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赵梅

作品数：37 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 18篇等离子体
  • 17篇晶体管
  • 15篇电学性能
  • 15篇场效应
  • 15篇场效应晶体管
  • 13篇衬底
  • 10篇离子
  • 9篇晶体
  • 9篇晶体质量
  • 8篇沟道
  • 8篇半导体
  • 7篇MOSFET
  • 6篇肖特基
  • 6篇N层
  • 5篇电流
  • 5篇电流密度
  • 5篇钝化层
  • 5篇栅结构
  • 5篇金属
  • 4篇迁移率

机构

  • 37篇清华大学

作者

  • 37篇梁仁荣
  • 37篇王敬
  • 37篇赵梅
  • 33篇许军
  • 19篇肖磊
  • 3篇刘磊
  • 2篇郭磊
  • 2篇赵连锋
  • 2篇王巍

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 21篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法
本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成SiGe鳍形结构；在SiGe鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位...
王敬肖磊赵梅梁仁荣许军
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一种半导体栅结构及其形成方法
本发明提出一种半导体栅结构及其形成方法，其中，该方法包括：提供以Ge层为表面的衬底；在Ge层之上形成Sn层，其中，Ge与Sn层之间的界面为GeSn层；去除Sn层以暴露GeSn层；对GeSn层进行钝化处理以形成GeSnN或...
赵梅梁仁荣王敬许军
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半导体栅结构及其形成方法
本发明提出一种半导体栅结构及其形成方法，其中，该方法包括以下步骤：提供以Ge层为表面的衬底；在Ge层之上形成Sn层，其中，Ge与Sn层之间的界面为GeSn层；去除Sn层以暴露GeSn层；对GeSn层进行硫化处理以形成Ge...
赵梅刘磊王敬梁仁荣许军
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一种半导体栅结构及其形成方法
本发明提出一种半导体栅结构及其形成方法，其中，该方法包括：提供以Ge层为表面的衬底；在Ge层之上形成Sn层，其中，Ge层与Sn层之间的界面为GeSn层；去除Sn层以暴露GeSn层；对GeSn层进行氧化处理以形成GeSnO...
赵梅梁仁荣王敬其他发明人请求不公开姓名
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半导体结构及其制造方法
本发明提出一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底、位于所述衬底之上的栅介质层、在所述衬底和所述栅介质层之间形成的界面层、位于所述栅介质层之上的金属栅电极层；和至少一层注入离子调节层，用于调节所述半导体结构...
赵梅梁仁荣王敬许军
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SiGeSn层及其形成方法
本发明提出一种SiGeSn层及其形成方法。该方法包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；向SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGeSn层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的SiGeS...
肖磊王敬赵梅梁仁荣许军
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选区SiGeSn层及其形成方法
本发明提出一种选区SiGeSn层及其形成方法，包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；在Ge层表面形成掩膜，并在掩膜上形成开口；向Ge层表层注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGe...
肖磊王敬赵梅梁仁荣许军
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具有含碳绝缘层的肖特基势垒晶体管及其制备方法
本发明提出了一种具有含碳绝缘层的肖特基势垒晶体管及其制备方法，该肖特基势垒晶体管包括衬底及其上形成的栅堆叠，金属源极和金属漏极，在衬底与金属源极之间以及衬底与金属漏极之间的含碳绝缘层。本发明的肖特基势垒晶体管具有含碳绝缘...
王巍王敬赵梅梁仁荣
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具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管及形成方法
本发明提出一种具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，所述沟道区为第一半导体材料；形成在所述衬底中且与所述沟道区的一端相邻的金属源区；形成在所述金属源区与所述沟道区之间的隧穿介质...
梁仁荣许军赵梅王敬
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具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法
本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Ge鳍形结构；在Ge鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出G...
王敬肖磊赵梅梁仁荣许军
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