崔玉德
- 作品数：14 被引量：14H指数：3
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- 相关领域：电子电信化学工程理学机械工程更多>>
- Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应被引量：3
- 1990年
- 利用四探针、AES、XRD、XPS和SEM等技术研究了快速热退火中Co与Si和SiO_2反应动力学、相序、层的形貌。测量了薄层电阻与退火温度和时间的关系。结果表明,随退火温度的升高,淀积在硅衬底上的钴膜逐步转变为Co_2Si、CoSi_(?)最后完全转化为CoSi_2。CoSi_2对应的电阻率最低。Co与SiO_2不会反应,即使在1050℃的高温下也没有观察到任何形成钴硅化物的证据。
- 陈维德崔玉德许振嘉陶江
- 关键词：钴快速退火SIO2
- 多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究
- 1991年
- 本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构.
- 陈维德金高龙崔玉德许振嘉
- 关键词：多晶硅掺杂多层结构真空
- 电子束、离子束、与兰宝石（α－Ａｌ＃-[2]Ｏ＃-[3]）相互作用的研究
- 崔玉德王佑祥
- 关键词：电子束蓝宝石表面性质离子束相互作用(物理)表面化学
- 迁移增强外延GaAs／Al／GaAs材料生长及其俄歇分析
- 1996年
- 在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数ＧａＡ５（１１３）Ｂ面上用ＭＥＥ方法生长ＧａＡｓ薄膜效果更好。
- 钟战天崔玉德曹作萍张广泽孙学浩张立宝肖君朱勤生邢益荣
- 关键词：俄歇分析砷化镓
- In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析被引量：1
- 1993年
- 采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。
- 陈维德陈宗圭崔玉德
- 关键词：INGAAS
- 稀土氧化物高T_c超导薄膜的AES分析
- 1989年
- 一、前言世界很多国家都在研究制备超导材料,而且发展很快。国内有十多个单位用电子束蒸发、磁控溅射等方法获得零电阻转变温度TR=0>85K的超导薄膜,也有用分子束外延、化学气相沉积法制备的。一般超导临界转变温度TC<85K,我国制Bi-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜的TR=0>111K,TC=125K。
- 崔玉德王佑祥
- 关键词：超导薄膜零电阻稀土氧化物电子束蒸发超导性能转变温度
- Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究被引量：3
- 1996年
- 用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。
- 王佑祥顾诠崔玉德陈新
- 关键词：俄歇电子能谱氧化铝陶瓷
- 电子束、离子束与蓝宝石相互作用的研究被引量：1
- 1995年
- 研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化，表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解，产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行，电子束轰击下（3keV，O．5μA，入射角60°）10s就有元素Al分解出来，2min以后就达到饱和，分解析出量随时间成a（1－e－bt）的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解，但当Ei＞3keV时，由于剥离速率加大，溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关（如碳的含量）。最后讨论电子束与离子束的解析机理。
- 崔玉德王佑祥顾诠
- 关键词：电子束离子束蓝宝石俄歇电子能谱
- CaAs(100)的(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_x表面钝化被引量：1
- 1995年
- 利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用.
- 陈维德金高龙崔玉德段俐宏高志强
- 关键词：砷化镓半导体表面钝化
- 利用快速热退火在n－GaAs上形成Ge／PdGe欧姆接触被引量：1
- 1996年
- 利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触．研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００～５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～１０－６Ω·ｃｍ２．接触层的表面光滑、界面平整．利用俄歇电子谱（ＡＥＳ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）一揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理．
- 陈维德谢小龙崔玉德段俐宏许振嘉
- 关键词：热退火欧姆接触半导体器件
