刘忠山
- 作品数：22 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程经济管理更多>>
- P波段350 W LDMOS功率管研制
- 由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LD...
- 郎秀兰段雪刘英坤邓建国胡顺欣刘忠山李明月潘茹黄雒光张晓帆
- 文献传递
- 一种高压功率半导体器件的结终端制造方法及专用刀具
- 本发明公开了一种高压功率半导体器件的结终端制造方法及专用刀具，属于半导体开关器件制造工艺技术领域。所述制造方法主要包括以下步骤：一、用通用方法在PN结的两面做好双面金属电极；二、使用专用刀具研磨结终端；三、对结终端的外表...
- 刘忠山
- 文献传递
- 新型亚纳秒高功率半导体开关器件被引量：2
- 2009年
- 介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件——快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理。采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件。FID器件采用无感裸芯片封装技术,寄生参数小。单个FID器件工作电压>2kV,导通时间<1ns,工作电流高达10kA,抖动<20ps,di/dt超过100kA/μs,重复频率400kHz。具有极易串并联、导通触发脉冲可同步产生、工作特性高度稳定、体积小、重量轻等优点,FID可与DSRD组合应用,当采用MARX电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。FID器件脉冲发生器具有广阔的应用前景。
- 刘忠山杨勇马红梅刘英坤崔占东
- 关键词：等离子体波亚纳秒
- 深能级快速离化导通器件及其制造方法
- 本发明公开了一种深能级快速离化导通器件及其制造方法，属于半导体器件工艺制造技术领域。本发明包括N型半导体基片，所述N型半导体基片的正面为P型扩散区，所述P型扩散区上分布阴极P<Sup>+</Sup>区、阴极N<Sup>+...
- 王敬轩刘忠山闫伟王永维王勇
- 文献传递
- 超快速高压雪崩三极管器件研制被引量：7
- 2009年
- 采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压400V,脉冲电流达80A的雪崩三极管器件并已投入批量生产。给出了雪崩三极管MARX使用电路及测试结果,重复频率可达400kHz。器件采用金属管壳片式封装,具有可靠性高、易于级联使用等优点。
- 刘忠山杨勇马红梅刘英坤崔占东
- 关键词：雪崩三极管二次击穿负阻MARX电路超宽带
- 一种高压功率半导体器件的结终端制造方法及专用刀具
- 本发明公开了一种高压功率半导体器件的结终端制造方法及专用刀具，属于半导体开关器件制造工艺技术领域。所述制造方法主要包括以下步骤：一、用通用方法在PN结的两面做好双面金属电极；二、使用专用刀具研磨结终端；三、对结终端的外表...
- 刘忠山
- 功率VDMOSFET单粒子效应研究被引量：4
- 2008年
- 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。
- 段雪郎秀兰刘英坤董四华崔占东刘忠山孙艳玲胡顺欣冯彬
- 关键词：单粒子烧毁
- 新型快速高功率半导体开关器件及其应用技术
- 简要介绍了常用脉冲开关在现代脉冲功率技术中的局限性,重点介绍了几种新型Si等离子体波半导体开关器件(RSD,DBD,FID,DSRD,SOS)的工作原理和应用技术。给出了目前达到的器件水平,并介绍了国内外基于这些器件的脉...
- 刘忠山杨勇崔占东刘英坤
- 关键词：等离子体波脉冲源
- 文献传递
- 超薄型管壳
- 本发明公开了一种超薄型管壳，包括上盖、定位件、底座和圆形的厚银片，上盖包括外环片和圆盘形的无氧铜盘，外环片与无氧铜盘的边缘连接，底座包括环形金属片、圆筒形的外壳、圆环形的边沿和底块，边沿固定于外壳的顶端，环形金属片的一端...
- 杨勇刘忠山崔占东刘英坤尹启堂史姝岚
- 特种快速大功率半导体切断开关的研制被引量：2
- 2009年
- 介绍了大功率半导体切断开关(SOS)的工作原理和研制结果。面积为0.28cm2的开关(59只串联)在300Hz连续工作模式中,切断电流为1.9kA,电流切断时间为9.56ns;在1000Hz猝发工作模式中,切断电流为1.73kA,电流切断时间为10.86ns;在负载为470Ω的耐压试验中,开关输出的高压窄脉冲的幅值为270kV,宽度约为10ns。
- 杨勇刘英坤崔占东刘忠山马红梅陈洪斌
- 关键词：连续工作模式
