- 面向三维元胞模型中确定刻蚀粒子到达表面的方法
- 本发明涉及一种面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定刻蚀粒子到达表面元胞的方法，其特征在于：该方法首先确定刻蚀粒子的三个速度分量分别到达各自维度元胞边界所需的时间；然后根据到达边界时间最短的速度分量，计算刻蚀粒子在次短边界时间内...
- 宋亦旭郑树琳孙晓民
- 面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法
- 本发明涉及一种面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法，属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域；该方法首先根据刻蚀粒子的入射方向选择两个与入射面垂直的切平面；然后分别在两个切平面上选取入射点周围的表面元胞，将其位置坐标...
- 宋亦旭郑树琳孙晓民杨宏军
- 文献传递
- 基于压缩表示的离子刻蚀仿真三维表面演化方法被引量：4
- 2013年
- 为了研究表面演化过程的机理,提出了一种基于压缩表示的三维表面演化方法来模拟等离子体刻蚀工艺,并着重探讨了对离子刻蚀的仿真.为了解决三维元胞自动机内存需求量大的问题,该方法将二维数组和动态存储方式相结合,既实现元胞信息的无损压缩存储,又保持三维元胞间的空间相关性.实验结果也表明该方法不仅节省了大量内存,而且在高分辨率条件下查找离子初始碰撞的表面元胞效率较高,满足高分辨率仿真的要求.将该方法应用于实现刻蚀工艺三维表面仿真中,模拟结果与实验结果对比验证了该方法的有效性.
- 杨宏军宋亦旭郑树琳贾培发
- 关键词：等离子体刻蚀元胞自动机
- 基于元胞自动机的刻蚀表面演化模型压缩方法
- 本发明涉及一种面向元胞自动机的刻蚀表面演化模型的压缩方法，属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域；该方法采用游程编码对表面演化模型进行压缩表示，首先对各部分的材料元胞进行属性定义，分别定义了单个元胞材料编码和整体材料编码；然后...
- 宋亦旭郑树琳孙晓民
- 文献传递
- 基于元胞自动机的刻蚀表面演化模型压缩方法
- 本发明涉及一种面向元胞自动机的刻蚀表面演化模型的压缩方法，属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域；该方法采用游程编码对表面演化模型进行压缩表示，首先对各部分的材料元胞进行属性定义，分别定义了单个元胞材料编码和整体材料编码；然后...
- 宋亦旭郑树琳孙晓民
- 文献传递
- 面向三维元胞模型中确定刻蚀粒子到达表面的方法
- 本发明涉及一种面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定刻蚀粒子到达表面元胞的方法，其特征在于：该方法首先确定刻蚀粒子的三个速度分量分别到达各自维度元胞边界所需的时间；然后根据到达边界时间最短的速度分量，计算刻蚀粒子在次短边界时间内...
- 宋亦旭郑树琳孙晓民
- 文献传递
- 离子刻蚀工艺表面演化仿真的三维元胞模型被引量：1
- 2013年
- 为了更好地理解和认识刻蚀机理,并为制造工艺提供优化指导,采用三维元胞模型研究了离子刻蚀工艺的表面演化过程。针对三维元胞模型内存使用量大,采用了静态数组和动态双向链表相结合的方式进行信息存储;提出了边界时间最短优先移动法,改进了刻蚀离子入射轨迹计算量大的问题;通过一种降维分量拟合方法实现了刻蚀离子入射角度的快速求解,并重点对用于拟合计算的表面元胞的选取方法进行了改进,提出了滚轮搜索法,提高了拟合的准确度。将该模型应用到硅刻蚀工艺三维仿真中,其模拟结果与相关实验结果对比,验证了该模型对刻蚀工艺描述的有效性。
- 郑树琳宋亦旭孙晓民
- 关键词：离子刻蚀
- 面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法
- 本发明涉及一种面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法，属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域；该方法首先根据刻蚀粒子的入射方向选择两个与入射面垂直的切平面；然后分别在两个切平面上选取入射点周围的表面元胞，将其位置坐标...
- 宋亦旭郑树琳孙晓民杨宏军
- 文献传递
- 基于三维元胞模型的刻蚀工艺表面演化方法被引量：2
- 2013年
- 为了更好地理解和认识刻蚀机理,并为制造工艺提供优化指导,采用三维元胞模型研究了刻蚀工艺的表面演化过程,并着重探讨了离子对表面演化过程的影响.针对刻蚀离子入射角度的求解问题,提出了一种降维分量拟合方法,将一个三维曲面拟合问题转化为两个二维曲线拟合进行求解,对入射点的表面法向量计算实现了快速求解,与采用最小二乘多项式曲面拟合求解离子入射角度相比,其计算精度和效率都有较大的提高;对用于拟合计算的表面元胞的选取方法进行了改进,提高了拟合的准确度.将这种方法应用到硅刻蚀工艺三维仿真中,其模拟结果与相关实验结果对比,验证了该方法对刻蚀工艺描述的有效性.
- 郑树琳宋亦旭孙晓民
- 关键词：刻蚀
