陈新
- 作品数：27 被引量：33H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究被引量：1
- 1996年
- 利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Si原子的扩散。另外，Si施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。
- 钟战天吴冰清曹作萍朱文珍张广泽张广泽陈新王佑祥陈新邢益荣
- 关键词：分子束外延Δ掺杂砷化镓
- GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定
- 1995年
- 介绍了用离子注入标样测定ＧａＡｓ中氧的ＳＩＭＳ相对灵敏度因子的方法，并将实验数据进行离子计数─浓度，溅射时间─深度转换后求得的特征值（Ｃｍａｘ、Ｒｐ、△Ｒｐ等）与理论计算值进行比较，二者符合较好，其中Ｃｍａｘ的ＳＩＭＳ测量值同ＬＳＳ理论计算值和ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟计算值之间的平均偏差分别为９％和２７％．最后，对几种ＧａＡｓ基的材料和器件进行氧的定量分析，获得了有益的结果．
- 陈春华陈新王佑祥姜志雄
- 关键词：砷化镓SIMS氧
- 虎皮楠属植物生物碱成分的研究
- ＜正＞虎皮楠属（Daphniphyllum,Daphniphyllaceae）的植物产生一系列结构上新颖的次生代谢产物-这是一组结构多变、分子高度复杂的多环生物碱,被称为虎皮楠生物碱,这些化合物对天然产物鉴定、化学合成都...
- 杨升平陈新樊成奇岳建民
- 文献传递
- 正常态金属与氧化物高温超导薄膜界面扩散特性分析被引量：2
- 1995年
- 利用二次离子质谱(SIMS)技术,分析了Ag和A1与YBa_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)超导薄膜接触界面互扩散.结果显示,它们有不同的互扩散特征.利用SIMS的分析结果,可以很好地理解经高温热处理后,Ag/YBCO和A1/YBCO样品具有不同界面电学性质的原因.
- 康晋锋陈新王佑祥韩汝琦熊光成连贵君李杰吴思诚
- 关键词：YBCO超导体
- 用ＭＣｓ<'+>技术研究Ｔｉ／Ａｌ<,2>Ｏ<,3>界面的组分分布
- 陈新王佑祥
- 关键词：氧化铝钛燃烧扩散
- 钙钛矿型锰氧化物La2/3Ca1/3MnO<,3>中Mn位的Ti掺杂效应
- 李润伟王志宏陈新沈保根
- 关键词：铁磁性磁电阻钙钛矿型锰氧化物
- 文献传递网络资源链接
- 二次离子发射的LTE模型及其在GaAs样品中的应用
- 1994年
- 介绍了二次离子发射的局部热平衡（LTE）模型的发展过程及其在GaAs样品SIMS定量分析中的应用，并尝试了用GaAs基体元素作内标的定量分析方法，取得了较好的结果。
- 陈新陈春华陈春华
- 关键词：LTE砷化镓
- 大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算
- 1996年
- 在大剂量氧注入硅形成ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）的物理过程分析基础上，根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系，首次得到Ｏ＋对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式，同时提出埋ＳｉＯ２中的氧将主要向上界面扩散，排除了以前的作者在研究ＳＩＭＯＸ材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性．在考虑了主要的大剂量注入效应，如体积膨胀、表面溅射、氧在ＳｉＯ２内的快速扩散等，得到氧在硅中的深度分布，经过超高温退火，认为氧硅发生完全的化学分凝，据此设计出快速计算大剂量、高束流氧注入后的最终氧分布的模拟程序ＰＯＩＳＳ（ＰｒｏｇｒａｍｏｆＯｘｙｇｅｎＩｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎｉｎｔｏＳｉｌｉｃｏｎＳｕｂｓｔｒａｔｅ），能够较为准确地反映ＳＩＭＯＸ材料的特征厚度．本程序已用于本所的ＳＩＭＯＸ材料研制中．
- 奚雪梅赵清太张兴李映雪王阳元陈新王佑祥
- 关键词：氧注入硅SOI材料半导体材料
- 原子团离子在Al_(x)Ga(1-x)As基体组分SIMS定量分析中的应用被引量：1
- 1996年
- 通过检测原子团离于MCs+和MAs－（M是基体元素）对AlxGa1-xAs基体组分进行了定量的分析，考察了MIQ－156SIMS上所测这些原子团离子的能量分布及其对分析结果的影响，并对正、负SIMS测量方法做出比较。
- 姜志雄查良镇王佑祥陈春华陈新
- 关键词：二次离子质谱
- Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究被引量：3
- 1996年
- 用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。
- 王佑祥顾诠崔玉德陈新
- 关键词：俄歇电子能谱氧化铝陶瓷
