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陈娓兮

作品数：48 被引量：23H指数：3
供职机构：北京大学物理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 9篇会议论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇机械工程

主题

  • 21篇激光
  • 21篇激光器
  • 14篇半导体
  • 12篇光电
  • 10篇电吸收
  • 10篇调制器
  • 9篇电吸收调制
  • 9篇调制
  • 7篇电吸收调制器
  • 7篇半导体激光
  • 7篇半导体激光器
  • 6篇波导
  • 5篇探测器
  • 5篇欧姆接触
  • 5篇刻蚀
  • 5篇光电子
  • 4篇电极
  • 4篇电器件
  • 4篇电子器件
  • 4篇有机层

机构

  • 31篇北京大学
  • 18篇中国科学院

作者

  • 48篇陈娓兮
  • 17篇王圩
  • 14篇冉广照
  • 12篇秦国刚
  • 11篇朱洪亮
  • 8篇潘教青
  • 7篇李艳平
  • 7篇焦鹏飞
  • 7篇刘国利
  • 6篇乔永平
  • 6篇张伯蕊
  • 6篇洪涛
  • 5篇马国立
  • 5篇王舒民
  • 5篇周帆
  • 5篇徐爱国
  • 4篇张静媛
  • 4篇汪孝杰
  • 4篇王宝军
  • 4篇赵玲娟

传媒

  • 7篇Journa...
  • 3篇中国激光
  • 3篇中国有色金属...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇量子电子学
  • 1篇应用基础与工...
  • 1篇2000年全...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第四届中国功...
  • 1篇第三届全国固...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 6篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 3篇1994
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法
一种选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法,在磷化铟衬底上淀积二氧化硅层;在图形衬底上生长多量子阱有源区;在激光器区域制作布拉格光栅,在调制器区域刻制窗口,同时得到刻蚀波导所需的刻蚀停止层;在激光器与调制器形成光...
刘国利王圩陈娓兮朱洪亮
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用银膜作反射镜的垂直短腔面发射激光器被引量：2
1994年
我们采用液相外延的方法，在ｎ－ＧａＡｓ衬底上生长分别限制单量子阶作为激光器的有源区．国内首次采用银膜作为垂直短腔面发射激光器的谐振腔的反射镜和欧姆接触电极．分别制作了底部和顶部出光的两种类型管子，在室温脉冲工作状态下，均已观察到激射．顶部出光管子阈值电流为４．５Ａ；底部出光管子阈值电流为３．８Ａ．激射波长为８７２．８ｎｍ，纵模间隔为１．９ｕｍ．同时还研究了不同银膜厚度在ＧａＡｓ界面上的反射率．
陈娓兮钟勇蔡兵赵冀徽焦鹏飞王舒民石志文高俊华
关键词：发射激光器银膜反射镜谐振腔
具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法
本发明涉及半导体光器件技术领域，特别是一种具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法。步骤包括：(1)采用普通化学汽相淀积生长二氧化硅，在一次外延结构片顶层选择性产生用于量子阱混杂的镓空位；(2)金属有机化合物化学...
丁颖王圩潘教青王宝军陈娓兮
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电吸收调制器的光纤对准耦合方法
一种电吸收调制器的光纤对准耦合方法，其特征在于调制器两端分别对准，调整调制器一端的锥形透镜光纤，使调制电流达到最大值，以相同的方法调整调制器另一端的光纤，也使调制电流达到最大值。通过对串联电阻的电压监控，可以探测到光电流...
孙洋陈娓兮王圩
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一种硅基激光器及其制备方法
本发明公开了一种硅基激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本发明的激光器包括刻蚀有波导结构的SOI，化合物半导体激光器结构；所述激光器结构的键合面上依次设有周期分布的条形SiO<Sub>2</Sub>结构，相互导通...
李艳平冉广照洪涛陈娓兮秦国刚
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光弹性波导半导体激光器与电吸收波导调制器
＜正＞半导体激光器与电吸收波导调制器是光纤通讯和光信息处理关键有源器件之一．光弹性波导半导体激光器与电吸收波导调制具有工艺简单,有利于集成等特点．将金属 WNi 薄膜条淀积到半导体 InP 或 GaAs 为衬底的具有量子...
陈娓兮邢启江焦鹏飞
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金属键合硅基激光器的制备方法
本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；...
秦国刚洪涛陈挺冉广照陈娓兮
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单脊条形可调谐电吸收调制DFB激光器被引量：8
2001年
报道了一种波长可热调谐的电吸收调制分布反馈激光器(Electroabsorptionmodulateddistributedfeedbacklaser,EML)。在激光器条形的侧面淀积一薄膜加热器,EML实现了 2 2nm的连续调谐。在调谐范围内,激光器输出功率的变化小于 3dB。采用端面有效反射率方法和耦合波理论的计算表明:采用相调制方法,可实现调谐范围达3 2nm的EML。如果热调谐与相调谐方法结合。
刘国利王圩张静媛陈娓兮汪孝杰朱洪亮
关键词：DFB激光器电吸收调制器
一种顶出光电极及其制备方法
本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，所述有机发光层上设有厚度为5—40nm的稀土元素层，在所述稀土元素层上设有厚度为10—15nm的Au层。本发明用低功稀土...
秦国刚马国立徐爱国乔永平冉广照张伯蕊陈娓兮
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低介电常数BCB树脂的固化方法
一种低介电常数BCB树脂的固化方法，具体步骤如下：步骤1：在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂；步骤2：通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态BCB树脂，接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片放入固化炉中，并通入氮气保...
程远兵周帆潘教青陈娓兮王圩
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