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何莉剑

作品数:13 被引量:8H指数:2
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市教委科技发展计划模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 7篇放大器
  • 6篇SIGE_H...
  • 4篇异质结
  • 4篇晶体管
  • 4篇功率放大
  • 4篇功率放大器
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇低噪声放大器
  • 3篇功率
  • 3篇HBT
  • 2篇异质结晶体管
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇偏置
  • 2篇线性化
  • 2篇宽带
  • 2篇发射极
  • 2篇SIGE/S...
  • 2篇超宽带

机构

  • 13篇北京工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 13篇何莉剑
  • 12篇谢红云
  • 11篇张蔚
  • 8篇金冬月
  • 7篇沙永萍
  • 7篇王扬
  • 5篇沈珮
  • 4篇甘军宁
  • 4篇李佳
  • 2篇肖盈
  • 1篇杨经伟
  • 1篇王圩
  • 1篇邱建军
  • 1篇王路

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 3篇微电子学
  • 1篇物理学报
  • 1篇2007'信...

年份

  • 4篇2008
  • 7篇2007
  • 2篇2006
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I在1.67-1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加...
沈珮张万荣谢红云金冬月邱建军王扬何莉剑张蔚沙永萍李佳甘军宁
关键词:锗硅异质结双极晶体管
文献传递
SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化
2007年
模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响。在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻。模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏置点不受影响,三阶交调信号幅度最小,功率增益平坦度得到改善,而且S参数也能满足功放的要求。
何莉剑张万荣谢红云张蔚
关键词:功率放大器偏置电阻
基于SiGe HBT的超宽带(UWB)低噪声放大器的设计
本文结合超宽带(UWB)无线通信标准,给出了超宽带低噪声放大器(LNA)的设计思路,然后根据这个思想以高性能的硅锗异质结双极型晶体管为核心设计出了一款超宽带低噪声放大器,最后用安捷伦的ADS对所设计的放大器进行了仿真验证...
张蔚张万荣谢红云金冬月何莉剑王扬沙永萍李佳甘军宁沈珮
关键词:超宽带低噪声放大器ADS
文献传递
基于DFB激光器的光学微波信号的产生
2008年
采用量子阱混杂的材料集成技术制备并联分布反馈激光器和Y形波导耦合器集成的新型光电器件.两个并联分布反馈激光器的激射模式在频率上稍有差别,这两束不同频率的激光在Y形波导耦合器拍频产生光学微波信号.分别独立调节注入到两个激光器的电流大小,可以得到从13GHz到42GHz连续可调的光学微波信号.
谢红云金冬月何莉剑张蔚王路张万荣王圩
关键词:分布反馈激光器拍频
多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计被引量:1
2006年
利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。
张万荣何莉剑谢红云杨经伟金冬月肖盈沙永萍王扬张蔚
关键词:SIGE/SI异质结晶体管热电耦合
功率SiGe/Si HBT的温度特性被引量:1
2006年
测量了Si/SiGeHBT在23-260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性,以及Early电压U的变化情况。结果表明,随电流和温度的增加,β减少,%随温度的变化率dVBE/dT小于同质结Si BJT。在高集电极-发射极电压和大电流下,在输出特性曲线上观察到了负微分电阻(NDR)特性。结果还显示,电流增益-Early电压积与温度的倒数(1/T)呈线性关系,这对模拟电路应用是很重要和有用的。
张万荣王扬金冬月谢红云肖盈何莉剑沙永萍张蔚
关键词:SIGE/SI异质结晶体管温度特性
四频段高效率功率放大器的设计
设计实现了能够在850MHz,900MH,1800MHz和1900MHz四个不同频段独立工作的功率放大器。直流偏置电路采用有源器件补偿法,使功放的线性得到了改善。输出匹配电路采用负载牵引法,匹配电路的类型采用只有两个元器...
何莉剑张万荣谢红云张蔚
关键词:负载牵引法输出阻抗
文献传递
高热稳定性多发射极功率SiGe HBT的研制
研制出具有非均匀发射极条间距结构的多发射极功率SiGe异质结双极晶体管(HBT),用以改善功率器件热稳定性。实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距结构HBT相比,非均匀发射极条间距结构HBT的峰值结温...
金冬月沈珮张万荣王扬沙永萍何莉剑张蔚谢红云
关键词:异质结双极晶体管功率器件热稳定性偏置电流峰值结温
基于SiGe HBT的超宽带低噪声放大器的设计被引量:3
2008年
结合超宽带(UWB)无线通信标准,给出了超宽带低噪声放大器(LNA)的设计思路。依据这个思想,并以高性能硅锗异质结双极型晶体管为核心,设计了一款超宽带低噪声放大器。采用安捷伦的ADS,对设计的放大器进行了仿真验证。结果表明,该放大器在3.1~6GHz带宽内,S21高于11dB,且变化不超过3dB;S11和S22都在-15dB以下;S12低于-20dB;放大器的噪声系数在1.3-1.7dB之间,群延时在整个频带内变化在15ps左右,且在整个频带内无条件稳定。放大器良好的性能证明了提出的设计思想的正确性。
张蔚张万荣谢红云金冬月何莉剑王扬沙永萍
关键词:超宽带低噪声放大器SIGEHBT
线性双频点功率放大器设计
功率放大器是通信系统中一个十分重要的组成部分,功放特性的好坏直接影响整个通信系统的性能。随着第三代移动通信技术的发展,对功放线性进行改进成为无线通信中一个非常重要的课题,也是近年来国内外的一个研究热点。同时,由于近年来,...
何莉剑
关键词:功率放大器直流工作点线性化电路结构
文献传递
共2页<12>
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