高丹
- 作品数：18 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 用于微显示与照明的LED阵列器件
- 用于微显示与照明的LED阵列器件，涉及发光显示技术领域，解决现有平面型LED微显示器件由于不能弯曲而导致使用受限制的问题，本发明所述的柔性连接的LED器件的工作过程为，电流从上电极注入，从下电极流出，在器件中形成电场，使...
- 梁中翥梁静秋王维彪田超秦余欣吕金光高丹
- 文献传递
- 光侧面入射的蓝光增敏硅雪崩光电二极管阵列器件
- 光侧面入射的蓝光增敏硅雪崩光电二极管阵列器件，属于光电技术领域。解决了现有技术中可见光雪崩光电二极管对蓝光量子效率低的缺点，进一步提高其截止频率及增益。本发明的阵列器件，包括多个探测单元、多个隔离区和多个电极引线；多个探...
- 王维彪高丹梁静秋张军吕金光秦余欣陶金王浩冰
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- 具有高短波探测效率的可见光硅增益接收器阵列
- 具有高短波探测效率的可见光硅增益接收器阵列，属于光电技术领域。解决了现有技术中雪崩光电二极管存在着无法同时满足高蓝光灵敏度、宽波段全覆盖以及高截止频率的问题。本发明的阵列器件，包括多个探测单元、多个隔离区和多个电极引线；...
- 王维彪梁静秋张军高丹吕金光陶金秦余欣陈锋
- 文献传递
- 高效率蓝光硅光探测器外延结构及特性研究
- 2022年
- 为了实现硅基雪崩光电二极管蓝光波段(400~500 nm)高光响应度,设计了SACM型基本器件结构,探究了倍增层厚度对器件的雪崩击穿电压及光电流增益的影响及倍增层掺杂浓度对光响应度的影响,综合考虑光响应度和击穿电压的因素,结果表明:当表面非耗尽层掺杂浓度为1.0×10^(18) cm^(−3)、厚度为0.03μm;吸收层掺杂浓度为1.0×10^(15) cm^(−3)、厚度为1.3μm;场控层掺杂浓度为8.0×10^(16) cm^(−3)、厚度为0.2μm;倍增层掺杂浓度为1.8×10^(16) cm^(−3)、厚度为0.5μm时,器件具有较低的击穿电压V_(br-apd)=34.2 V。当V_(apd)=0.95 V_(br-apd),该结构在蓝光波段具较高的光响应度(SR=3.72~6.08 A·W^(−1))。上述研究结果对高蓝光探测响应度Si-APD实际器件的制备具有一定的参考价值。
- 陈伟帅王浩冰陶金高丹吕金光秦余欣郭广通李香兰王强张军梁静秋王惟彪
- 关键词：雪崩光电二极管硅
- 集成硅基可见光探测器阵列器件的制作方法
- 集成硅基可见光探测器阵列器件的制作方法，属于光电技术领域。提供了硅基可见光雪崩光电二极管阵列的高集成度以及高集成度的探测单元之间复杂的连接方式的制作工艺方法。本发明的制作方法，先在清洗处理后的衬底材料上沉积外延层作为雪崩...
- 梁静秋秦余欣张军高丹王维彪吕金光陶金陈锋
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- 用于微显示与照明的柔性LED阵列器件及制作方法
- 用于微显示与照明的柔性LED阵列器件及制作方法，涉及发光显示技术领域，解决现有平面型LED微显示器件由于不能弯曲而导致使用受限制的问题，本发明所述的柔性连接的LED器件的工作过程为，电流从上电极注入，从下电极流出，在器件...
- 梁静秋王维彪梁中翥田超秦余欣吕金光高丹
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- 增强蓝光效率的硅探测器阵列器件的制作方法
- 增强蓝光效率的硅探测器阵列器件的制作方法，属于光电技术领域。解决了如何提供一种具有高蓝光灵敏度、高增益和高集成度的硅探测器阵列器件的的制作方法的问题。本发明的制作方法，先在清洁处理后的衬底材料上沉积雪崩层，然后在雪崩层上...
- 秦余欣王维彪梁静秋高丹陶金张军吕金光陈锋
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- 蓝光增敏硅基雪崩光电二极管阵列器件
- 蓝光增敏硅基雪崩光电二极管阵列器件，属于光电技术领域。解决了现有技术中雪崩光电二极管因表面复合效应而导致的蓝光灵敏度低的问题，更好地增加其对蓝光的吸收，提高其截止频率及增益。本发明的阵列器件，包括多个探测单元、多个隔离区...
- 王维彪梁静秋高丹张军秦余欣吕金光陶金王浩冰
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- 侧面接收光的硅增益光探测阵列器件的制作方法
- 侧面接收光的硅增益光探测阵列器件的制作方法，属于光电技术领域。解决了如何提供一种蓝光量子效率高、集成度高、增益高的光侧面入射硅基雪崩光电二极管阵列器件的制作方法的问题。本发明的制作方法，先在清洁处理后的衬底的内部制作埋氧...
- 梁静秋陶金王维彪张军高丹吕金光秦余欣王浩冰
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- MOEMS集成波长选择开关的设计及研究被引量：2
- 2017年
- 研究一种基于电磁驱动微光机电系统(MOEMS)光开关阵列的串联集成波长选择开关结构,经过理论分析与计算,得出螺旋形线圈在相同电流密度下相比于八边形和四边形线圈能得到更大的电磁力;通过模态分析得到在设计的悬臂结构下,支撑臂响应时间约为22 ms。采用溅射、光刻、腐蚀和电铸等MOEMS工艺完成了光开关悬臂的制作,并通过制作对准标记及采用可见光与红外光相结合的装调方法,完成了1×8阵列的波长选择开关系统集成。经过测试得到,开关上升和下降的时间均约为20 ms,当电流为0.4 A时,支撑臂的挠度为1.28 mm,能达到系统光路转换的目的。该波长选择开关能够在2 V电压下,实现对8个不同波长信道的任意选择,其最大的插入损耗为1.741 dB,信道均匀性达到0.55 dB;插入损耗的测试结果与计算结果较吻合。
- 时建梁静秋陈成吕金光秦余欣高丹
- 关键词：波分复用波长选择开关光通信电磁驱动
