崔玉德
- 作品数：14 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学机械工程更多>>
- Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应被引量：3
- 1990年
- 利用四探针、AES、XRD、XPS和SEM等技术研究了快速热退火中Co与Si和SiO_2反应动力学、相序、层的形貌。测量了薄层电阻与退火温度和时间的关系。结果表明,随退火温度的升高,淀积在硅衬底上的钴膜逐步转变为Co_2Si、CoSi_(?)最后完全转化为CoSi_2。CoSi_2对应的电阻率最低。Co与SiO_2不会反应,即使在1050℃的高温下也没有观察到任何形成钴硅化物的证据。
- 陈维德崔玉德许振嘉陶江
- 关键词：钴快速退火SIO2
- 多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究
- 1991年
- 本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构.
- 陈维德金高龙崔玉德许振嘉
- 关键词：多晶硅掺杂多层结构真空
- 电子束、离子束、与兰宝石（α－Ａｌ＃-[2]Ｏ＃-[3]）相互作用的研究
- 崔玉德王佑祥
- 关键词：电子束蓝宝石表面性质离子束相互作用(物理)表面化学
- 迁移增强外延GaAs／Al／GaAs材料生长及其俄歇分析
- 1996年
- 在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数ＧａＡ５（１１３）Ｂ面上用ＭＥＥ方法生长ＧａＡｓ薄膜效果更好。
- 钟战天崔玉德曹作萍张广泽孙学浩张立宝肖君朱勤生邢益荣
- 关键词：俄歇分析砷化镓
- In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析被引量：1
- 1993年
- 采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。
- 陈维德陈宗圭崔玉德
- 关键词：INGAAS
- 稀土氧化物高T_c超导薄膜的AES分析
- 1989年
- 一、前言世界很多国家都在研究制备超导材料,而且发展很快。国内有十多个单位用电子束蒸发、磁控溅射等方法获得零电阻转变温度TR=0>85K的超导薄膜,也有用分子束外延、化学气相沉积法制备的。一般超导临界转变温度TC<85K,我国制Bi-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜的TR=0>111K,TC=125K。
- 崔玉德王佑祥
- 关键词：超导薄膜零电阻稀土氧化物电子束蒸发超导性能转变温度
- Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究被引量：3
- 1996年
- 用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。
- 王佑祥顾诠崔玉德陈新
- 关键词：俄歇电子能谱氧化铝陶瓷
- 电子束、离子束与蓝宝石相互作用的研究被引量：1
- 1995年
- 研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化，表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解，产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行，电子束轰击下（3keV，O．5μA，入射角60°）10s就有元素Al分解出来，2min以后就达到饱和，分解析出量随时间成a（1－e－bt）的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解，但当Ei＞3keV时，由于剥离速率加大，溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关（如碳的含量）。最后讨论电子束与离子束的解析机理。
- 崔玉德王佑祥顾诠
- 关键词：电子束离子束蓝宝石俄歇电子能谱
- CaAs(100)的(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_x表面钝化被引量：1
- 1995年
- 利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用.
- 陈维德金高龙崔玉德段俐宏高志强
- 关键词：砷化镓半导体表面钝化
- Al_xGa_(1-x)As俄歇灵敏度因子的测定
- 1994年
- 利用PHI610俄歇谱仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的Al_xGa_(1-x)As样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册或内标法提供的元素相对灵敏度因子的定量分析结果相比,测量精度得到大大提高。
- 陈维德崔玉德
- 关键词：灵敏度俄歇电子谱法
