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颜建

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电流
  • 2篇电流变化
  • 2篇量子效率
  • 2篇内量子效率
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇封装
  • 2篇封装结构
  • 2篇测量数据
  • 2篇出光
  • 2篇出光效率
  • 1篇电特性
  • 1篇多量子阱
  • 1篇载流子
  • 1篇量子
  • 1篇可靠性
  • 1篇可靠性研究
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光发光二极...
  • 1篇光电

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇颜建
  • 2篇吴超
  • 2篇张国义
  • 2篇于彤军
  • 2篇陈志忠
  • 2篇徐承龙

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管的efficiency doop机制及可靠性研究
InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)以其高亮度、低能耗、长寿命、快响应速度和无辐射等独特优势，在固体照明、全色显示生物科技等领域中有着非常广阔的前景。依赖于GaN材料生长技术和LED芯片工艺的发展，LED器件的...
颜建
关键词：INGAN/GAN多量子阱发光二极管可靠性光电特性
一种测量LED的内量子效率和出光效率的方法
本发明公布了一种测量LED的内量子效率和出光效率的方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量LED光功率和光谱随电流变化关系，在外量子效率极值附近通过非线性拟和得到内量子效率数值，并根据公式计算出对应的出光效率...
于彤军徐承龙颜建吴超陈志忠张国义
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一种测量LED的内量子效率和出光效率的方法
本发明公布了一种测量LED的内量子效率和出光效率的方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量LED光功率和光谱随电流变化关系，在外量子效率极值附近通过非线性拟和得到内量子效率数值，并根据公式计算出对应的出光效率...
于彤军徐承龙颜建吴超陈志忠张国义
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