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陈万军

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:香港科技大学更多>>

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇整流
  • 2篇整流器
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇离子
  • 2篇氟离子
  • 2篇HEMT
  • 2篇场效应

机构

  • 2篇香港科技大学

作者

  • 2篇周春华
  • 2篇陈敬
  • 2篇陈万军

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统
本发明提供一种集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统。本发明公开了基于GaN或其它类似半导体材料的集成高效率横向场效应整流器和HEMT的器件、这种集成器件的制造方法及包括这种集成器件的系统。所述横向场效应整流器...
陈敬陈万军周春华
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集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统
本发明提供一种集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统。本发明公开了基于GaN或其它类似半导体材料的集成高效率横向场效应整流器和HEMT的器件、这种集成器件的制造方法及包括这种集成器件的系统。所述横向场效应整流器...
陈敬陈万军周春华
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共1页<1>
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