
  • 11篇徐阳
  • 9篇刘道广
  • 9篇凌童
  • 8篇张伟
  • 7篇伍冬
  • 6篇沈延钊
  • 6篇李喜德

传媒

  • 13篇微电子学
  • 7篇Journa...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇计算机应用研...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇电子产品世界
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇中国微米/纳...

年份

  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 6篇2020
  • 7篇2019
  • 4篇2018
  • 17篇2017
  • 21篇2016
  • 11篇2015
  • 45篇2014
  • 28篇2013
  • 36篇2012
  • 38篇2011
  • 12篇2010
  • 4篇2009
  • 6篇2008
  • 7篇2007
  • 7篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
共 272 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
应变锗薄膜的制备方法
本发明公开了属于半导体衬底材料的制作领域的一种应变锗薄膜的制备方法。在Si基质上沉积覆盖单晶Si缓冲层；在单晶Si缓冲层上覆盖小于临界厚度的应变的单晶锗硅Si<Sub>1－x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>层，然...
刘佳磊梁仁荣王敬许军刘志弘
文献传递
半导体器件结构及其形成方法
本发明提出一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括：衬底层；形成在所述衬底层之上的硅碳层；形成在所述硅碳层之上的碳基材料层；形成在所述碳基材料层之上的栅堆叠；形成在所述碳基材料层之中的源极和漏极；和形成在所述源...
梁仁荣王敬许军
无结型隧穿场效应晶体管及其形成方法
本发明提出一种无结型隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬垫层，衬垫层位于衬底之上；沟道层，沟道层位于衬垫层之上，包括位于中间的沟道区和位于沟道区两侧的源区和漏区，其中，沟道区、源区和漏区的掺杂类型相同；源极，源极包覆源区的上...
刘立滨蒋春生梁仁荣王敬许军
文献传递
基于MOS器件的宽带低功耗电流回收斩波稳定放大器
本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种基于MOS器件的宽带低功耗电流回收斩波稳定放大器。包括升频混频器置于放大器输入级之前，降频混频器置于放大器输出级之后，实现对输入信号的和降频功能；分流输入级由四个PMOS管组成，...
方华军赵晓梁仁荣许军王敬
衬底表面钝化方法和半导体结构形成方法
本发明提出了一种衬底表面钝化方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底顶部表面为III-V族锑化物半导体材料；将衬底的顶部表面浸入中性或酸性的含硫离子溶液中。该衬底表面钝化方法具有简单易行、成本低的优点。本发明还提出一种半导体结...
赵连锋谭桢王敬许军
文献传递
一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法
本发明公开了一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法，所述方法包括以下步骤：准备硅衬底；利用低温减压外延在所述硅衬底上制备高锗含量、低表面粗糙度的未完全弛豫的薄锗硅层；用LPCVD或PECVD低温淀积一层二氧化硅覆盖在所述薄...
郭磊王敬许军
文献传递
高性能CMOS器件
本发明提出一种高性能CMOS器件，包括：体Si衬底，所述体Si衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS器件结构包括形成于所述体Si衬底之上的第一栅堆叠结构，形成于所述第一栅堆叠结构两侧的第一源漏极，覆盖所述第一栅堆叠...
王敬许军郭磊
文献传递
具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法
本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Ge鳍形结构；在Ge鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出G...
王敬肖磊赵梅梁仁荣许军
文献传递
一种16位高速数模转换器(DAC)的设计与实现被引量：6
2014年
基于Mixed-Signal CMOS工艺,本文设计了一种采用分段式电流舵结构的高速高精度DAC。同时在该DAC的内部电路中采用了一种新的电流校准技术,既保证了DAC电路的高精度,又减小了梯度误差的影响。电路流片后的实际测试结果表明,该16位DAC在400MSPS转换速率下仍具有良好的性能。
孔瀛王宗民许军
关键词：自校准
具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法
本发明提出一种具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法。其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；在衬底之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出Ge层；向Ge层表层注入...
王敬肖磊赵梅梁仁荣许军
文献传递
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