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王佑祥

作品数：44 被引量：46H指数：4
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 9篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 14篇理学
  • 4篇化学工程
  • 4篇机械工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 13篇质谱
  • 13篇陶瓷
  • 13篇离子
  • 12篇二次离子质谱
  • 7篇砷化镓
  • 7篇SIMS
  • 7篇钛
  • 6篇化物
  • 6篇TI
  • 5篇氮化
  • 5篇氮化铝
  • 5篇氧化铝
  • 4篇氮化铝陶瓷
  • 4篇能谱
  • 4篇金属
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇俄歇电子
  • 4篇俄歇电子能谱
  • 4篇GAAS

机构

  • 42篇中国科学院
  • 6篇清华大学
  • 5篇西安交通大学
  • 3篇北京大学

作者

  • 43篇王佑祥
  • 17篇陈新
  • 15篇陈春华
  • 11篇岳瑞峰
  • 5篇徐传骧
  • 5篇崔玉德
  • 3篇顾诠
  • 3篇陈春华
  • 2篇吴冰清
  • 2篇邢益荣
  • 2篇查良镇
  • 2篇姜志雄
  • 2篇朱勤生
  • 2篇朱文珍
  • 2篇钟战天
  • 2篇张广泽
  • 1篇何杰
  • 1篇连贵君
  • 1篇王玉田
  • 1篇李锋

传媒

  • 12篇真空科学与技...
  • 7篇Journa...
  • 4篇物理学报
  • 2篇半导体技术
  • 2篇西安交通大学...
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇"98全国材...
  • 2篇’94秋季中...
  • 2篇1998二次...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第三届全国电...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 10篇1998
  • 5篇1997
  • 6篇1996
  • 7篇1995
  • 5篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1990
  • 3篇1989
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MCs<'+>-SIMS技术在研究金属与陶瓷界面反应中的应用
王佑祥
关键词：氧化铝电子封装材料钛陶瓷材料
原子团离子在Al_(x)Ga(1-x)As基体组分SIMS定量分析中的应用被引量：1
1996年
通过检测原子团离于MCs+和MAs－（M是基体元素）对AlxGa1-xAs基体组分进行了定量的分析，考察了MIQ－156SIMS上所测这些原子团离子的能量分布及其对分析结果的影响，并对正、负SIMS测量方法做出比较。
姜志雄查良镇王佑祥陈春华陈新
关键词：二次离子质谱
Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究被引量：3
1996年
用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。
王佑祥顾诠崔玉德陈新
关键词：俄歇电子能谱氧化铝陶瓷
Ti-AlN界面组分分布的二次离子质谱研究被引量：2
1998年
采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为22nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖析，给出了Ti／AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产物。结合卢瑟福背散射谱（RBS），X射线衍射分析（XRD）和Ti-Al－N三元相图推断，铝化物是Ti-Al二元和Ti-Al-N三元化合物。经850℃退火4h后其主要由Ti2AlN组成。
岳瑞峰王佑祥陈春华徐传骧
关键词：二次离子质谱铝化物氮化铝陶瓷
分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究被引量：1
1996年
利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Si原子的扩散。另外，Si施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。
钟战天吴冰清曹作萍朱文珍张广泽张广泽陈新王佑祥陈新邢益荣
关键词：分子束外延Δ掺杂砷化镓
GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定
1995年
介绍了用离子注入标样测定ＧａＡｓ中氧的ＳＩＭＳ相对灵敏度因子的方法，并将实验数据进行离子计数─浓度，溅射时间─深度转换后求得的特征值（Ｃｍａｘ、Ｒｐ、△Ｒｐ等）与理论计算值进行比较，二者符合较好，其中Ｃｍａｘ的ＳＩＭＳ测量值同ＬＳＳ理论计算值和ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟计算值之间的平均偏差分别为９％和２７％．最后，对几种ＧａＡｓ基的材料和器件进行氧的定量分析，获得了有益的结果．
陈春华陈新王佑祥姜志雄
关键词：砷化镓SIMS氧
正常态金属与氧化物高温超导薄膜界面扩散特性分析被引量：2
1995年
利用二次离子质谱(SIMS)技术,分析了Ag和A1与YBa_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)超导薄膜接触界面互扩散.结果显示,它们有不同的互扩散特征.利用SIMS的分析结果,可以很好地理解经高温热处理后,Ag/YBCO和A1/YBCO样品具有不同界面电学性质的原因.
康晋锋陈新王佑祥韩汝琦熊光成连贵君李杰吴思诚
关键词：YBCO超导体
Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应被引量：2
1998年
用Ｘ射线衍射分析、二次离子质谱、卢瑟福背散射谱、俄歇电子能谱等表面分析技术，研究了Ｔｉ膜与ＡｌＮ陶瓷衬底的界面固相反应．在高真空中用电子束蒸发的方法在抛光的２００℃ＡｌＮ陶瓷衬底上淀积２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在真空恒温炉中退火．实验表明，退火中Ｔｉ膜与ＡｌＮ界面发生了扩散与反应．６５０℃，１ｈ退火已观测到明显的界面反应．界面反应产物主要是钛铝化物及ＴｉＮ化合物．铝化物是ＴｉＡｌ二元化合物和ＴｉＡｌＮ三元化合物，８５０℃，４ｈ退火后则主要由Ｔｉ２ＡｌＮ组成．
王佑祥岳瑞峰陈春华
关键词：钛AIN陶瓷电子封装
用ＭＣｓ<'+>技术研究Ｔｉ／Ａｌ<,2>Ｏ<,3>界面的组分分布
陈新王佑祥
关键词：氧化铝钛燃烧扩散
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱光学性质研究
李锋王佑祥
关键词：砷化镓晶格光学性质
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