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CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制被引量：4: 1994年; 利用超高真空电子束蒸发，在Ｓｉ衬底上淀积Ｃｏ－Ｓｉ多层膜．经热处理后，发现在６００—７００℃内ＣｏＳｉ２形成的过程中，成核控制、界面反应及扩散等几种因素都能起较大的作用，并因此而造成了ＣｏＳｉ２薄膜生长动力学的极其复杂性．本文还对样品进行了电阻率和扩展电阻测量．并讨论了利用常规手段来消除薄膜横、纵向非均匀性的几种途径．; 何杰顾诠陈维德许振嘉; 关键词：薄膜生长反应机理

Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究被引量：3: 1996年; 用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。; 王佑祥顾诠崔玉德陈新; 关键词：俄歇电子能谱氧化铝陶瓷

掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光被引量：7: 1999年; 采用等离子化学汽相淀积方法，改变ＳｉＨ４和Ｎ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ＳｉＯｘ．用离子注入方法将铒掺入ＳｉＯｘ，经３００～９３５℃快速热退火，在波长１．５４μｍ处观察到很强的室温光致发光（ＰＬ）．发光强度随氧含量和激发功率增加而增加，与ＳｉＯｘ的微结构有非常密切的关系．; 陈维德马智训许振嘉何杰何杰梁建军; 关键词：掺铒光致发光室温氧化硅

Co—Si多层膜的透射电镜研究被引量：4: 1993年; 本文用TEM技术系统地研究了超高真空中在Si(111)衬底上交替蒸镀Co、Si形成的多层薄膜,在稳态热退火过程中硅化物的生长规律,观察生成硅化物的成分和晶粒度、薄膜的表面形态和界面特征等微结构的变化。结果表明,随着退火温度的升高Co膜逐渐转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而增大,340—370℃退火后在Co耗尽前Co_2Si和CoSi能同时生长(三相共存)。结合XRD分析,证实了上述结果的可靠性。; 顾诠何杰何杰陈维德钱家骏; 关键词：半导体薄膜透射电镜

电子束、离子束与蓝宝石相互作用的研究被引量：1: 1995年; 研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化，表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解，产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行，电子束轰击下（3keV，O．5μA，入射角60°）10s就有元素Al分解出来，2min以后就达到饱和，分解析出量随时间成a（1－e－bt）的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解，但当Ei＞3keV时，由于剥离速率加大，溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关（如碳的含量）。最后讨论电子束与离子束的解析机理。; 崔玉德王佑祥顾诠; 关键词：电子束离子束蓝宝石俄歇电子能谱

Co-Si多层膜在稳态热退火中的固相界面反应: 1993年; 超高真空条件下,采用电子束蒸发工艺在Si(111)衬底上交替蒸镀200A的Co和Si薄膜形成多层膜结构,在恒温炉中作稳态热退火,然后用XRD、RBS及AES等技术作分析,研究了Co-Si多层膜固相反应的相序,用四探针测量了反应生成的钴硅化物的电阻率。结果表明,随着退火温度的升高,淀积在Si(111)上的Co膜逐步转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,最后完全转化为CoSi_2。在比单层膜低得多的温度下退火获得了电阻率较低、表面形态良好、晶粒很大的CoSi_2薄膜材料。; 顾诠陈维德许振嘉; 关键词：硅化物热退火

掺铒硅光致发光的研究被引量：1: 1999年; 采用PECVD法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Er3+ 离子的掺铒硅 ,经快速退火后在 15K至 2 93K下均可获得波长为 1 54μm的很强的光致发光。研究了不同的氧含量、退火温度、测量温度和激发功率对掺铒硅光致发光强度的影响和规律。; 顾诠何杰陈维德许振嘉谢小龙谢小龙梁建军廖显伯; 关键词：硅光致发光氧含量发光机理光电子学

Ti和蓝宝石的界面反应被引量：3: 1996年; 在超高真空中用电子束蒸发在抛光的(1102)取向的蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上蒸镀500nm的Ti膜,在恒温炉中退火,然后用XRD(包括一般的和小角度的X射线衍射),AES(俄歇电子谱,包括深度剖面分布和通过界面的谱形分析)和SIMS(二次离子质谱)等表面分析技术详细研究了从室温至850℃,Ti与α-Al_2O_3的固相界面反应.结果表明室温及300℃,30min退火已有反应,Al_2O_3被Ti还原而在界面析出Al.600℃,30 min退火生成了Ti_3Al和TiO_2。850℃,30 min退火时Ti_3Al的生成量即随温度而增加,并产生多种氧化钛(Ti_xO_y)和Al_2TiO_5(Al_2O_3·TiO_2)等新相.850℃,4h退火除上述各相外又生成了Ti_2Al和TiAl_3。本文首次系统地提出了不同反应温区相应的化学反应式,讨论了采用体材料数据作热力学计算来预言Ti/α-Al_2O_3界面反应的局限性。; 顾诠王佑祥崔玉德陈新陶琨; 关键词：钛蓝宝石

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顾诠