贾利芳
- 作品数：15 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信矿业工程更多>>
- 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
- 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
- 贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
- 文献传递
- 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管，所述二极管包括：衬底、成核层、缓冲层、势垒层、介质钝化层，其中：成核层形成在衬底上；缓冲层和势垒层依次形成在成核层上；势垒层的部分表面形成有欧姆接触和一个或多个凹槽，欧姆接触作为...
- 李迪贾利芳何志樊中朝杨富华
- 文献传递
- 基于MOCVD技术的AlN声表面波谐振器
- 基于铌酸锂(LiNbO3)的声表面波(SAW)滤波器件已经在射频移动通讯设备的前端实现了商业化应用。随着移动通讯技术的迅猛发展，基于LiNbO3的SAW工作频率因为声速较小(3400-4000 m/s)和金属叉指线宽受普...
- 杨帅艾玉杰张韵贾利芳孙莉莉张连程哲王军喜李晋闽
- 关键词：ALN压电薄膜声表面波谐振器
- GaN场效应晶体管
- 本发明公开了一种GaN场效应晶体管，包括衬底；外延层，外延层设置有源极、漏极，以及靠近源极的外延槽；栅极结构，设置于外延槽内，栅极结构包括：重掺杂p‑GaN层，沉积于外延槽底部，用于耗尽栅极结构的二维电子气导电沟道；轻掺...
- 杨军贾利芳樊中朝何志杨香王晓东杨富华
- 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
- 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
- 贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
- GaN基SBD功率器件研究进展被引量：6
- 2014年
- 作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势。概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究进展。根据器件结构,介绍了基于材料特性的GaN SBD和基于AlGaN/GaN异质结界面特性的GaN异质结SBD。根据器件结构对开启电压的影响,对不同阳极结构器件进行了详细的介绍。阐述了不同的肖特基金属的电学特性和热稳定性。分析了表面处理,包括表面清洗、表面等离子体处理和表面钝化对器件漏电流的影响。介绍了终端保护技术,尤其是场板技术对击穿电压的影响。最后探讨了GaN基SBD功率器件未来的发展趋势。
- 李迪贾利芳何志樊中朝王晓东杨富华
- 关键词：氮化镓功率器件等离子体处理
- 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
- 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
- 贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
- 文献传递
- GaN基HFET电力电子器件的研究被引量：2
- 2012年
- 作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基HFET功率器件具耐高压、高频、导通电阻小等优良特性,在电力电子器件方面也具有卓越的优势。概述了基于电力电子方面应用的AlGaN/GaN HFET功率器件的研究进展。从器件的结构入手,介绍了AlGaN/GaN HEMT的研究现状,从栅材料的选取以及栅介质层的结构对器件性能的影响着手,对AlGaN/GaN MIS-HFET的研究进行了详细的介绍。分析了场板改善器件击穿特性的原理以及各种场板结构AlGaN/GaNHFET器件的研究进展。论述了实现增强型器件不同的方法。阐述了GaN基HFET功率器件在材料、器件结构、稳定性、工艺等方面所面临的挑战。最后探讨了GaN基HFET功率器件未来的发展趋势。
- 贾利芳樊中朝颜伟杨富华
- 关键词：GAN击穿电压导通电阻
- 具有雪崩特性的Si基AlGaN/GaN MISHEMT
- 一代和第二代半导体材料相比,氮化镓(GaN)具有更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场强度以及更高的电子迁移率.由于Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的极化效应,在AlGaN/GaN异质结界面处可形成高浓度、高迁移率的二维电子气.总之基于A...
- 贾利芳何志梁亚楠李迪张韵樊中朝王军喜
- 关键词：氮化镓雪崩特性
- 高质量Si3N4钝化层对AlGaN/GaN肖特基漏电流的影响
- 作为第三代宽禁带半导体器件,AlGaN/GaN器件具有耐高压、高频、导通电阻小等优良特性,有望被广泛应用于电力电子器件以及微波功率器件并表现出卓越性能[1].
- 贾利芳颜伟樊中朝何志王晓东杨富华
